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公开(公告)号：CN111837199B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201980017407.6
申请日：2019-03-26
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的导电膜形成用组合物包含扁平状金属颗粒和树脂。扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层。扁平状金属颗粒中的金属氧化物层的厚度相对于该颗粒的厚度之比为0.010以上且0.300以下。金属氧化物层的厚度为0.010μm以上且2.000μm以下。此外，本发明的导电膜的制造方法使用包含扁平状金属颗粒和树脂的导电膜形成用组合物。在基材上涂布导电膜形成用组合物而形成涂膜，然后对该涂膜照射光进行焙烧，从而得到导电膜。扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN111433866B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201880078405.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01B13/00 , C09D5/24 , C09D201/00 , C23C26/00 , H01B1/22
Abstract: 在形成含有导电性赋予粒子的组合物的涂膜、并通过对该涂膜的光烧成来制造导电膜的方法中，在上述涂膜的光烧成之前将该涂膜沿其厚度方向压缩。在上述组合物中包含的结合剂的储能模量成为100MPa以下的温度下将上述涂膜压缩是适宜的。按照向厚度方向的压缩率成为25％以上且80％以下的方式将上述涂膜压缩也是适宜的。光烧成工序中的光的照射设定为脉冲光的照射是适宜的。
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公开(公告)号：CN111837199A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980017407.6
申请日：2019-03-26
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的导电膜形成用组合物包含扁平状金属颗粒和树脂。扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层。扁平状金属颗粒中的金属氧化物层的厚度相对于该颗粒的厚度之比为0.010以上且0.300以下。金属氧化物层的厚度为0.010μm以上且2.000μm以下。此外，本发明的导电膜的制造方法使用包含扁平状金属颗粒和树脂的导电膜形成用组合物。在基材上涂布导电膜形成用组合物而形成涂膜，然后对该涂膜照射光进行焙烧，从而得到导电膜。扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN111433866A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880078405.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01B13/00 , C09D5/24 , C09D201/00 , C23C26/00 , H01B1/22
Abstract: 在形成含有导电性赋予粒子的组合物的涂膜、并通过对该涂膜的光烧成来制造导电膜的方法中，在上述涂膜的光烧成之前将该涂膜沿其厚度方向压缩。在上述组合物中包含的结合剂的储能模量成为100MPa以下的温度下将上述涂膜压缩是适宜的。按照向厚度方向的压缩率成为25％以上且80％以下的方式将上述涂膜压缩也是适宜的。光烧成工序中的光的照射设定为脉冲光的照射是适宜的。
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