公开(公告)号：CN111133570A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062354.5

申请日：2018-11-26

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 阿野清治

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00 ,  H05K3/40

Abstract: 在第一表面(S1)上设置空腔(CV)和金属化膜(15)。第一及第二接地电极层(21、22)与第一及第二外部电极层(51、52)设置在第二表面(S2)上。在多个单位结构的每一个中，第一及第二接地电极层(21、22)与金属化膜(15)电连接。第一及第二元件焊盘(41、42)设置在空腔(CV)内。第一及第二外部电极层(51、52)分别与第一及第二元件焊盘(41、42)电连接。城堡型电极(70)与第一至第四单位结构(9A～9D)的每一个相接。城堡型电极(70)与第一及第二外部电极层(51、52)的每一个电切断。

公开(公告)号：CN118975411A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380031262.1

申请日：2023-03-31

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 河野浩 ,  间濑淳

IPC: H05K1/09 ,  H05K1/03

Abstract: 陶瓷布线构件(1)具备陶瓷制的主体部(10)以及与主体部(10)接触地配置的导电部(20)。导电部(20)的组成包含：作为主成分的第一金属成分，该第一金属成分是W和Mo中的至少任一者；第二金属成分，该第二金属成分合计相对于第一金属成分为0.1％以上且10％以下，选自Ni、Co和Fe中的至少一者；以及陶瓷成分。导电部(20)的组织包含：导电相(31)，该导电相(31)含有第一金属成分与第二金属成分的合金；以及玻璃相(32)，该玻璃相(32)分散于导电相(20)内，以导电部(20)的截面中的面积率计为3％以上且20％以下，含有上述陶瓷成分。

公开(公告)号：CN114424678B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202080065866.4

申请日：2020-09-25

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 石崎正人 ,  久保昇

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11

Abstract: 布线构造(100)使用球栅阵列(90)进行安装。基体(80)由电介质构成。第一差动线路(131)设置于基体(80)中，具有第一信号线路(11)以及第二信号线路(12)。第二差动线路(132)设置于基体(80)中，具有第三信号线路(13)以及第四信号线路(14)。第一焊盘(21)与第一信号线路(11)连接。第二焊盘(22)与第二信号线路(12)连接。第三焊盘(23)隔着接地区域(20)与第二焊盘(22)相邻，与第三信号线路(13)连接。第四焊盘与第四信号线路连接。接地区域(20)包含第二焊盘(22)与第三焊盘(23)之间的夹设部(20i)、以及从夹设部(20i)偏离的非夹设部(20n)。基体(80)具有沟槽(TR)。

公开(公告)号：CN117397373A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280038868.3

申请日：2022-03-25

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 北岛晃太 ,  本田贵彦 ,  中尾一贵 ,  植谷政之 ,  增田泉 ,  浦野晃弘

IPC: H05K3/38

Abstract: 在通过加压加热接合制作接合基板的情况下，在接合后适当地除去形成于铜板的脱模层。接合基板的制造方法具备：准备工序，准备在陶瓷基板的两主面上层叠钎料层和铜板而成的一个或多个接合对象品；层叠工序，在一个或多个接合对象品与将其夹持的一对夹持构件的各个之间分别设置脱模层并将它们进行层叠；接合工序，通过利用一个夹持构件进行加压的同时对一个或多个接合对象品进行加热，从而得到陶瓷基板和铜板通过接合层接合的一个或多个接合基板；以及除去工序，通过湿式蚀刻使接合基板所具备的铜板的与脱模层接触的部位溶解，从而从该接合基板除去脱模层。

公开(公告)号：CN114867699B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180006937.8

申请日：2021-11-29

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 绪方孝友

IPC: C04B35/119 ,  H01L23/15 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明所涉及的陶瓷烧结体包含氧化铝、氧化锆和含有二氧化硅以及氧化镁的玻璃成分，并在表面侧具备具有镁的浓度峰值的结合层部，在与结合层部相邻的内部侧具备镁的浓度比结合层部小的内层部。

公开(公告)号：CN111034372B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201880053704.1

申请日：2018-09-11

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 河村卓 ,  石崎正人 ,  后藤直树

IPC: H05K1/14 ,  H01L23/04 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/46

Abstract: 本发明提供减小高频信号的传输损耗并具有充足的机械强度的布线基板与柔性基板的连接构造。一种由布线基板(7)和柔性基板(8)构成连接构造的布线基板与柔性基板的连接构造(1)，布线基板(7)具备绝缘部件(4)、导体层(5)及接地层(6a)，柔性基板(8)具备绝缘片(9)和金属膜(10)，该金属膜(10)具备经由接合材料(22)接合于导体层(5)的信号线焊盘(10a)，具备在从柔性基板(8)的背面Q′侧透视连接构造(1)时信号线焊盘(10a)与导体层(5)重叠的重叠区域(28)，并且具备有用连接部分，将在与信号的传输方向垂直的方向上剖切该重叠区域(28)时的属于重叠区域(28)的信号线焊盘(10a)的宽度设为W、并将同样属于重叠区域(28)的导体层(5)的宽度设为WO时，满足WO＜W。

公开(公告)号：CN114080674A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202080047546.6

申请日：2020-06-08

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 石崎正人 ,  久保昇 ,  大西笃

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/64 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 基体(10)由绝缘体陶瓷构成，且具有设置有沟槽(TR)的主面(MS)，沟槽(TR)包括与主面(MS)相连的平坦面(FP)。第一焊盘(21)设置在基体(10)的主面(MS)上，且由金属构成。引线(321)以与第一焊盘(21)电连接的方式设置在第一焊盘(21)上。第一焊盘(21)在沟槽(TR)的平坦面(FP)的外插面上具有侧面(FS)。在与基体(10)的主面(MS)垂直的至少一个剖视中，第一焊盘(21)在与主面(MS)平行的方向上的中点具有第一厚度(T1)，并且在侧面(FS)具有第二厚度(T2)，并满足第二厚度(T2)大于第一厚度(T1)的一半这样的厚度条件。

公开(公告)号：CN114026968A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080047926.X

申请日：2020-12-09

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 山本哲也 ,  绪方孝友 ,  伊藤阳彦

IPC: H05K1/09

Abstract: 布线基板(90)包含：绝缘体层(11、12)，由含有氧化铝的陶瓷构成；以及导电层(21～23)，设置在绝缘体层(11、12)上。导电层(21～23)包含：多个芯部(71)，分散于导电层中，并含有钼；以及包覆部(72)，包覆多个芯部(71)各自的表面，并含有钨。包覆部(72)与芯部(71)相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。

公开(公告)号：CN113056092A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011551560.8

申请日：2020-12-24

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 久保昇 ,  石崎正人

IPC: H05K1/03 ,  H05K1/02

Abstract: 本发明提供一种在高频下也能够得到良好的传输特性的布线基板。层叠体(LM)具有由陶瓷构成的绝缘层(LD)和层间接地导体(LG)。第一～第N绝缘层(LD1)～(LDN)(N≥3)与第一～第(N－1)层间接地导体(LG1)～(LG(N－1))在厚度方向(Z)交替地层叠。层叠体(LM)具有第一绝缘层(LD1)所形成的电极安装面(SB)、第一侧面(SO)以及第二侧面(SI)。第j1～第k1层间接地导体(LGj1)～(LGk1)(1≤j1＜k1≤N－1)到达第一侧面(SO)。第一贯通接地导体(MO)在第一侧面(SO)在与厚度方向Z交叉的方向(Y)隔开间隔地排列。第j1～第k1层间接地导体(LGj1)～(LGk1)在第一侧面(SO)通过第一贯通接地导体(MO)分别互相电连接。

公开(公告)号：CN112789256A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201880098397.9

申请日：2018-12-06

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK电子器件株式会社

Inventor： 梅田勇治 ,  大上纯史

IPC: C04B35/119

Abstract: 在陶瓷烧结体(3)中，Zr的含量以ZrO2换算为17.5质量％以上且23.5质量％以下，Hf的含量以HfO2换算为0.3质量％以上且0.5质量％以下，Al的含量以Al2O3换算为74.3质量％以上且80.7质量％以下，Y的含量以Y2O3换算为0.8质量％以上且1.9质量％以下，Mg的含量以MgO换算为0.1质量％以上且0.8质量％以下，Si的含量以SiO2换算为0.1质量％以上且1.5质量％以下，Ca的含量以CaO换算为0.03质量％以上且0.35质量％以下，Na以及K的合计含量在将Na的含量设为Na2O换算并将K的含量设为K2O换算的情况下，为0.01质量％以上且0.10质量％以下，剩余部分的含量以氧化物换算为0.05质量％以下。Mg的MgO换算的含量、Si的SiO2换算的含量、Ca的CaO换算的含量、Na的Na2O换算的含量、K的K2O换算的含量、以及剩余部分的含量之和为0.3质量％以上且2.0质量％以下。