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公开(公告)号：CN102437177B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110392125.X
申请日：2011-12-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/41 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种新型肖特基倒封装芯片，包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极，所述硅片正极和所述芯片正极连接，所述硅片负极和所述芯片负极连接，所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面；所述硅片正极位于所述硅片的表面上，所述硅片正极的旁边设置有凹槽，所述硅片负极位于所述凹槽内。本发明还公开了一种新型肖特基倒封装芯片的制造工艺，包括以下步骤：提供一原始外延硅片；对原始外延硅片进行氧化；一次光刻；P环扩散；二次光刻沟槽；一次腐蚀；三次光刻；二次腐蚀；溅射金属Pt、Ni；蒸发接触金属Ti、Ni、Ag；焊锡，封装，得成品。本发明新型肖特基倒封装芯片体积小、厚度薄、性能好。
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公开(公告)号：CN102496664A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110392123.0
申请日：2011-12-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种延长砷化镓LED寿命的合金方法，包括以下二次合金：第一次合金在蒸发台内的真空环境中进行，在对砷化镓进行蒸发金属处理后，利用蒸发台的衬底加热，进行第一次恒温合金；第二次合金在蒸发台外进行，在对砷化镓进行光刻处理后，进行第二次恒温合金。本发明通过二次合金，一方面增加了金属层与砷化镓本体的粘结力，另一方面使金属层与砷化镓本体的表面导电性能更加优良，不易产生任何影响导电性能的薄膜，从而消除了传统砷化镓LED的粘结性能和导电性能随时间增长而降低的缺陷，延长了砷化镓LED的寿命，间接地节约了使用成本，减少了电子垃圾产生量，有利于环保。
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公开(公告)号：CN102244104A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110189645.0
申请日：2011-07-07
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种平、台结合双向二极管芯片，由P型原始硅片加工而成，芯片的两面靠近两端处均设置有一次氧化层，芯片的两面还设置有磷扩散层，所述一次氧化层和所述磷扩散层上还设置有二次氧化层，二次氧化层与一次氧化层的重叠区域内开有台面槽，台面槽上设有氮化硅钝化层，芯片两面的表层还设置有镍层。本发明还公开了一种平、台结合双向二极管芯片的制作工艺，包括以下步骤：一次氧化、光刻、磷扩散、二次氧化、光刻台面槽、钝化、光刻引线孔、渡镍、切割得到独立芯片。本发明的优点在于：由于硅片机械强度高，不易碎片，所以划片（或称为切割）的效率大大提高，比GPP工艺提高40%以上，能够节约整个图形的面积约20%。
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公开(公告)号：CN102034705A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010509031.1
申请日：2010-10-18
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Inventor： 张力
IPC: H01L21/329 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种大电流二极管应力减小加工工艺，该工艺按如下步骤进行：引排，铜引线退火；焊料、芯片装填；焊接；成型；分段固化。通过在原工艺基础上增加铜引线退火以及将原固化方式改为分段固化，从而降低了产品的结构应力，从而克服了目前技术的缺陷，达到提升产品可靠性能的效果。
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公开(公告)号：CN119216710A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411379976.4
申请日：2024-09-30
Applicant: 重庆理工大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: B23K3/08
Abstract: 一种镀镍层合金软钎焊预涂覆用助焊剂，按重量百分数计组分包括：松香10％～50％，有机酸1.0％‑10％，有机胺2.0％‑4.0％，无机金属盐0.5％‑2％，活性增强剂0.5％‑2.0％，表面活性剂0.5％‑2.0％，缓蚀剂0.5％‑2.0％，添加剂0.1％～2.0％，余下为溶剂；其涂覆方法的步骤包括：将按照原组分材料配置助焊剂水浴恒温，将焊片平铺在聚四氟乙烯塑料板上90℃～100℃预热半分钟，滴加适当恒温预涂覆用助焊剂溶液于焊片上，涂刷均匀后加热烘干，烘干后冷却至室温即得到预涂覆助焊剂成型焊片。本发明解决了现有助焊剂用于预涂覆焊片存在不易涂覆，以及助焊剂涂层相互触压出现黏连、涂覆助焊剂焊片裁切掉粉等问题。本发明的助焊剂焊接时间短、润湿性好、焊后残留易清洗、同时能完成可对镍及镍合金、铝及铝合金等多种金属材料的焊接。
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公开(公告)号：CN119050145A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166938.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括包括漏极金属层、锗硅异质结结构、传导区域、体区域、重掺杂接触区域、氧化层(8)、重掺杂栅极多晶硅层、源极金属层；本发明改善了器件的反向回复特性，相较于现有的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，本发明的反向恢复时间更小、反向恢复时间更短、反向恢复电荷更低。当晶体管承受反向电压的时候，即金属氧化物半导体场效应晶体管工作在逆向导通状态下时，从源极注入的空穴将流向漏极；然而器件源极侧的异质结结构将会导致能带上的差异变化，使得空穴更容易从漂移区内部进入到锗硅区域中，实现减少漂移区内部空穴浓度的效果，实现改善反向恢复性能。
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公开(公告)号：CN118969843A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411031978.4
申请日：2024-07-30
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该半导体场效应晶体管通过辅助栅阳极氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域、第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域共同构成辅助栅结构，辅助栅作为反向导通二极管，当器件反向导通的时候，辅助栅由于更低的导通电压而优先导通，且为单极导通二极管，减少了器件内部空穴浓度，因此很大程度上改善了传统的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的反向恢复性能。此外，由于源极金属层与第二导电类型体区域形成肖特基接触，减小了原本传统结构中寄生三极管结构的影响，从而改善了器件的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN118610259A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410754616.1
申请日：2024-06-12
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种超低导通电阻鳍型异质结场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；漏极金属层；第一导电类型漂移层；第一导电类型第一导电层；所述第一导电类型第一导电层背离所述第一导电类型漂移层的一侧包括至少一个凸出部；第二导电类型第一半导体层；第二导电类型第二半导体层；栅极金属层；第一导电类型第二导电层；钝化层；以及源极金属层。本申请利用异质结界面电子积累效应，在已采用超结结构基础上，使器件导通电阻进一步降低，功率优值明显提高。
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公开(公告)号：CN118281068A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410359897.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本申请提供一种载流子存储增强型横向绝缘栅双极型晶体管，该横向绝缘栅双极型晶体管在横向绝缘栅双极型晶体管正向导通时，通过增加轻掺杂第一导电类型载流子存储区的空穴，使得轻掺杂第一导电类型漂移区的载流子存储效应增强；当横向绝缘栅双极型晶体管关断时，轻掺杂第一导电类型漂移区中的空穴经过轻掺杂第一导电类型载流子存储区抽取至重掺杂第二导电类型发射区。本申请不仅优化了横向绝缘栅双极型晶体管导通压降和关断损耗之间的关系，还增加了横向绝缘栅双极型晶体管的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118099122A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410299878.3
申请日：2024-03-15
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/18 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/48
Abstract: 本申请涉及功率器件技术领域，提供了一种应用于双管正激电源的合封功率器件及其制备方法，功率器件包括：铜框架；两个晶体管，两个晶体管设置于铜框架内；两个二极管，两个二极管与两个晶体管合封于铜框架内。本发明中，在铜框架上将原本独立封装的两个晶体管和两个二极管合封到一个封装中，减小了总的芯片体积，同时缩短了走线，降低了线路的寄生参数，提高了单位体积内原边电路的功率密度。
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