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公开(公告)号：CN102496664B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110392123.0
申请日：2011-12-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种延长砷化镓LED寿命的合金方法，包括以下二次合金：第一次合金在蒸发台内的真空环境中进行，在对砷化镓进行蒸发金属处理后，利用蒸发台的衬底加热，进行第一次恒温合金；第二次合金在蒸发台外进行，在对砷化镓进行光刻处理后，进行第二次恒温合金。本发明通过二次合金，一方面增加了金属层与砷化镓本体的粘结力，另一方面使金属层与砷化镓本体的表面导电性能更加优良，不易产生任何影响导电性能的薄膜，从而消除了传统砷化镓LED的粘结性能和导电性能随时间增长而降低的缺陷，延长了砷化镓LED的寿命，间接地节约了使用成本，减少了电子垃圾产生量，有利于环保。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102437177A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110392125.X
申请日：2011-12-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/41 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种新型肖特基倒封装芯片，包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极，所述硅片正极和所述芯片正极连接，所述硅片负极和所述芯片负极连接，所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面；所述硅片正极位于所述硅片的表面上，所述硅片正极的旁边设置有凹槽，所述硅片负极位于所述凹槽内。本发明还公开了一种新型肖特基倒封装芯片的制造工艺，包括以下步骤：提供一原始外延硅片；对原始外延硅片进行氧化；一次光刻；P环扩散；二次光刻沟槽；一次腐蚀；三次光刻；二次腐蚀；溅射金属Pt、Ni；蒸发接触金属Ti、Ni、Ag；焊锡，封装，得成品。本发明新型肖特基倒封装芯片体积小、厚度薄、性能好。
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公开(公告)号：CN102437177B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110392125.X
申请日：2011-12-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/41 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种新型肖特基倒封装芯片，包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极，所述硅片正极和所述芯片正极连接，所述硅片负极和所述芯片负极连接，所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面；所述硅片正极位于所述硅片的表面上，所述硅片正极的旁边设置有凹槽，所述硅片负极位于所述凹槽内。本发明还公开了一种新型肖特基倒封装芯片的制造工艺，包括以下步骤：提供一原始外延硅片；对原始外延硅片进行氧化；一次光刻；P环扩散；二次光刻沟槽；一次腐蚀；三次光刻；二次腐蚀；溅射金属Pt、Ni；蒸发接触金属Ti、Ni、Ag；焊锡，封装，得成品。本发明新型肖特基倒封装芯片体积小、厚度薄、性能好。
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公开(公告)号：CN102496664A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110392123.0
申请日：2011-12-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种延长砷化镓LED寿命的合金方法，包括以下二次合金：第一次合金在蒸发台内的真空环境中进行，在对砷化镓进行蒸发金属处理后，利用蒸发台的衬底加热，进行第一次恒温合金；第二次合金在蒸发台外进行，在对砷化镓进行光刻处理后，进行第二次恒温合金。本发明通过二次合金，一方面增加了金属层与砷化镓本体的粘结力，另一方面使金属层与砷化镓本体的表面导电性能更加优良，不易产生任何影响导电性能的薄膜，从而消除了传统砷化镓LED的粘结性能和导电性能随时间增长而降低的缺陷，延长了砷化镓LED的寿命，间接地节约了使用成本，减少了电子垃圾产生量，有利于环保。
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公开(公告)号：CN202363463U
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201120491498.8
申请日：2011-12-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/41 , H01L29/872
Abstract: 本实用新型公开了一种新型肖特基倒封装芯片，包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极，所述硅片正极和所述芯片正极连接，所述硅片负极和所述芯片负极连接，所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面；所述硅片正极位于所述硅片的表面上，所述硅片正极的旁边设置有凹槽，所述硅片负极位于所述凹槽内。由于本实用新型将硅片正极和硅片负极设置于硅片的同一侧面，使整个产品的厚度大大降低；由于将硅片负极设置于凹槽内，并在硅片正极和硅片负极之间设置隔离沟槽，不但使整个产品的厚度进一步降低，而且使硅片正极和硅片负极之间的隔离性能更好，完全满足各种电路对正、负极之间隔离性能的高要求。
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公开(公告)号：CN202406037U
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201120491509.2
申请日：2011-12-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H02M7/00
Abstract: 本实用新型公开了一种新型贴片式无引脚整流桥，包括整流元件、封装体、输入端和输出端，所述输入端和所述输出端均为贴装于所述封装体表面边缘的金属片，所述输入端的外端和所述输出端的外端均不设置引脚；所述输入端和所述输出端的表面均外露于所述封装体的表面。由于没有引脚，且将输入端和输出端的表面外露于封装体的表面，所以本实用新型体积小、厚度薄，其外形尺寸可做到15mmX15mmX（1.2-1.4）mm，其中厚度为1.4mm，远薄于传统带脚和封装体全包围的整流桥（传统尺寸一般为17mmX22mmX(4-7)mm），所以本实用新型能适应现代电子集成的小体积要求，而且能节约材料成本、提高散热效果。
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