公开(公告)号：CN118809425A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410989967.0

申请日：2024-07-23

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 金太薰

IPC: B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  B24B53/017 ,  B24B37/08

Abstract: 本发明涉及一种具有定盘形状测定及清洁功能的研磨机及其控制方法，所属硅片加工设备技术领域，包括研磨机机架，所述的研磨机机架上设有研磨定盘，所述的研磨定盘一侧设有固定柱，所述的研磨定盘中心上端与固定柱间设有水平支架杆，所述的水平支架杆上设有沿着水平支架杆往复位移的传感器，所述的传感器与水平支架杆间设有驱动器，所述的传感器侧边设有与驱动器相连接固定的除残清洁组件。具有结构简单、操作便捷和运行稳定性好的优点。解决了研磨定盘残留物或是污染物会妨碍表面检测的问题。采用自动非接触式检测结构，通过测量和管理研磨定盘的平坦度、翘曲及变形量，改善和解决现有方案的问题或不足。

公开(公告)号：CN118769138A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411071079.7

申请日：2024-08-06

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 李君

IPC: B24B57/02 ,  B24B51/00 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明涉及一种抛光液供应缓冲装置及其控制方法，所属硅片加工设备技术领域，包括抛光机，所述的抛光机外侧设有与抛光机相连通的抛光液进液管Ⅰ，所述的抛光液进液管Ⅰ与抛光机间设有缓冲储液桶，所述的缓冲储液桶与抛光机间设有三通连接件，所述的三通连接件上设有与三通连接件相管路连通的抛光液进液管Ⅱ，所述的三通连接件与缓冲储液桶间、三通连接件与抛光机间均设有过渡连接管。具有结构紧凑和运行稳定性好的优点。解决了抛光液使用量增大出现供应不足的问题。采用缓冲结构实现抛光液流量增加，从而保障抛光工艺的正常工作。

公开(公告)号：CN118692899A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410745111.9

申请日：2024-06-11

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 孙若力 ,  叶邵凤 ,  邝梦杰

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及一种降低体金属的晶圆加工工艺方法，所属硅片加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：前加工工序，即加工至待抛光状态前涉及的晶圆加工工序。第二步：对晶圆进行双面抛光和边缘抛光。第三步：对经过抛光的晶圆进行洗净。第四步：进行RTP快速热退火工序，将晶圆快速进入较高温度，并短暂经历高温热处理过程，再快速降温。第五步：RTP快速热退火结束后先进行洗净，再对晶圆正面或正反两面都进行最终抛光。通过加热工艺，将晶圆体内快扩散金属富集与晶圆表面，结合清洗和最终抛光，完成去除晶圆表面的金属过程，实现降低体金属的效果。同时不增加晶圆表面粗糙度和颗粒数。

公开(公告)号：CN113921427B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202111174466.X

申请日：2021-10-09

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 叶绍凤

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种具有非接触式SiC舟改善体高效能的退火炉系统，属于退火炉技术领域，包括数据采集模块、数据处理模块、调控模块和监控平台；数据采集模块用于采集退火炉工作时的输送信息、运行信息和预热信息；输送信息包含输送冷风的流量数据和流速数据；运行信息包含监测区域的温度数据和气流数据；预热信息包含预热器的预热数据；数据处理模块用于对采集的输送信息、运行信息和预热信息分别进行预处理和计算，得到输送处理集、运行处理集和预热处理集；对输送处理集、运行处理集和预热处理集进行综合分析，得到运行匹配集；本发明用于解决现有方案中退火炉的运行效果不佳的技术问题。

公开(公告)号：CN118664410A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410899075.1

申请日：2024-07-05

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 张森阳

IPC: B24B1/00

Abstract: 本发明涉及一种去除硅片抛光表面蜡痕的工艺方法，所属硅片抛光加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将不二越的抛光线贴付模式选择Plate Pass模式，进入不加工硅片的模式。第二步：开始加工时，将12块陶瓷盘按正常加热，冷却，运输至粗抛前。第三步：进行粗抛。第四步：进行中抛。第五步：进行精抛。第六步：采用陶瓷盘药液毛刷进行刷洗，刷洗的温度为65℃，刷洗的时间为90S。第七步：准备48枚硅片用经过抛光处理的12块陶瓷盘进行4枚贴付加工，正常加工完进行洗净，测试平坦度。具有操作便捷、省时省力和效果好的优点。解决了残蜡导致的平坦度异常发生的问题。

公开(公告)号：CN118658776A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410675591.6

申请日：2024-05-28

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 焦芬芬

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种改善背封硅片背面晶点的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对硅片背面进行BSD加工，将含有SiO2的浆料通过压缩空气喷在硅片背面，在硅片背面产生背损伤，使之产生缺陷，进行外吸杂。第二步：完成BSD后进行SC1药液清洗，在SC1药液中以65℃温度下清洗5～10min。第三步：在65℃温度下，采用表面活性剂清洗5～10min。第四步：在常温下，采用HF溶液清洗5～10min。第五步：对硅片进行抛光，抛光时采用陶瓷盘，陶瓷盘不贴硅片进行空抛处理。具有操作便捷和运行稳定性好的优点。解决了背封硅片存在背面晶点的问题。采用陶瓷盘空抛处理，提高平坦度良率。

公开(公告)号：CN118588614A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410671054.4

申请日：2024-05-28

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 杨自立 ,  罗敏杰

IPC: H01L21/677

Abstract: 本发明涉及一种用于硅片变更片盒的使用工具及其控制方法，所属硅片加工设备技术领域，包括底座，所述的底座前后两端均设有若干对片盒定位卡槽，后端的片盒定位卡槽中间设有推送组件，所述的底座下端设有驱动推送组件前后位移的传送组件。所述的推送组件包括止位块，所述的止位块前端设有推板，所述的推板下端设有与止位块一体化的导向杆，所述的导向杆与推板相活动式限位卡嵌连接固定。具有结构简单紧凑和操作简便的优点。使硅片能够平稳的从现有片盒中转移中所需片盒之中，同时实现一次性完成多盒硅片的片盒变更。能够实现硅片正反面的变换，既提高了人工变更片盒的效率，也提高了硅片交换正反面的速度，降低了过程中带来的污染因素的引入。

公开(公告)号：CN118522634A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410491038.7

申请日：2024-04-23

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 薛轶

IPC: H01L21/304 ,  B08B1/12 ,  B24B1/00 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将装有硅片的片盒放置到上料位置，通过机械臂取硅片放置到加工台面进行研磨。第二步：硅片在台面上研磨后，采用刷子A对硅片进行清洁。第三步：采用刷子B清洁一次台面将硅屑清洁一遍。第四步：采用刷子C再清洁一次台面上的硅屑。第五步：通过检测仪器测试损伤硅片，间接的通过硅片厚度形貌图上的损伤点反映出台面上有异物存在并确定异物存在的位置。第六步：通过陶瓷刀片定点刮洗台面的方式清洁掉异物。具有操作便捷、运行稳定性好和效果好的优点。保证异常硅片能够及时检出防止异常硅片的流出，同时有效解决异常出现的原因。

公开(公告)号：CN118345511A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410401248.2

申请日：2024-04-03

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 郭建岳 ,  张沛

IPC: C30B33/02 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明涉及一种12寸退火片的制造方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用切克劳斯基法拉制单晶，用相对高拉速拉制晶棒，拉速＞0.5mm/min。第二步：拉制成型的单晶进行切片、研磨减薄、抛光和洗净的工艺生成硅片。第三步：抛光硅片进行退火处理，退火炉退火温度为1200℃，退火时间为1～3小时，退火氛围增加氢气和氩气混合气。第四步：硅片经过退火处理后，SIMS显示表层氧含量显著降低，结合颗粒测试仪SP7，激光扫描图像LST测试证明得到了表层洁净区。具有操作便捷和工艺稳定性好的特点。解决了近表层氧去除量不够干净和容易引起栅氧化层失效的问题。实现降低硅片表层氧含量，得到了表层洁净区，改善芯片制造过程中的GOI失效。

公开(公告)号：CN118081490A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410214359.2

申请日：2024-02-27

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 高威

IPC: B24B1/00 ,  B24B9/06 ,  B24B27/00 ,  B24B41/06 ,  B24B55/00 ,  B24B41/00

Abstract: 本发明涉及一种硅片边缘轮廓的加工方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将倒角砂轮垂直安装到倒角机架上。第二步：启动倒角砂轮，机械臂通过吸盘对待倒角的硅片进行取片。第三步：吸附起硅片后进行厚度和晶向测量。第四步：将硅片以垂直状态靠近粗磨砂轮进行粗加工倒角。第五步：完成粗加工倒角后再次对硅片进行厚度和晶向测量。第六步：将硅片以垂直状态靠近精磨砂轮进行精加工倒角。具有结构紧凑、稳定性好和效率高的优点，解决了加工效率低和质量稳定性差的问题。将倒角砂轮和硅片传递加工方向变更为垂直状态，并使用承载吸附机械臂结构，有效提升加工效率。