公开(公告)号：CN101436587B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810173487.8

申请日：2008-11-14

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野吕聪 ,  渡边智文

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  G03B5/00

CPC classification number: H04N5/2253 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体模块，具有多个半导体元件。在与第1半导体元件并排的第2半导体元件，设置有用于输出大电流的电流输出用电极。电流输出用电极通过金属丝等焊接线与第1布线层上设置的基板电极电连接。焊接线横断与第1半导体元件的边(F1)相对的边(E1)以外的边、即边(E2)。此外，电流输出用电极沿着边(E2)来设置。由此，抑制流经一个半导体元件的焊接线的信号成为其他半导体元件的噪声，提高半导体模块的工作可靠性。

公开(公告)号：CN101359920B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810135415.4

申请日：2008-08-01

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小林启二

IPC: H04B1/10 ,  H04B1/16 ,  H04H40/45

CPC classification number: H04B1/109 ,  H04B1/1027 ,  H04B1/1081 ,  H04B1/1661 ,  H04B2001/1045

Abstract: 本发明提供一种FM调谐器，在该FM调谐器中，能够抑制电路规模的扩大，并且在检测相邻干扰的同时检测多路径接收状态。控制输入生成电路(106)根据与接收电场强度相应的信号SM-DC和与多路径噪声成分相应的信号SMP，生成用于控制立体声分离度的信号SSC。多路径噪声提取电路(104)从S测量电路(92)的变动成分信号SM-AC中提取并生成SMP。将用于控制该立体声分离度的多路径噪声提取电路(104)作为检测多路径接收状态的电路的一部分共用，多路径接收检测部(108)对多路径噪声提取电路(104)生成的SMP的电压电平进行阈值判断，检测是否为多路径接收状态。

公开(公告)号：CN101847067B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010001439.8

申请日：2010-01-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小林一行 ,  铃木达也 ,  深井久美子 ,  金田安弘

IPC: G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F3/0416

Abstract: 本发明提供一种可使杂讯耐性提升且可进行线性检测的静电电容方式的触控面板的信号处理装置。本发明的触控面板的信号处理装置中，触控面板是在基板(11)上配置有激发垫(12)、及中间介置有该激发垫(12)的第1触控垫(13)与第2触控垫(14)。另一方面，在感测器IC侧中，设置有隔介配线(15)对激发垫(12)施加交流电压的交流电源(16)。再者，设置有电荷放大器(17)，在该电荷放大器(17)的非反相输入端子(+)隔介配线(18)连接有第1触控垫(13)，在电荷放大器(17)的反相输入端子(-)隔介配线(19)连接有第2触控垫(14)。

公开(公告)号：CN101676830B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200910171882.7

申请日：2009-09-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 山本竜司 ,  大高信行

IPC: G05F1/56

CPC classification number: H02M3/156

Abstract: 本发明提供一种在失去了外置电阻元件的电连接的情况下也防止对外部负载施加过电压的半导体电路。半导体电路具备：第一端子部，其用于连接到两个外部电阻的连接点；第二端子部，其用于连接到外部电路；电压电路部，其一端与第二端子部相连接；基准电压电路部，其输出规定的电压；运算放大器，其一侧输入端子与基准电压电路部相连接，另一侧输入端子与第一端子部相连接，输出端子与电压电路部的另一端相连接；异常检测电路，其检测第一端子部的异常电压；正常信号生成部，其生成正常信号；以及切换电路，其在异常检测电路检测出异常电压时，向第二端子部输出基于正常信号的正常电压而不输出基于第一端子部的电压。

公开(公告)号：CN101546985B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200910128257.4

申请日：2009-03-24

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小野寺荣男

IPC: H03F3/187 ,  H03F1/30 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8248

CPC classification number: H03F3/1855

Abstract: 本发明提供一种放大元件及其制造方法。为了进行ECM的阻抗变换及放大，使用放大集成电路元件或J-FET。放大集成电路元件可以根据电路常数来适当选择增益(Gain：增益)，通常与使用J-FET的情况相比具有增益高的优点，但也存在电路结构复杂且成本高的问题。另一方面，在仅使用J-FET时，存在输出不能充分放大、增益低的问题。本发明提供一种分立元件，该分立元件将J-FET和双极性晶体管集成在一个芯片上，J-FET的源极区域和双极性晶体管的基极区域连接，J-FET的漏极区域和双极性晶体管的集电极区域连接。由此，可以实现高输入阻抗且低输出阻抗的ECM用放大元件。

公开(公告)号：CN101442041B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200810178113.5

申请日：2008-11-19

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 渡边智文 ,  野吕聪 ,  横尾聪

IPC: H04N5/232 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H04N5/23248 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H04N5/23287 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种共同装载了具有模拟电路的驱动芯片(20)和具有数字电路的逻辑芯片(30)的多芯片封装的半导体装置；驱动芯片具有生成逻辑芯片专用的逻辑芯片电源的逻辑芯片用电源电路(40)。逻辑芯片(30)，具有通过电源输入端子接受来自所述逻辑芯片用电源电路的电流供给而工作的内部逻辑电路。由此有效地提供一种MCP的具有数字电路的逻辑芯片工作电源。

公开(公告)号：CN101409528B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810210309.8

申请日：2008-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 原岛崇 ,  扇野广一郎

IPC: H02P29/00

Abstract: 本发明的马达速度控制电路具备：电压产生电路，其输出与马达的目标转速相应的基准电压和与上述马达的转速相应的速度电压，并且使上述基准电压和上述速度电压中的某一个电压根据温度进行变化；比较电路，其比较上述速度电压和上述基准电压；以及驱动电路，其根据上述比较电路的比较结果驱动上述马达，使得上述速度电压的电压电平与上述基准电压的电压电平一致。

公开(公告)号：CN101799732B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201010116548.4

申请日：2010-01-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 近藤英雄

IPC: G06F1/04

CPC classification number: G06F1/324 ,  G06F1/32 ,  H03B5/364 ,  H03B2200/0012 ,  H03B2200/0046 ,  H03B2200/0062 ,  Y02D10/126

Abstract: 本发明公开了一种电子电路，依据本发明的电子电路，因应电子电路(例如，微电脑)的动作模式而针对低频的振荡器设定适当的电源阻抗，藉此，既能够防止所述振荡器的误动作，也能够适当地降低消耗电力。在本发明的电子电路中，设置高速振荡器(11)、中速振荡器(12)、低速振荡器(13)作为系统时钟信号的时钟信号源。此外，设置产生时钟用时钟信号的石英晶体振荡器(30)。并且，在高速振荡器(11)动作时将石英晶体振荡器(30)的电源阻抗降低而提高耐噪声性。另一方面，在高速振荡器(11)、中速振荡器(12)、低速振荡器(13)皆停止而在待机状态时将石英晶体振荡器(30)的电源阻抗提高而降低消耗电力。

公开(公告)号：CN101584098B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780043836.8

申请日：2007-11-29

Applicant: 明日香电子株式会社 ,  三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 高石好 ,  野原一伦

IPC: H02J17/00 ,  H04B5/02 ,  H02J7/00

CPC classification number: G06K19/0723 ,  G06K7/0008 ,  G06K19/07777

Abstract: 本发明提供一种无接点传送装置，即使当电磁波或浪涌等干扰侵入时也能够稳定地动作。该无接点传送装置(100)的构成为包括：监视用时钟振荡器(112)，输出频率比系统时钟(CK0)低的监视用时钟(LF0)；控制电路(108)；存储器(114)，存储控制电路(108)所利用的信息(D)；以及复位电路(116)。控制电路(108)的构成为包括存储从存储器(114)读取的信息(D)的内部存储电路。控制电路(108)将存储在内部存储电路内的信息(D)以基于监视用时钟(LF0)的更新周期，从存储器(114)读取并进行更新。此外，控制电路(108)以比上述更新周期长的且基于监视用时钟(LF0)的复位周期进行复位，每次复位都将存储在所述内部存储电路内的信息(D)从存储器(114)读取并进行更新。

公开(公告)号：CN101807599B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010121457.X

申请日：2010-02-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 大竹诚治

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7821

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，因寄生Tr的导通电流在半导体层表面流动而存在元件受到热破坏的问题。在本发明的半导体装置中，在作为漏极区域的N型扩散层(9)，形成P型扩散层(14)及作为漏极导出区域的N型扩散层(10)。而且，P型扩散层(14)配置于MOS晶体管(1)的源极-漏极区域之间。根据该结构，对漏极电极(28)施加正的ESD浪涌，即便在寄生Tr1的导通电流(I1)流动的情况下，因寄生Tr1的导通电流(I1)的电流路径处于外延层深部侧，故也可防止MOS晶体管(1)受到热破坏。