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公开(公告)号：CN112951915B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110108176.9
申请日：2021-01-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法，在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案，可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量；同时使器件内的电流密度大幅降低，从而降低因电流热效应而产生的热量，使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN108304666B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810136598.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 基于杂化泛函计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法，本发明涉及计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法。本发明目的是为了解决现有基于杂化泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题。过程为：得到β‑Ga2O3的晶格参数和禁带宽度；得到β‑Ga2O3能量最低点的晶格参数和禁带宽度；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；计算含有缺陷的β‑Ga2O3的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。本发明用于计算β‑Ga2O3电荷转移的领域。
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公开(公告)号：CN108345748B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810139234.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 一种发光二极管的在轨性能退化预测方法，属于器件在轨性能退化预测领域，解决了现有发光二极管的在轨性能退化预测方法不具备普适性的问题。所述方法包括通过对发光二极管进行地面辐照试验，获得具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线的步骤、根据预定航天器轨道和航天器设计在轨寿命，确定发光二极管的在轨位移吸收剂量的步骤和根据具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线以及发光二极管的在轨位移吸收剂量，获得发光二极管的在轨性能退化数据的步骤。本发明所述发光二极管的在轨性能退化预测方法特别适用于对发光二极管进行在轨性能退化预测。
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公开(公告)号：CN108363864B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810134768.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种研究电离缺陷和位移缺陷直接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构利用不同类型的辐射粒子，从而实现电离和位移缺陷直接交互作用的研究。方法：制备MIM结构或者MSM结构，绝缘体或半导体的厚度为a1，导体的厚度为a2，其中，a2≥10a1；计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3 5，产生稳定的电离缺陷；本发明的试验方法，步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低试验的费用，对材料和器件空间环境效应地面模拟试验和研究具有重大的意义。
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公开(公告)号：CN111863625A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735167.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/423 , H01L21/425 , H01L21/428 , H01L21/477
Abstract: 本发明提供了一种单一材料PN异质结及其设计方法，涉及PN异质结材料设计技术领域，包括：将一种二维过渡金属硫化物中的部分原子替换成替代原子，二维过渡金属硫化物具有单一N型半导体性质或单一P型半导体性质；通过原子替换形成缺陷型二维过渡金属硫化物，所述缺陷型二维过渡金属硫化物的半导体性质发生转变，适于与未进行原子替换的二维过渡金属硫化物形成PN异质结。本发明通过替代原子的引入使得本征半导体二维材料出现晶格缺陷，引入了缺陷能级，将同一种材料通过原子替换形成具备P型半导体性质与N型半导体性质两种同晶格材料，并从能带分布中判断体系的多数载流子，为实现单一材料PN异质结提供了理论依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111863607A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735238.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L21/331 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述抗辐射功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上形成基区；向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过向基区内多次注入第一杂质粒子，在基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度差的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，降低其被复合掉的几率，有效地减缓了辐射环境下复合电流的增加，减少基区损伤区域，从而提升晶体管的抗辐射能力，达到减缓晶体管辐射损伤的目的，同时又能够保证晶体管本身的性能。
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公开(公告)号：CN111856237A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735729.9
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种深能级瞬态谱测试方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：对半导体材料施加连续的脉冲同步信号；获取所述半导体材料的瞬态电容变化波形；根据所述瞬态电容变化波形进行多次指数拟合，确定所述半导体材料的指数深能级瞬态谱。本发明相对于率窗等抽样算法、傅里叶等统计算法，直接采用波形数据进行计算，而非估算的结果，可靠性更强，同时利用指数拟合的方法，还原瞬态电容变化波形的特征，寻找最优拟合结果，测试结果更为准确。
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公开(公告)号：CN111856164A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735718.0
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明提供了一种提取电子器件氧化层中正电荷的方法，包括以下步骤：S100、选择P型半导体材料制备成衬底；S200、在衬底上制备N型外延层；S300、在外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；S400、在外延层上生长氧化层；S500、对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；S600、将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置，检测栅极处的空穴电流；S700、在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态。本发明基于MOS场效应管制备工艺，在N型半导体材料衬底上形成正电荷测试结构，并通过调置不同电极之间的电压，快速检测正电荷状态，达到高效高灵敏度检测氧化层中正电荷的目的。
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公开(公告)号：CN111855705A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735200.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、选择半导体材料制备成衬底；S200、在所述衬底的上表面制备背面电极；S300、在所述背面电极上生长氧化物层；S400、对所述氧化物层的一边进行刻蚀，刻蚀部位漏出所述背面电极；S500、在所述氧化物层的上表面制备正面电极；S600、在所述正面电极上开设多个沟槽，所述多个沟槽呈网格状分布，制得测试样品；S700、对所述测试样品开展辐照试验，检测辐射诱导缺陷。通过本发明的检测方法，可以在氧化物层制备特定的缺陷检测结构，实现电子和空穴快速鉴定与检测，达到高效高灵敏度检测与判定氧化物层中辐射诱导缺陷的目的。
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公开(公告)号：CN111855704A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735183.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据深能级瞬态谱中的信号峰位置，判定缺陷是否为电离缺陷；根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级，判定缺陷类型为氧化俘获电荷或界面态；根据缺陷信号类型的判断结果，判定双极晶体管的电离损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管辐射损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
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