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公开(公告)号：CN104556060A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410854330.7
申请日：2014-12-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/141 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及CMP技术抛光领域，特别是涉及一种线形二氧化硅溶胶及其制备方法。本发明提供一种线状二氧化硅溶胶，包括液体介质和溶胶颗粒，所述溶胶颗粒为线状二氧化硅颗粒。本产品的有益效果是：通过特选的酸性溶液与处理方法，形成线状二氧化硅溶胶。由于二氧化硅胶体颗粒为线状，其在芯片上的拖曳面积比单一球状的粒子要显著增大，故而能够提高抛光速率。同时，由于线状二氧化硅颗粒自身有一定的柔软度，对芯片的损伤也较煅烧二氧化硅较小。使用本发明的线状纳米二氧化硅颗粒作为CMP研磨颗粒，能有效提高抛光速率与降低表面损伤。
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公开(公告)号：CN103497688B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310462116.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种相变材料化学机械抛光方法。本发明提供一种相变材料化学机械抛光方法，包括如下步骤：1）提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一电介质层，在所述第一电介质层形成底部电极，再在第一电介质层和底部电极上方覆盖第二电介质层；2）所述第二电介质层经过光刻和刻蚀工艺，形成柱形开孔，使底部电极暴露；3）在所述柱形开孔中填充相变材料，并将柱形开孔填满；4）利用化学机械抛光工艺去除柱形开孔外的相变材料；5）在第二电介质层上生长一层第三电介质层；6）利用化学机械抛光去除第三电介质层；本发明所提供的相变材料化学机械抛光方法可以减少相变材料和电介质的高度差，即减少碟形坑。
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公开(公告)号：CN104241527A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410522199.4
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V-Sb-Te相变材料体系为在Sb-Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100-x-ySbxTey，其中，0.5≤x/y≤4，且50≤x+y≤99.99。本发明的V-Sb-Te相变材料体系具有相变速度快和操作功耗低，并有较佳的数据保持力和相稳定性，可以极大地拓展Sb-Te相变材料体系的应用范围。同时，V元素可以极大地减小Sb-Te材料体系的晶粒尺寸，使得材料有更好的可微缩性能，这也减小了材料相变前后的体积变化率，提高了材料的抗疲劳特性。另外，V元素与Sb-Te材料体系有较好的相容性，整个材料表现为均一相。
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公开(公告)号：CN104077084A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410350026.9
申请日：2014-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种分布式随机访问文件系统及其访问控制方法，其中，所述分布式随机访问文件系统至少包括：进程管理模块，用于在用户请求打开、关闭和读/写被访问文件时，管理进程对所述被访问文件的打开、关闭和读/写操作；查询判断模块，用于查询所述映射表，并判断所述被访问文件数据的逻辑地址与其所在的物理地址间是否存在映射关系；寻址访问模块，用于根据所述被访问文件数据的逻辑地址寻址到所述被访问文件数据的物理地址。本发明充分发挥了新型非易失存储器随机访问的优势，提高了文件的读写访问速度，节省了有限的DRAM资源，从而提高系统I/O性能，实现进程对文件数据的快速访问。
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公开(公告)号：CN103898474A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210579396.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：1）在基底上引入SbCl3脉冲，清洗未被吸收的SbCl3，然后引入(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）引入H2与Si2H6混合脉冲，清洗残余的H2与Si2H6，然后引入WF6脉冲，清洗残余WF6和反应副产物；3）引入SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物；4）重复上述步骤1）~2），或步骤1）~3），形成循环周期。基于本方法可制备出相应的相变存储单元。采用本发明方法制备的钨-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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公开(公告)号：CN103896321A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587502.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及化学工程领域，具体涉及一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用。本发明的氧化铈复合颗粒的制备方法为：将无机颗粒分散液与有机连接剂混合后，加入铈盐与沉淀剂，搅拌均匀得到混合分散液；将前一步骤制备的分散液转移至密闭高压反应釜中，加热进行反应，获得反应产物；反应产物离心，取沉淀物多次水洗，即得到氧化铈复合颗粒。本发明通过有机连接剂结合无机颗粒内核和氧化铈纳米颗粒，形成复合颗粒，通过高温水热促成氧化铈良好的结晶性。
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公开(公告)号：CN103855301A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210517155.3
申请日：2012-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多级电阻转换存储单元及存储器。其中，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变化的材料，优选为锑碲合金。该多级电阻转换存储单元可应用于电编程的电阻转换存储器等领域，由于其电阻值具有随温度变化而出现多级电阻值的特性，从而可以应用到多级电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的多级存储功能。
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公开(公告)号：CN102610753B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210093595.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法，通过特殊方法将单层石墨烯转移到硅片衬底上制作成石墨烯电极对，并在电极对上制备相变材料，再经制备接触电极和测试电极后完成器件的制作，本发明提出了一种新的电极材料，即石墨烯纳米材料，由于石墨烯为单层碳原子结构，故与相变材料接触时有效接触面积将比目前光刻技术可以达到的极限尺寸小的多，从而达到了充分降低器件操作电流以及功耗的目的。
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公开(公告)号：CN103531710A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310500580.6
申请日：2013-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变存储单元的操作速度，降低相变存储单元的操作功耗；其特征在于采用微纳加工技术（如聚焦离子束，FIB）去除一部分与加热电极相接触的相变材料层。本发明缩小了相变材料层的体积，使其与加热电极的接触面积极大的减小，三维纳米尺度得存储单元制备得以实现，使存储性能实现高速低功耗。在三维存储单元实现稳定工艺与稳定性能的基础上，在一个相同的底电极上进一步制备出4个及4个以上同等尺寸的存储单元，研究40纳米以下技术节点的高密度存储特性的串扰与存储特性，本发明可直接用于指导工程化相变存储芯片的设计、工艺、测试等，是研发与工程化联系的桥梁。
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公开(公告)号：CN103530690A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310533049.9
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06N3/08
Abstract: 本发明提供一种神经元器件及神经网络，所述神经元器件包括：下加热电极；相变材料；上电极；以及周围介质材料；其中，所述神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态，而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。该神经元器件由正常态转变为兴奋态只需要几十个纳米的时间，在由兴奋态转化为正常态只需要很小的能量消耗。同时该神经元器件具有对刺激脉冲的幅度、宽度及个数的综合响应，提供权重部分和运算部分的功能。该神经元器件结构简单，与CMOS工艺兼容，便于大量集成。所述神经网络由包含多个神经元器件的阶层神经元阵列组成，可实现信息的多通道传输与存储，而且具有学习功能，将来有望在认知计算机等领域得到应用。
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