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公开(公告)号：CN102437025A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110393297.9
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 消除PMOS器件中负偏压温度不稳定性影响的方法，采用如下步骤，1)降低环境温度，使得PMOS器件工作在低温的-30±5℃环境下，而PMOS器件本身正常工作，这种环境抑制了NBTI现象；2)对于低温下阈值电压漂移，通过直接对PMOS器件栅端加零偏压或正偏压，源、漏、衬底处于零偏压，环境条件仍为上述低温条件下，施加上述电压的时间为1-5min，器件阈值电压会很快恢复。本发明所述的通过低温减少NBTI现象并使得其能完全恢复的过程，不需要改变器件工艺，不会对其性能造成影响。不需要改变电路设计。能消除NBTI过程中除阈值电压漂移外的亚阈值斜率(St)的改变和载流子迁移率的降低。
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公开(公告)号：CN102298971A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110250842.9
申请日：2011-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存储单元的阈值电压调整到预定值-2V～-1V，以这个预定值为多值存储的初始状态，对局部俘获存储单元进行多值存储的编程操作；3）通过改变栅极或漏极的编程电压，或者改变栅极或漏极编程时间，实现8种以上的编程状态。本发明有高的存储密度：多值存储单元总的编程窗口大。每个编程状态允许的阈值电压分布宽。不同编程状态所对应的阈值电压分布不会出现交叠及良好的编程/擦除的耐受力和保持性。
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公开(公告)号：CN101719971B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910234266.1
申请日：2009-11-18
Applicant: 南京大学
IPC: H04N1/387 , H04N1/393 , H01L31/113
Abstract: 光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
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公开(公告)号：CN101533845A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910030729.2
申请日：2009-04-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/113 , H01L29/788 , H01L29/423 , H01L31/18 , H01L21/336
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 双控制栅MOSFET探测器，探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区，分别构成MOSFET的源区(2)和漏区(3)，源、漏区的外部设有重掺杂的P型半导体区(4)包围，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层，所述光电子存储层是多晶硅；控制栅极是多晶硅、金属或透明导电电极；所述控制栅为分裂栅，设计为一个小控制栅和一个大控制栅；探测器单元的层次从上往下依次是控制栅、第二层绝缘介质层、浮置栅、第一层绝缘介质层和P型半导体衬底(1)；从控制栅往下到基底层设为对探测器探测光波透明的或半透明的窗口。
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公开(公告)号：CN114050819B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202111323586.1
申请日：2021-11-10
Applicant: 南京大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高性能小尺寸C单元。该C单元包括PMOS上拉门、NMOS下拉门、驱动门以及反馈门；驱动门和反馈门组成一个存储器把信号锁起来，进而保存数据；两个PMOS构成上拉门，两个NMOS构成下拉门，六个MOSFET构成驱动门和反馈门，整个构成存储器。本发明的C单元电路可以在一个电路中实现两个输入同为高电平的时候输出高电平，两个输入同时为低电平的时候输出低电平，其余状态都保持不变。相较于传统的C单元逻辑电路，本发明的电路在功耗、性能、面积、兼容性上更占据优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114719969B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202110007424.0
申请日：2021-01-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于时间编码的高速单光子探测成像方法。该方法的步骤为：首先标定单个单光子雪崩二极管SPAD的光子探测效率和偏置电压之间的关系曲线；然后发射脉冲激光到场景，利用由多个SPAD组成的阵列来采集从场景返回的光，通过调制SPAD上的偏置电压，实现对光子探测效率的调制，即为SPAD成像探测引入时间编码；通过对SPAD进行不同的时间编码，采集得到不同的总探测光子数；最后基于梯度下降算法的最小二乘重建，对不同时刻返回光强的计算重建。本发明是一种间接的光子时域信息采集方法，避免了由于时间关联单光子计数成像存在的光自堆叠现象，可以实现对环境噪声和散射鲁棒的单光子高速成像。
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公开(公告)号：CN119277224A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411431540.5
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京大学
IPC: H04N25/78 , H04N25/571
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅光敏探测器的并串转换电路，属于集成电路领域。所述并串转换电路包括复合介质栅光敏探测器像素、斜坡发生器、钳位电路、开关S1、预充电电路、比较器、计数器、8‑256译码器、一个第一与门和256个第二与门、一个256输入或门；该并串转换电路将所有数字电路部分转化为模拟电路，从而降低了电路设计复杂度，缩短电路仿真与版图设计迭代周期，有效地降低了芯片的功耗与面积，有利于后续小型化系统的设计。
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公开(公告)号：CN119277219A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411344100.6
申请日：2024-09-25
Applicant: 南京大学
IPC: H04N25/68 , H04N25/768 , H04N25/773
Abstract: 一种时间延迟积分SPAD阵列的坏点检测、屏蔽与恢复方法，包括如下步骤：步骤一：对工作在检测模式下时间延迟积分SPAD阵列中每个像素在一个曝光周期内的计数值进行检测；步骤二：依次输出所有光子的计数值并依据计数值检测结果判断当前像素是否为坏点并记录坏点位置，由坏点位置得到屏蔽矩阵，并依据屏蔽矩阵实现对坏点像素的屏蔽；步骤三：当SPAD阵列工作于TDI模式时最后一级像素完成曝光后输出光子计数值，依据该计数值所在屏蔽矩阵行中屏蔽像素数完成计数值恢复。本发明将SPAD像素坏点屏蔽技术与时间延迟积分SPAD阵列相结合，通过屏蔽技术与恢复技术的共用有效降低了SPAD阵列中某级坏点像素对整级光子计数值的影响，极大地提高了SPAD阵列的有效性和稳定性。
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公开(公告)号：CN115799379B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202211645057.8
申请日：2022-12-21
Applicant: 南京大学
IPC: H10F30/282 , H10F30/28
Abstract: 本发明公开了一种多栅的复合介质栅光敏探测器及工作方法。其光敏探测器包括形成在同一衬底上的感光晶体管和读取晶体管，感光晶体管和读取晶体管共用一个复合介质栅，复合介质栅包括第一底层介质层、电荷耦合层、顶层介质层和控制栅，读取晶体管设有源端和漏端，读取晶体管的衬底上还依次设有第二底层介质层和选择栅，第二底层介质层和选择栅与复合介质栅为独立的两部分。本发明光敏探测器的读出方式包括通过在线性区读电流的方式或者通过源跟随读电压的方式。本发明基于多栅结构的复合介质栅光敏探测器为传统的复合介质栅光敏探测器提供了降低噪声和多种读出方式和工作模式的选择，为复合介质栅光敏探测器在成像应用上提供了更多的选择和功能。
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公开(公告)号：CN118574028B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411028491.0
申请日：2024-07-30
Applicant: 南京大学
IPC: H04N25/70
Abstract: 本发明公开了一种复合介质栅光敏探测器的读出方法，属于集成电路领域。所述方法在复合介质栅光敏探测器的读出晶体管的源端连接一个电流源，通过对光敏探测器读取晶体管的栅端和漏端所加电压的控制使复合介质栅光敏探测器的读出晶体管在读取时工作在饱和区，实现源跟随器的功能，相比于典型的扫斜坡读出方法，该方法可以在数个时钟周期内完成从曝光到读取状态的转变，且不同于扫斜坡需要数百个时钟周期读取信号，该方法读取过程仅需要数个时钟周期，可以提供更快的读出速度，从而使得在读出过程中的双采样的时间间隔更小，有利于消除噪声；整个阵列的读出时间更短，有利于提高帧率。
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