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公开(公告)号：CN1912747A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610030768.9
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电子束曝光中套刻工艺的实现方法，属于微电子领域。其特征在于将套刻标志放置于曝光图形的中央，而后利用电镜放大倍数的缩放来实现套刻。传统的套刻技术是将对准标记和图形结构的位置独立开来，但是这需要较为昂贵的定位工件台来支持。针对现在实验电子束曝光的设备(主要是扫描电子显微镜外配图形发生器)。本发明提出了一种不需要定位工件台来实现套刻的方法，其套准精度小于μm，可以满足亚微米及纳米器件制备的工艺要求。
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公开(公告)号：CN1845339A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610024614.9
申请日：2006-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明是一种相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法。其特征在于用相变材料替代场效应晶体管中的半导体材料硅，利用相变材料的电致相变特性和半导体特性，同时在一个器件中实现场效应晶体管特性和存储功能。同时，本发明还包括该种新型器件的制作方法：直接利用氧化硅片作为衬底(栅极)/绝缘层的结构，再在该衬底上方制备源、漏电极，通过剥离沉积的相变材料薄膜形成简单的相变薄膜场效应晶体管单元器件。该方法制备工艺极其简单，成本低廉，有利于提高生产效率，降低成本，从而推动相变薄膜场效应晶体管的实际应用。
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公开(公告)号：CN1832050A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610023827.X
申请日：2006-02-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电学测量过程中实现探针针尖与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法，其特征在于将测试探针和待测样品串联到一外围直流电路中，缓慢调节探针升降旋钮，先粗调后细调，当探针针尖和样品表面接触时，外围直流电路导通，串接在直流回路中的报警器报警，表明针尖与样品已经接触上，可以进行样品的电学性能测量；具有有效地保护样品，避免纳米电极和相变材料被针尖划伤甚至扎穿，造成上、下电极短路；可以保护针尖本身，避免压力过大使针尖翘曲、变形，甚至断裂；可以实现低温、高温或其它环境下探针与电极的可靠接触。
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公开(公告)号：CN1825649A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610023390.X
申请日：2006-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料，通式为GexWyN1－x－y、GexTiyN1－x－y、GexWyO1－x－y、GexTiyO1－x－y等材料中的一种，式中的x和y是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤1；0≤y＜1；0＜x+y≤1；所述的相变存储器加热电极材料制备所采用的工艺为溅射法、蒸发法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机物热分解法或激光辅助沉积法中任意一种；与传统的相变存储器电极材料W、TiN、TiON和等TiAlN相比，Ge基加热电极材料具有与相变材料黏附性好、电阻高等优点，可提高器件的加热效率，降低器件的功耗。
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公开(公告)号：CN1271423C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410018081.4
申请日：2004-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种一维紫外到可见光波段光子晶体的材料及制备方法，属于光电子技术领域。其特征在于以石英作衬底，利用超高真空电子束蒸发在石英衬底上交替生长SiO2、TiO2薄膜，各5～10层，设计SiO2薄膜厚度10nm～96nm，TiO2薄膜厚度10nm～96nm，从而制备出一维紫外到可见光波段光子晶体材料。超高真空电子束蒸发时的真空度10-6-10-8乇。本方法相对于分子束外延(MBE)等方法工艺简单，成本较低，并且生长速度快，实验证明光子带隙清晰，为光子晶体材料在器件上的应用提供了比较快捷的制备工艺，同时为制备更高维数的紫外到可见光波段光子晶体打下基础。本发明可以用于研发微电子光刻工艺的下两代光源，即90nm和75nm光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1801501A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510110783.X
申请日：2005-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器单元的方法，具体包括硫系化合物纳米材料的制备方法及其用于制备相变存储器器件单元的方法。通过采用在一维绝缘的纳米材料表面覆盖一层硫系化合物薄膜，制备出硫系化合物纳米材料，进而再采用纳米加工技术，把硫系化合物纳米材料与相变存储器器件单元的电极集成在一起，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于纳米结构材料的制备工艺比较成熟且尺寸可以很小，很容易制备出小尺寸的硫系化合物纳米材料。把硫系化合物纳米材料应用到相变存储器器件单元，利用硫系化合物纳米材料截面积可以很小的特征，大大增加电流密度，提高硫系化合物有效相变区域的热效率，降低操作电流，减小功耗。
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公开(公告)号：CN1667856A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510025008.4
申请日：2005-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/131 , H01M4/485
Abstract: 本发明涉及一种高容量锂离子电池阳极材料及制备方法。所述的SnO2纳米线是采用热蒸发技术，以金属锡作为蒸发源，在温度和气氛可控的石英管式炉中，通入流量为3－5L/h的氮气，快速的制备出大量氧化锡纳米线作为阳极材料或经与乙炔黑，按比例混合后，加溶剂，以流延工艺制成片状，作为阳极材料，组装成电池后，测定其循环充、放电特性，结果表明：电池既保持了高电压、循环寿命长、安全性能好等优点，又具有超高容量的显著特性。此技术能够实现大批量，低成本，超高速充放电过程。特别实用于大功率器件的应用，同时在便携式电子产品、电动汽车、空间技术、国防工业等多方面有广阔的应用前景和潜在的巨大经济效益。
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公开(公告)号：CN1616572A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410066674.8
申请日：2004-09-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1－x－y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1－x－y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1－x－y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。
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公开(公告)号：CN1603795A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410067985.6
申请日：2004-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种无损检测III－V族化合物半导体InP与GaAs基材料的直接键合结构质量的方法。对InP－GaAs直接键合结构减薄为100－250μm，进行红外吸收光谱特性的二维扫描探测发现，某些区域在波长3.51μm附近出现吸收峰，表明该区域出现了类似InAs微结构物质的中间层，而吸收谱上3.51μm附近不出现吸收峰的区域则不存在中间层，利用该波长位置是否出现吸收峰可区分键合较好与较差的界面结构区域；作出其吸收强度等值线图可得到整个键合界面质量均匀性的分布图，为键合装置及键合条件的改进提供了方向；此外，描绘其它吸收波段(1.0μm～4.0μm)如器件工作波长处的强度等值线图可以描述键合界面引起该波段光损耗的分布情况，从而为器件研制提供重要信息。
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公开(公告)号：CN1599068A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410053752.0
申请日：2004-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的器件单元，器件单元中的发生相变区域的尺寸大约在2到200nm范围内，多个器件单元重复排列就构成了微、纳电子存储器器件。这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的集成度，实现存储器向纳电子器件的方向转变。
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