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公开(公告)号：CN103489478B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201210193028.2
申请日：2012-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器，特别指利用具有阈值电压开关特性（OTS）的薄膜作为选通开关的相变存储器件，该具有OTS特性的薄膜作为相变存储器中的选通开关能阻挡对未选中相变存储单元无意操作，起到与其他选通开关相同的作用，例如场效应晶体管和二极管等。利用OTS特性的薄膜作为存储器中的选通开关能有效减少选通开关的制备的工艺步骤，减小选通开关的尺寸。所以利用具有OTS特性的薄膜作为选通开关的相变存储器件在降低成本和提高存储密度方面具有更大的优势。
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公开(公告)号：CN104616690B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410837990.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法，其中，所述基于二极管选通的相变存储器读出电路至少包括：偏置电路，用于提供恒定电流，以产生偏置电压；读电流限流电路，用于根据所述偏置电压对流过需要读数据位上的相变存储单元的读电流进行限流；基准电流限流电路，用于提供基准电流，并根据所述偏置电压对所述基准电流进行限流；比较电路，用于将限流后的读电流和限流后的基准电流进行比较，并根据比较结果读取所述需要读数据位上的相变存储单元所存储的数据。本发明的基于二极管选通的相变存储器读出电路，能够适应相变存储器制备工艺中的偏差，使相变存储器具有良好的产品一致性，同时减小了数据读取难度和读错概率。
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公开(公告)号：CN108110026A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711385751.X
申请日：2017-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述Ge‑Te‑Al‑As材料的化学通式为(GexTe100‑x)100‑z(Al100‑yAsy)z，其中10≤x≤30，50≤y≤90，0≤z≤30。本发明提供的基于Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料的阈值开关器件单元，在外部能量的作用下，能够实现高电阻态到低电阻态的瞬时转变；撤去外部能量时，能够立即由低电阻态向高电阻态转变。并且，本发明的阈值开关器件单元具有阈值电压低、开关比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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公开(公告)号：CN107864215A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711164098.4
申请日：2017-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种对等网络文件系统、访问控制/管理方法/系统、及终端，所述访问控制方法包括：访问所述访问端节点下文件目录，并判断所述访问端节点与其指定的共享端节点之间是否已建立数据访问处理连接；若否，则动态配置与共享端节点之间的数据访问处理连接；若是，则打开所述文件目录中的被访问文件，在成功打开所述被访问文件时，读取该被访问文件，和/或对所述被访问文件进行数据处理；本发明通过对等组网建立数据访问处理连接，实现数据共享和映射连接关系，降低了数据一致性要求，提高了系统可用性；远程只读方式的访问，有利于提高并发度和吞吐量。
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公开(公告)号：CN104715792B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201310674694.2
申请日：2013-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种具有初始化功能的相变存储器写擦电路，所述相变存储器写擦电路至少包括：初始化控制电路，与电源连接，用于接入内部电路上电复位信号及外部信号并发出初始化复位信号；初始化电路，包括原始电流源；所述初始化电路与所述电源及所述初始化控制电路连接，并在所述初始化复位信号的控制下发出复位电流脉冲使相变存储单元初始化；写擦控制电路，包括写擦控制信号产生电路及与所述写擦控制信号产生电路相连的写擦操作电路；所述写擦操作电路连接于所述电源及所述相变存储单元之间。本发明可以提高相变存储器的位合格率，同时还具有快速写擦功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282332B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201310290019.X
申请日：2013-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种具有实时触发器状态保存功能的触发器电路。该触发器电路至少包括：触发器电路本体；连接在所述触发器电路本体输出端的写控制电路，用于基于写信号来传输所述触发器电路本体的状态；包含由相变材料构成的存储单元的存储电路，连接所述写控制电路，用于存储所述触发器电路本体的状态，并基于读信号输出所存储的状态；以及状态恢复电路，连接所述存储电路，用于使所述触发器电路本体的状态恢复至所述存储电路所存储的状态。本发明的电路能随时把触发器的状态保存在存储电路中，也可以在某一特殊指令的控制下保存一个特殊的状态，例如掉电时对触发器状态的保存；上电时，可把保存在存储电路中中的数据读出，使触发器恢复到掉电时的状态。
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公开(公告)号：CN103943144B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410182102.X
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种参考电阻优化的相变存储器读电路及参考电阻优选方法，所述读电路包括：参考模块、参考相变存储单元写电路、参考相变存储单元电压嵌位、电流乘积平方根电路及电流灵敏放大器。本发明根据相变存储单元的读出原理，通过对两个参考相变存储单元分别进行RESET及SET操作得到高低参考电阻，对高低参考阻值进行乘积平方根运算后得到读电路的参考阻值，使读电路能够适应不同的相变单元材料和不同的工艺条件，从而提高相变存储器的数据读出可靠性。
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公开(公告)号：CN106654005A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510737451.8
申请日：2015-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括TixTe1-x层及位于所述TixTe1-x层表面的Sb层，其中，0.33≤x≤0.56。本发明的相变存储器单元中的相变材料层的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容，且具有以下优点：所选区间的Sb层，具有很快地相变速度使相变存储器具有皮秒级的擦写操作时间，提高相变存储器的操作速度；所选区间TixTe1-x层，在高温下仍能保持结构的稳定性，提高超晶格结构整体的热稳定性；TixTe1-x层与衬底层有更好的粘附性，可以提高器件单元的循环操作次数，延长器件单元的寿命。
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公开(公告)号：CN106601907A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611151825.9
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及其制作方法，所述选通管材料为包括Ge、Te、Se及As四种元素的化合物，所述选通管材料的化学通式为GexTeySezAs100‑x‑y‑z，其中，x、y、z为元素的原子百分比，且10
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公开(公告)号：CN104556061B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410852430.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/146 , C09K3/14 , C09G1/02
Abstract: 一种改性二氧化硅胶体的制备方法，依次包括以下步骤：1）调节铝改性硅溶胶溶液的pH至8.5~10.5，再加热至100~120℃并保温；2）搅拌过程中加入颗粒半径为10~15nm的二氧化硅胶体溶液；3）搅拌过程中加入活性硅酸和稳定剂，并控制溶液pH为8.5~10.5；4）冷却至室温；搅拌陈化；5）超滤浓缩至固含量为20~40wt%的浓缩液。本发明中公开了一种改性二氧化硅胶体的制备方法，采用本发明中制备方法制备的二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为花瓣形的二氧化硅颗粒，非球形，这种颗粒的颗粒大，在应用于化学机械抛光时能够更有效的达到机械研磨的目的，提高研磨的效率，同时研磨材料的表面性能良好。
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