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公开(公告)号：CN111366451A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811597576.5
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种动态机械加载纳米材料的原位表征装置及方法，所述装置至少包括：加电样品杆、固定在所述加电样品杆前端的静电梳齿驱动芯片以及与所述静电梳齿驱动芯片相连的电源模块。本发明通过所述加电样品杆，将所述电源模块输出的交变电压直接作用到所述静电梳齿驱动芯片上，从而实现对纳米材料进行频率和幅度连续可控的动态机械加载。本发明的表征装置简单易操作，可应用于各类检测仪器内对纳米材料进行循环交变加载，实现在频率和幅度连续可控的动态机械加载下对纳米材料显微结构演化和物性变化进行原位观测，为从原子尺度上揭示纳米材料在复杂交变载荷环境下的变形行为提供条件。
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公开(公告)号：CN110165043B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910412250.9
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于黑薄膜的热电红外探测器及其制备方法，方法包括：提供一种半导体单晶衬底，在衬底表面制备出薄膜掩膜，刻蚀出窗口阵列；采用湿法技术腐蚀衬底表面，形成微纳金字塔结构；移除薄膜掩膜，在衬底表面制备单层或复合薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出黑薄膜；以黑薄膜为红外吸收区，在其周围制备数条热电偶，然后沉积金属互连线以串联所有热电偶；以及释放所述黑薄膜，制备出基于黑薄膜的热电红外探测器。本发明提出一种黑薄膜制备技术，利用其对光的多次反射损耗增强热电红外吸收率的特性，将其与热电红外探测相结合，明显提高热电红外探测器的探测率和输出响应，增强红外探测性能，并且该方法与CMOS工艺兼容，可批量制备。
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公开(公告)号：CN110687066A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875672.X
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外气体传感器，包括探测器，探测器包括多个传感单元，传感单元包括传感芯片和滤波元件；传感单元按功能分为第一类传感单元和第二类传感单元；第一类传感单元为检测单元，第二类传感单元为补偿单元；检测单元的数量为多个，检测单元的滤波元件的中心波长分别对应待测气体的不同红外特征吸收峰；补偿单元的数量为至少一个，补偿单元的滤波元件的中心波长分别对应不同无待测气体吸收的波长。本申请提供的红外气体传感器充分利用气体多个红外吸收峰的特性，以多个检测单元对待测气体的多级吸收峰信号进行检测，通过多级吸收峰信号的加权计算，结合补偿单元信号进行待测气体的识别和检测，提高待测气体的检测精度和气体识别能力。
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公开(公告)号：CN110687065A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875346.9
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外光源的制备方法及一种红外气体传感器，该红外光源的制备方法包括以下步骤：制备加热器，加热器包括硅衬底、支撑膜和加热电阻层，支撑膜和加热电阻层依次沉积在硅衬底上；绝缘层沉积在加热电阻层上；制备辐射波长控制结构，辐射波长控制结构包括金属反射层、介质层和周期性纳米金属层，金属反射层、介质层和周期性纳米金属层依次沉积在绝缘层上。红外光源为窄带红外光源，窄带红外光源通过调整超材料结构和尺寸能够辐射中心波长3μm-9μm的窄带红外光，窄带红外光的半高宽不大于220nm；该红外气体传感器采用上述红外光源的制备方法所制备的红外光源，如此，大大减小了红外气体传感器的体积，有利于实现红外气体传感器的微小型化。
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公开(公告)号：CN110451453A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910613814.5
申请日：2019-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种红外探测器的制备方法，包括如下步骤：选用半导体晶圆作为衬底；在衬底表面形成复合薄膜；在复合薄膜表面形成热电薄膜；在热电薄膜上形成沿对角线密排图形化的硼和磷重掺杂热电偶，其由硼重掺杂热电条和磷重掺杂热电条组成；使硼和磷重掺杂热电偶金属欧姆互连；以及将复合薄膜从衬底上释放，得到封闭膜式的密排热电偶的红外探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的红外探测器。本发明通过密排图形和硼/磷离子重掺杂，沿红外探测器对角线上依次形成平面或堆叠密排的热电偶，最后形成金属欧姆互连，实现密排热电偶的红外探测器的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110182754A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910412251.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种具有微纳结构增强的微加热器及其制备方法，包括步骤：提供半导体单晶衬底，在衬底表面制备薄膜掩膜，并刻蚀窗口阵列；采用湿法技术腐蚀衬底表面，在该表面形成微纳金字塔结构；移除薄膜掩膜，在衬底表面制备出薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出微纳结构薄膜；采用金属沉积技术和金属薄膜图形化技术在微纳结构薄膜表面制备出微加热器电阻丝和电极；对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域；以及采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放微纳结构薄膜，即得。本发明采用微加工技术，通过薄膜的微纳结构改变其热传导特性，可以显著降低热量损耗，增强光辐射，为获得低功耗、热稳定性强的微加热器和强辐射的光源开辟了新道路。
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公开(公告)号：CN105448743B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410395317.X
申请日：2014-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN108303122A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710024581.6
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种基于温度调节性能的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，所述制备方法包括：1)提供石墨烯及微加热器平台，并将所述石墨烯转移至所述微加热器平台上；2)将步骤1)所得到的结构置于化学气相沉积反应炉中退火；3)于退火后的所述石墨烯表面通过试剂进行修饰，形成具有活性基团的活性薄膜；4)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明通过采用悬膜式的加热结构连接石墨烯，并在石墨烯表面修饰光受体蛋白，一方面采用光受体蛋白实现波长选择性，提高光吸收率；另一方面采用悬膜式加热结构，减少衬底对石墨烯性能的影响，更可以通过加热电压来调节工作温度，从而调节光生载流子迁移率和浓度，以提高光探测器件的性能。
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公开(公告)号：CN108011030A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711445344.3
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种SiC热电堆型高温热流传感器及其制备方法，包括：硅衬底，具有第一表面和第二表面，在第一表面上设有沟槽以及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于硅衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域位置的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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公开(公告)号：CN104979368B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510368985.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种红外探测器阵列及其制作方法，该红外探测器阵列的结构特点在于在非致冷红外探测器像素的悬桥结构上制作两组热敏单元B1和B2，在衬底上制作另外两组热敏单元S1和S2，再通过惠斯通电桥形式将这四组热敏单元连接起来，差分输出电信号，抑制了电路噪声，可显著地提高器件的信噪比。本发明制作方法的特点在于：在释放像素结构时，先在衬底中刻蚀出腐蚀槽，然后采用各向异性腐蚀剂腐蚀硅释放像素结构，提高了腐蚀释放效率，且腐蚀形状及深度可控，可避免像素和衬底之间发生粘连，还可以以未腐蚀尽的硅作为像素的锚，简化了锚的制作工艺。
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