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公开(公告)号：CN108335770A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810130004.X
申请日：2018-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21F1/02 , G21F1/08 , G21F1/10 , G21F1/12 , G21F3/00 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01L23/373 , H01L23/48 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L23/3736 , B82Y30/00 , G21F1/02 , G21F1/08 , G21F1/10 , G21F1/125 , G21F3/00 , H01B1/023 , H01B1/04 , H01L23/373 , H01L23/3735 , H01L23/3737 , H01L23/48
Abstract: 一种多功能的梯度结构柔性防护薄膜，它涉及空间环境中电子器件防护领域，特别是一种抗空间带电粒子辐射以及具有优异导电导热性能的纳米薄膜防护金属膜柔性聚合物多层梯度结构功能防护材料。本发明是要解决现有抗空间辐射防护材料存在质量重、非柔性、成本高及易于产生二次粒子的问题。多功能的梯度结构柔性防护薄膜为三层结构，所述三层结构分别为纳米管薄膜、微纳米单质层和柔性聚合物；所述纳米管薄膜为石墨烯薄膜、氮化硼纳米管或碳纳米管薄膜；微纳米单质层中所述单质为铝、镍、钛、铜或银；所述柔性聚合物为低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高分子量聚乙烯或微纳米粒子掺杂聚合物。本发明用于电子器件防护。
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公开(公告)号：CN108334706A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810135800.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 双极器件位移损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及在轨双极器件的性能退化评价技术，为了满足针对不同类型辐照源的双极器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面异种粒子辐照源，确定位移损伤引起的性能退化与位移吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DI和位移吸收剂量DD，当双极器件以位移损伤为主时，根据函数关系曲线找到该位移吸收剂量DD所对应的性能退化情况，完成在轨双极器件的性能退化评价。本发明适用于等效评价在轨双极器件的性能退化情况。
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公开(公告)号：CN106644907A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610911406.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
CPC classification number: G01N17/00
Abstract: 低地球轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，涉及空间环境效应领域。本发明是为了解决现有低地球轨道航天器用暴露材料地面模拟试验方法不能够全面实现暴露材料空间综合环境效应研究的问题。本发明所述的低地球轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，将待实验样品置密封腔体内，对待实验样品进行粉尘模拟试验，对待实验样品进行原子氧环境及紫外环境试验，对密封腔体抽真空，进行热循环试验，根据待试验样品的厚度t，选择入射电子及质子的能量，对待实验样品进行带电粒子辐照试验，进行低地球轨道航天器用暴露材料性能测试。本发明适用于空间环境效应研究与抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN106353622A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610911425.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/002
Abstract: 基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决电子元器件地面辐照过程中，由于环境气氛和温度的影响，导致电性能原位测试不准确和评价效率低的问题。本发明采用氩气环境，这样可以有效地排除以往辐照试验过程中空气中氧气的影响和真空辐照中负压的影响，提高了电子元器件原位测试的准确性。在辐照过程中进行变温辐照，温度区间选取双极晶体管工作的环境温度条件，这样的原位测试方法低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明适用于双极型电子元器件空间辐照效应研究和试验。
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公开(公告)号：CN103887330B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103871873B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410135985.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L21/328 , H01L21/265
Abstract: 基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大，双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术，制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构，能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响，显著增强双极器件的抗辐照能力，同比增强了2‑5倍。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN103050162B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310021276.3
申请日：2013-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米钽/纳米氮化硼-聚乙烯空间中子辐射防护复合材料，本发明涉及复合材料。本发明是要解决现有应用于航天器中的空间辐射防护材料对于中子辐照的防护效果差的技术问题。材料由聚乙烯树脂、纳米钽、纳米氮化硼、偶联剂和无水乙醇制成；方法：一、称取；二、制备混合液；三、制得改性的纳米钽/纳米氮化硼；四、制得纳米钽/纳米氮化硼-聚乙烯空间中子辐射防护复合材料。本发明得到的纳米钽/纳米氮化硼-聚乙烯空间中子辐射防护复合材料，热稳定性能好，对中子的空间防护能力优异。本发明制备的纳米钽/纳米氮化硼-聚乙烯空间中子辐射防护复合材料用于航天器辐射防护领域。
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公开(公告)号：CN103887171A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136054.0
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/66272 , H01L21/3105
Abstract: 一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法，涉及双极器件抗辐照技术领域。解决了双极器件的钝化层中，由于氧化物俘获正电荷和界面态的影响，导致双极器件的抗辐照能力低的问题。所述抗辐照加固方法包括以下步骤：步骤一、采用传统工艺制备双极晶体管，并在双极晶体管上形成第一钝化层；步骤二、第一钝化层形成后，采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层；步骤三、对第二钝化层进行离子注入；步骤四、对双极晶体管、第一钝化层和第二钝化层形成的一体结构进行退火工艺。本发明适用于提高双极器件抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN103884945A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136016.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN103869199A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410136726.8
申请日：2014-04-04
Applicant: 中国空间技术研究院 , 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决现有的地面实验采用实际空间环境的低剂量率评估电子元器件进行抗辐射能力，导致辐照时间长的问题。本发明所述的采用TCAD软件模拟氢气气氛下的双极型器件电性能及电离辐射缺陷的变化规律，根据氢气气氛中双极型器件内的氧化物电荷与界面态密度，获得氢气浸泡的时间与氢气浓度，通过氢气浸泡、加热，加速双极型器件内部的电离辐射缺陷产生，从而起到加速低剂量率增强效应评价的作用，达到用高温氢气浸泡条件下高剂量率辐照双极型器件与低剂量率条件下辐照双极型器件的辐照时间相比所用的时间短的目的。它可用于航天电子系统中。
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