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公开(公告)号：CN105347405A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510796923.7
申请日：2015-11-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种注入法合成氧化镍纳米晶的方法，包括如下步骤：(1)制备包括镍金属有机化合物和保护配体的前驱体溶液，在惰性气体保护下将前驱体溶液加热至100℃～350℃并保温；(2)烷醇与溶剂混合，得到烷醇溶液，在惰性气体保护下将烷醇溶液加热至100℃～500℃并保温；(3)将步骤(1)得到的前驱体溶液注入步骤(2)得到的烷醇溶液中并控制注入后的混合溶液温度在200℃～400℃并保温，醇解反应得到氧化镍纳米晶溶液；(4)将步骤(3)得到的氧化镍纳米晶溶液进行萃取和离心，得到氧化镍纳米晶粒。通过本发明制备得到的氧化镍纳米晶尺寸小、分布均匀，制备方法简单，成本低，重复性好，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN103352254B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310282593.0
申请日：2013-07-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种八面体铂铜合金纳米晶的制备方法，采用N，N-二甲基甲酰胺（DMF）体系及适当的分散剂，但不引用其他有机修饰剂，也不引入还原剂，只利用DMF本身的还原性，在160～220°C下水热反应3～11h。本发明制备方法简单，重复性高，成本低；本发明还公开了所述方法制备得到的八面体铂铜合金纳米晶，尺寸较大、分散性好、且易于保存，最终产物分散于酒精保存即可。
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公开(公告)号：CN104291829B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410446973.8
申请日：2014-09-04
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开一种高α相氮化硅的制备方法，包括以下步骤：首先将质量比为5～45:100的纳米级硅粉和微米级硅粉充分混合，得到硅粉原料；氮气气氛下，将所述的硅粉原料加热到800～1200℃，保温2～20h，再升温至1200～1350℃，待氮化反应完全后得到氮化硅。本发明提供了一种高α相氮化硅的制备方法，通过在微米级硅粉中掺入纳米级硅粉，同时控制氮化温度，抑制硅粉的自烧结，进而获得了高含量的α相氮化硅；本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，适合于大规模的工业化生产。
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公开(公告)号：CN104795464A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510101264.0
申请日：2015-03-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/02168 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种利用发光多孔硅颗粒提高太阳能电池效率的方法，对抛光硅片丝网印刷后进行快速热处理，采用单槽电化学腐蚀法在氢氟酸与无水乙醇的混合溶液中，在电流密度30～100mA/cm2，腐蚀时间约20～120min下，制得发光多孔硅；剥离发光多孔硅并研磨至2～200nm，然后对发光多孔硅颗粒进行硅烷化反应；最后将改性后的发光多孔硅颗粒溶液旋涂于太阳能电池表面。本发明进行旋涂后的太阳能电池相比对照样，具有表面反射率降低、外量子效率增加和填充因子升高等特点，而电池的转换效率相比对照样提高5％～10％。
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公开(公告)号：CN104722775A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510106358.7
申请日：2015-03-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种二维中空钯纳米晶的制备方法，将钯纳米种子、钯前驱体、溴离子修饰剂、还原剂和分散剂加入到溶剂中进行反应，制备得到二维中空钯纳米晶；所述钯纳米种子为钯纳米片。本发明制备方法以纳米片作为种子经过一步反应就能制备得到二维中空钯纳米晶，操作简单，反应条件温和，所用试剂较为便宜，毒性小，易实现。本发明还公开了所述制备方法制得的二维中空钯纳米晶，所述二维中空钯纳米晶上下表面为{111}晶面，二维中空钯纳米晶的厚度为2nm～4nm，所述二维中空钯纳米晶是一种超薄环状结构，提高了材料比表面积和原子利用率，有效增强了钯纳米晶的催化性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103787404B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310754107.0
申请日：2013-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种尺寸可控的单分散氧化铟锡纳米晶的制备方法，首先将单分散氧化铟锡纳米晶、醋酸铟、醋酸亚锡、十四酸与十八烯混合，得到混合液A，经抽真空处理后，在110℃～140℃保温1～3h；所述混合液A中单分散氧化铟锡纳米晶的摩尔浓度为10-3～10-1M，醋酸亚锡、醋酸铟的摩尔比为0.01～0.25；将混合液A加热到240℃～300℃，向混合液A中注入油胺，惰性气体保护下,保温2～5h，再经萃取、洗涤后得到所述的尺寸可控的单分散氧化铟锡纳米晶；所述油胺的注入速度为1～10ml/h。制备得到的单分散氧化铟锡纳米晶材料尺寸均一、且尺寸可控，可应用于制备基于表面等离激元原理的传感、光学等器件。
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公开(公告)号：CN102912424B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210382987.9
申请日：2012-10-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法，包括如下步骤：(1)将多晶硅原料以及固体掺杂剂在氩气气氛下熔融，得到稳定的熔硅；(2)在稳定的熔硅中引入籽晶，晶体生长经缩颈、放肩过程，进入等径生长阶段；(3)在等径生长阶段，通入和所述固体掺杂剂导电类型相反的掺杂气体，直至直拉单晶硅生长完成。本发明提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法中掺杂气体的种类和用量方便控制，可以得到各种所需的杂质浓度分布；直拉硅单晶的利用率得到提高；显著改善了直拉单晶硅的电阻率均匀性。
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公开(公告)号：CN104409564A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410605032.4
申请日：2014-10-31
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , B82Y30/00 , H01L31/186
Abstract: 本发明公开了一种N型纳米黑硅的制备方法及太阳能电池的制备方法，通过如下步骤制备N型纳米黑硅：(1)使清洗后的N型硅片在KOH和异丙醇的混合溶液中反应0.5～2h，反应温度为60～100℃；(2)将经过步骤(1)处理后的N型硅片置于银纳米颗粒溶液中静置20min～30min，烘干后并进行腐蚀处理即得到N型纳米黑硅。制备太阳能电池时在制备得到的N型纳米黑硅的前表面依次形成N+层、氮化硅层和电极层后进行烧结即得到N型纳米黑硅太阳能电池。本发明制备得到的黑硅电池反射率低、载流子寿命高，转换效率相比于较常规方法高2.2％。
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公开(公告)号：CN104143588A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410351677.X
申请日：2014-07-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1868 , H01L31/02167 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法，包括以下步骤：首先对N型硅片表面进行亲水处理，再通过旋涂或层层自组装的方法在亲水处理后的N型硅片表面制备厚度可控的超薄氧化石墨烯薄膜，最后经热处理得到钝化后的硅片。本发明还公开了制备得到的钝化后的硅片在太阳能电池，尤其是在硅-石墨烯原型电池中的应用。本发明提供了一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法，通过溶液法在硅片表面形成氧化石墨烯超薄(＜3nm)钝化薄膜，该薄膜可以较好地钝化硅的表面，并且允许载流子自由遂穿，将其应用在硅-石墨烯原型电池上，可以明显提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN104142464A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410388836.3
申请日：2014-08-08
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26 , G01N27/04 , G01N21/3563
Abstract: 本发明公开了一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，包括以下步骤：(1)分别选取一系列p型和n型的电子级单晶硅作为标准样品，室温下并分别测量其电阻率和红外吸收系数，并根据其电阻率换算成对应的载流子浓度；(2)根据步骤(1)的测量结果，分别建立p型和n型单晶硅的αλ/λ2与ρp2的标准曲线，其中：αλ为波长为λ下所述标准样品的红外吸收系数，p与ρ分别为对应的载流子浓度和电阻率；(3)测定太阳能级单晶硅待测样品的导电类型，并在室温下分别测量其电阻率和红外吸收系数，根据步骤(2)中对应的标准曲线得出载流子浓度。本方法简便快捷、精确度高、测试成本低，尤其适用于基体内存在补偿效应的太阳能级单晶硅。
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