公开(公告)号：CN104409564A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410605032.4

申请日：2014-10-31

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪雷 ,  戴准 ,  庄重源 ,  王明昂 ,  张军娜 ,  唐勋 ,  杨德仁

IPC: H01L31/18 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/186

Abstract: 本发明公开了一种N型纳米黑硅的制备方法及太阳能电池的制备方法，通过如下步骤制备N型纳米黑硅：(1)使清洗后的N型硅片在KOH和异丙醇的混合溶液中反应0.5～2h，反应温度为60～100℃；(2)将经过步骤(1)处理后的N型硅片置于银纳米颗粒溶液中静置20min～30min，烘干后并进行腐蚀处理即得到N型纳米黑硅。制备太阳能电池时在制备得到的N型纳米黑硅的前表面依次形成N+层、氮化硅层和电极层后进行烧结即得到N型纳米黑硅太阳能电池。本发明制备得到的黑硅电池反射率低、载流子寿命高，转换效率相比于较常规方法高2.2％。

公开(公告)号：CN103755152B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201310695739.4

申请日：2013-12-17

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪雷 ,  张艳蓉 ,  王明昂 ,  戴准 ,  庄重源 ,  李斯 ,  郭春林 ,  周海锋 ,  杨德仁

IPC: C03C17/23 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明采用盐酸与六甲基二硅醚的混合溶液对SiO2薄膜进行疏水改性，并使用浓硫酸作为催化剂，促进反应向右方进行，即生成更多的三甲基氯硅烷，三甲基氯硅烷越多，改性时活性越强，从而使三甲基氯硅烷可以扩散到薄膜内部，降低了材料内部的毛细管力，实现薄膜从内到外的完全改性。相对于现有的疏水改性方法，本发明省去昂贵的溶剂替换步骤，大大简化了工艺，容易实现产业化生产，且环境污染小，具有诱人的应用前景。

公开(公告)号：CN104409564B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410605032.4

申请日：2014-10-31

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪雷 ,  戴准 ,  庄重源 ,  王明昂 ,  张军娜 ,  唐勋 ,  杨德仁

IPC: H01L31/18 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种N型纳米黑硅的制备方法及太阳能电池的制备方法，通过如下步骤制备N型纳米黑硅：(1)使清洗后的N型硅片在KOH和异丙醇的混合溶液中反应0.5～2h，反应温度为60～100℃；(2)将经过步骤(1)处理后的N型硅片置于银纳米颗粒溶液中静置20min～30min，烘干后并进行腐蚀处理即得到N型纳米黑硅。制备太阳能电池时在制备得到的N型纳米黑硅的前表面依次形成N+层、氮化硅层和电极层后进行烧结即得到N型纳米黑硅太阳能电池。本发明制备得到的黑硅电池反射率低、载流子寿命高，转换效率相比于较常规方法高2.2％。

公开(公告)号：CN103778992B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410011279.3

申请日：2014-01-10

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪雷 ,  周海峰 ,  戴准 ,  庄重源 ,  郭春林 ,  张艳蓉 ,  王明昂 ,  杨德仁

IPC: H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C24/08

Abstract: 本发明提供了一种基于铜氨络合物的铜浆料及其制备方法，还提供一种利用该浆料制备铜薄膜的方法。本发明中以铜片为正极和负极电解氨水与有机酸的混合溶液得到铜氨络合物溶液后进行蒸发结晶，将蒸发结晶得到的铜氨络合物与粘结剂加入有机溶剂进行球磨得到铜浆料，该铜浆料由铜氨络合物、有机溶剂和粘结剂组成，其中铜氨络合物的质量百分比为20％～40％，有机溶剂的质量百分比为55％～75％，粘结剂的质量百分比为5％～15％，将铜浆料在衬底上成膜后在160～200℃环境下烧结，即得到铜薄膜。本发明的铜浆料和铜薄膜的生产工艺简单，且采用低温烧结法制备铜薄膜，适用于多种衬底，且能耗小，成本低，容易实现产业化生产，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN103778992A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410011279.3

申请日：2014-01-10

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪雷 ,  周海峰 ,  戴准 ,  庄重源 ,  郭春林 ,  张艳蓉 ,  王明昂 ,  杨德仁

IPC: H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C24/08

Abstract: 本发明提供了一种基于铜氨络合物的铜浆料及其制备方法，还提供一种利用该浆料制备铜薄膜的方法。本发明中以铜片为正极和负极电解氨水与有机酸的混合溶液得到铜氨络合物溶液后进行蒸发结晶，将蒸发结晶得到的铜氨络合物与粘结剂加入有机溶剂进行球磨得到铜浆料，该铜浆料由铜氨络合物、有机溶剂和粘结剂组成，其中铜氨络合物的质量百分比为20％～40％，有机溶剂的质量百分比为55％～75％，粘结剂的质量百分比为5％～15％，将铜浆料在衬底上成膜后在160～200℃环境下烧结，即得到铜薄膜。本发明的铜浆料和铜薄膜的生产工艺简单，且采用低温烧结法制备铜薄膜，适用于多种衬底，且能耗小，成本低，容易实现产业化生产，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN103755152A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201310695739.4

申请日：2013-12-17

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪雷 ,  张艳蓉 ,  王明昂 ,  戴准 ,  庄重源 ,  李斯 ,  郭春林 ,  周海锋 ,  杨德仁

IPC: C03C17/23 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明采用盐酸与六甲基二硅醚的混合溶液对SiO2薄膜进行疏水改性，并使用浓硫酸作为催化剂，促进促进反应向右方进行，即生成更多的三甲基氯硅烷，三甲基氯硅烷越多，改性时活性越强，从而使三甲基氯硅烷可以扩散到薄膜内部，降低了材料内部的毛细管力，实现薄膜从内到外的完全改性。相对于现有的疏水改性方法，本发明省去昂贵的溶剂替换步骤，大大简化了工艺，容易实现产业化生产，且环境污染小，具有诱人的应用前景。