Micro LED结构及其制备方法
    211.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116344572A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310617836.5

    申请日:2023-05-30

    Abstract: 本公开涉及一种Micro LED结构及其制备方法,属于Micro LED显示技术领域,该Micro LED结构和衍射光波导匹配连接;该Micro LED结构包括发光组件、第一基板、波导传输层以及光耦合组件;发光组件设置于第一基板的一侧;波导传输层和光耦合组件均设置于第一基板背离发光组件的一侧,光耦合组件与发光组件对位设置,并内嵌于波导传输层中靠近发光组件的一侧;第一基板至少用于传输发光组件发出的光至光耦合组件;光耦合组件用于控制光的旋转角度以使光按照预设方向传输,波导传输层用于传输预设方向的光至衍射光波导。如此,减少了Micro LED结构的尺寸,利于产品的小型化。

    Micro LED显示芯片、制备方法及装置

    公开(公告)号:CN116314490A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310517417.4

    申请日:2023-05-10

    Abstract: 本公开涉及一种Micro LED显示芯片、制备方法及装置,属于LED显示技术领域,该方法包括:提供图形化衬底和驱动背板;图形化衬底形成有相邻的突起结构,且相邻的突起结构之间具有相应的凹陷区域;在图形化衬底具有突起结构的一侧,形成外延层;在外延层背离图形化衬底的一侧,形成LED阵列;LED阵列包括间隔排布的LED,LED形成于凹陷区域的对应位置处,与凹陷区域对位设置;将LED阵列和驱动背板连接,形成Micro LED显示芯片。如此,将LED和图形化衬底上的凹陷区域对位设置,制备出质量一致、亮度高和发光效率一致的LED,进一步提高Micro LED显示芯片中显示亮度的一致性,避免了mura现象。

    一种芯片封装结构、方法以及电子设备

    公开(公告)号:CN115799196A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202310069915.7

    申请日:2023-02-07

    Abstract: 本公开涉及一种芯片封装结构、方法以及电子设备,涉及封装技术领域,芯片封装结构包括:芯片、印刷电路板以及散热基板;芯片与印刷电路板之间设置有焊球;芯片背离印刷电路板的一面边缘设置有电极结构;芯片的边缘还设置有通孔结构;通孔结构内填充导电材料;电极结构与通孔结构的导电材料电连接;散热基板位于芯片与印刷电路板之间;焊球包括第一焊球和第二焊球;通孔结构的导电材料通过第一焊球与散热基板电连接;散热基板通过第二焊球与印刷电路板电连接。本公开能够减小封装后的芯片体积,不需要焊线以及焊盘完成芯片与印刷电路板连接,同时封装更加牢固,且提高芯片工作时的散热能力,提高封装后芯片的可靠性。

    利用湿法纺丝制备的具有存储功能的聚四氟乙烯纤维的方法

    公开(公告)号:CN114507906B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202210158683.8

    申请日:2022-02-21

    Abstract: 本公开涉及一种利用湿法纺丝制备具有存储功能的聚四氟乙烯纤维的方法,所述湿法纺丝使用的纺丝液中含有聚四氟乙烯、具有存储功能的微胶囊和M:G为1:(1‑3)的海藻酸钠。本公开通过在纺丝液中添加具有存储功能的微胶囊能够使最后得到的聚四氟乙烯纤维具有存储功能,能够存储不同的功能组分,赋予聚四氟乙烯纤维不同的功能并且利用本公开提供的湿法纺丝的方法得到的初生纤维强度较高,在后续成型和水洗过程中不容易断丝,同时初生纤维之间不粘连,进而确保最后得到的微米级的聚四氟乙烯纤维。

    发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法

    公开(公告)号:CN115621385A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211630824.8

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 本公开涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法,涉及显示技术领域。发光二极管包括:第一保护层和发光芯片,第一保护层位于发光芯片的出光侧;发光芯片包括阵列排布的多个子发光区,发光芯片中与第一保护层接触的膜层和第一保护层的材料不同;多个第一凹槽结构,第一凹槽结构贯穿第一保护层,第一凹槽结构与子发光区对应设置;多个颜色转换层,颜色转换层位于第一凹槽结构内。通过本公开的技术方案,避免了对发光芯片的损伤,提高了工艺的可靠性。

    CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板

    公开(公告)号:CN115411032B

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211362345.2

    申请日:2022-11-02

    Abstract: 本公开涉及半导体领域的CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板,该电路基板包括:CMOS集成电路驱动层,包括初始键合区域和扩展键合区域,扩展键合区域位于初始键合区域的至少一侧;重布线层,设置于至少一侧的至少部分扩展键合区域内;重布线层包括至少一条第一线路和若干条第二线路,第一线路的第一端分布在重布线层靠近CMOS集成电路驱动层的一侧并与CMOS集成电路驱动层电连接;第一线路与第二线路电连接;第二线路的第二端在重布线层背离CMOS集成电路驱动层的一侧阵列分布;重布线层用于电连接CMOS集成电路驱动层和发光像素单元。通过在至少部分扩展键合区域上重新布线,增大键合区域,提高了CMOS上表面利用率。

    LED结构及其制造方法、LED显示屏

    公开(公告)号:CN114843383B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210764080.2

    申请日:2022-07-01

    Abstract: 本公开涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种LED结构及其制造方法、LED显示屏。LED结构,包括尺寸面,所述LED结构还包括两组以上的半导体发光结构,所述半导体发光结构包括发光部分,所述发光部分至少有部分呈预设角度倾斜于LED结构的尺寸面,所有半导体发光结构的发光部分的面积之和大于LED结构的尺寸面的面积。本公开通过将发光部分的部分倾斜于LED结构的尺寸面设置,可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度,并且通过在LED结构内设置两个及以上的半导体发光结构,通过各个半导体发光结构分摊驱动更高亮度的大电流,可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度的同时获得更高的使用寿命。

    一种深海电机
    220.
    发明授权

    公开(公告)号:CN119253947B

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202411765253.8

    申请日:2024-12-04

    Abstract: 本发明适用于深海设备领域,公开了深海电机,包括电机主体、第一密封组件、第二密封组件和控制器组件,电机主体包括中空设置的电机外壳、前端盖、后端盖、电机转子组件、电机绕组组件和电机轴,前端盖的内侧壁设置有环形凸台,且前端盖对应环形凸台的位置设置有泄压孔,泄压孔分别与前端盖的内腔和外界连通,泄压孔内安装有泄压件,电机轴旋转设置在电机外壳内,电机轴设置有第一台阶和第二台阶,第一密封组件设置在电机轴与电机外壳之间,并安装在第一台阶与环形凸台的内侧面之间,第二密封组件设置在电机轴与前端盖之间,并安装在第二台阶与环形凸台的外侧面之间,控制器组件设置在电机外壳的外侧壁,该深海电机具有优良的密封性能。

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