公开(公告)号：CN115411032B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211362345.2

申请日：2022-11-02

Applicant: 季华实验室(CN)

Inventor： 崔泽林 ,  岳大川 ,  蔡世星 ,  林立 ,  杨小龙 ,  谢峰 ,  梁秋敏 ,  李小磊 ,  伍德民

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及半导体领域的CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板，该电路基板包括：CMOS集成电路驱动层，包括初始键合区域和扩展键合区域，扩展键合区域位于初始键合区域的至少一侧；重布线层，设置于至少一侧的至少部分扩展键合区域内；重布线层包括至少一条第一线路和若干条第二线路，第一线路的第一端分布在重布线层靠近CMOS集成电路驱动层的一侧并与CMOS集成电路驱动层电连接；第一线路与第二线路电连接；第二线路的第二端在重布线层背离CMOS集成电路驱动层的一侧阵列分布；重布线层用于电连接CMOS集成电路驱动层和发光像素单元。通过在至少部分扩展键合区域上重新布线，增大键合区域，提高了CMOS上表面利用率。