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公开(公告)号：CN117855245B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410264204.X
申请日：2024-03-08
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本申请涉及光电显示技术领域，提供了一种像素单元、像素单元组、显示芯片和显示芯片的制备方法。像素单元包括：驱动晶体管、至少一个第一发光元件和至少一个第二发光元件；第一发光元件的阳极、第二发光元件的阴极与驱动晶体管的第一极连接，第一发光元件的阴极与共阴极连接，第二发光元件的阳极与共阳极连接；驱动晶体管的第二极用于输入交变驱动信号，驱动晶体管的第三极用于输入控制信号；其中，驱动晶体管用于在控制信号的作用下导通、并将交变驱动信号输出至第一发光元件和第二发光元件；第一发光元件和第二发光元件分别在交变驱动信号的作用下发光。这样，能够通过一个驱动晶体管控制至少两个发光元件，进而达到有效提升像素密度的效果。
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公开(公告)号：CN117012865A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311253050.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及Micro LED显示技术领域，公开了一种全彩Micro LED显示芯片及其制备方法，该方法包括：制备衬底外延层；衬底外延层的一侧形成有第一类型发光层；在第一类型发光层的第一预设区域内注入N型离子；在第一类型发光层背离衬底外延层的一侧，形成第二类型发光层；在第一类型发光层的第二预设区域和第二类型发光层的第三预设区域内注入N型离子；在第二类型发光层背离第一类型发光层的一侧形成第三类型发光层；在第二类型发光层的第四预设区域和第三类型发光层的第五预设区域内注入P型离子；在第三类型发光层背离第二类型发光层的一侧，形成P型外延层。由此，降低了工艺制备难度并提高了制备速度。
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公开(公告)号：CN116845081A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311091291.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L27/15 , G02F1/1335 , G02B27/01
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种AR显示芯片、AR显示芯片的制备方法及AR显示系统。其中，AR显示芯片包括：TFT基板和发光部，TFT基板和发光部通过各向异性导电胶层键合在一起；TFT基板上设置有阵列排布的第一阳极触点和第二阳极触点；发光部包括阵列排布的像素区，相邻像素区之间设置有液晶区；像素区包括像素单元，液晶区包括液晶单元，像素单元的第一阳极与第一阳极触点一一对应设置，液晶单元的第二阳极与第二阳极触点一一对应设置；绝缘胶层，绝缘胶层覆盖在发光部上。本公开的技术方案，避免了光波导带来的光学损耗，有利于提高AR显示效果，以及有利于实现AR显示系统的小型化设置。
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公开(公告)号：CN116469907A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310734148.7
申请日：2023-06-20
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光面板及其制作方法，能够释放GaN外延层应力，降低外延层翘曲度，提升发光效率。该发光面板包括衬底、N型GaN外延层、发光外延层、第一楔形结构、第二楔形结构、P电极和N电极；所述N型GaN外延层和所述发光外延层形成于所述衬底上，所述第一楔形结构贯穿所述发光外延层和所述N型GaN外延层，所述第二楔形结构贯穿所述发光外延层和部分所述N型GaN外延层；所述P电极位于所述发光外延层上，所述N电极覆盖所述第一楔形结构和所述第二楔形结构。
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公开(公告)号：CN115621385A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211630824.8
申请日：2022-12-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括：第一保护层和发光芯片，第一保护层位于发光芯片的出光侧；发光芯片包括阵列排布的多个子发光区，发光芯片中与第一保护层接触的膜层和第一保护层的材料不同；多个第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿第一保护层，第一凹槽结构与子发光区对应设置；多个颜色转换层，颜色转换层位于第一凹槽结构内。通过本公开的技术方案，避免了对发光芯片的损伤，提高了工艺的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115411032B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211362345.2
申请日：2022-11-02
Applicant: 季华实验室(CN)
IPC: H01L27/092 , H01L27/15 , H01L33/62 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体领域的CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板，该电路基板包括：CMOS集成电路驱动层，包括初始键合区域和扩展键合区域，扩展键合区域位于初始键合区域的至少一侧；重布线层，设置于至少一侧的至少部分扩展键合区域内；重布线层包括至少一条第一线路和若干条第二线路，第一线路的第一端分布在重布线层靠近CMOS集成电路驱动层的一侧并与CMOS集成电路驱动层电连接；第一线路与第二线路电连接；第二线路的第二端在重布线层背离CMOS集成电路驱动层的一侧阵列分布；重布线层用于电连接CMOS集成电路驱动层和发光像素单元。通过在至少部分扩展键合区域上重新布线，增大键合区域，提高了CMOS上表面利用率。
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公开(公告)号：CN114843383B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210764080.2
申请日：2022-07-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种LED结构及其制造方法、LED显示屏。LED结构，包括尺寸面，所述LED结构还包括两组以上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括发光部分，所述发光部分至少有部分呈预设角度倾斜于LED结构的尺寸面，所有半导体发光结构的发光部分的面积之和大于LED结构的尺寸面的面积。本公开通过将发光部分的部分倾斜于LED结构的尺寸面设置，可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度，并且通过在LED结构内设置两个及以上的半导体发光结构，通过各个半导体发光结构分摊驱动更高亮度的大电流，可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度的同时获得更高的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117855245A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410264204.X
申请日：2024-03-08
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本申请涉及光电显示技术领域，提供了一种像素单元、像素单元组、显示芯片和显示芯片的制备方法。像素单元包括：驱动晶体管、至少一个第一发光元件和至少一个第二发光元件；第一发光元件的阳极、第二发光元件的阴极与驱动晶体管的第一极连接，第一发光元件的阴极与共阴极连接，第二发光元件的阳极与共阳极连接；驱动晶体管的第二极用于输入交变驱动信号，驱动晶体管的第三极用于输入控制信号；其中，驱动晶体管用于在控制信号的作用下导通、并将交变驱动信号输出至第一发光元件和第二发光元件；第一发光元件和第二发光元件分别在交变驱动信号的作用下发光。这样，能够通过一个驱动晶体管控制至少两个发光元件，进而达到有效提升像素密度的效果。
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公开(公告)号：CN116314245B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310517418.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光面板及其制作方法。发光面板包括N型半导体外延层、发光外延层、P型电极、N型电极、第一绝缘层和第二绝缘层；所述N型半导体外延层上形成有碗状的第一凹槽和网状的第二凹槽；所述发光外延层和所述P型电极形成于所述第一凹槽中，且所述发光外延层位于所述N型半导体外延层与所述P型电极之间；所述N型电极和所述第二绝缘层形成于所述第二凹槽中，且所述N型电极位于所述N型半导体外延层与所述第二绝缘层之间；所述第一绝缘层覆盖所述发光外延层、所述P型电极和所述第二绝缘层。本公开的技术方案，能够有效避免台阶侧壁损伤，提高光效。
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公开(公告)号：CN115411032A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211362345.2
申请日：2022-11-02
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L27/092 , H01L27/15 , H01L33/62 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体领域的CMOS集成电路基板、其制备方法及显示面板，该电路基板包括：CMOS集成电路驱动层，包括初始键合区域和扩展键合区域，扩展键合区域位于初始键合区域的至少一侧；重布线层，设置于至少一侧的至少部分扩展键合区域内；重布线层包括至少一条第一线路和若干条第二线路，第一线路的第一端分布在重布线层靠近CMOS集成电路驱动层的一侧并与CMOS集成电路驱动层电连接；第一线路与第二线路电连接；第二线路的第二端在重布线层背离CMOS集成电路驱动层的一侧阵列分布；重布线层用于电连接CMOS集成电路驱动层和发光像素单元。通过在至少部分扩展键合区域上重新布线，增大键合区域，提高了CMOS上表面利用率。
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