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公开(公告)号：CN101917784B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010278255.6
申请日：2010-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 发明涉及一种具有凹槽形加热膜区的三维微型加热器及其制作方法，其特征在于横截面呈“V”字形或倒梯形结构的凹槽形加热膜区通过支撑悬梁与衬底框架相连，加热电阻丝以折线形式排布在加热膜区凹槽的内部并通过支撑悬梁上的引线与衬底框架上的电极相连，在加热膜区和支撑悬梁下方是采用硅各向异性湿法腐蚀形成的隔热腔体。本发明提供的三维微型加热器的加热电阻丝排布在具有三维结构的加热膜区的凹槽内部，对流换热引起的热量散失较小，有利于降低加热器的功耗。凹槽结构使得热量集中并提高了加热效率有利于加热器在红外光源和传感领域的应用。
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公开(公告)号：CN102786023A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128174.2
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无盖板的碳纳米管器件结构及其制作方法。该结构包括：(100)单晶硅衬底、碳纳米管以及金属电极；在(100)单晶硅衬底上设有一贯穿整个(100)单晶硅衬底宽度的截面为近菱形的沟槽；碳纳米管跨越所述沟槽并在所述沟槽上保持悬空；金属电极位于所述沟槽两侧并分别覆盖着碳纳米管跨于沟槽两侧的部分，使悬空的碳纳米管与沟槽两侧的金属电极间形成电学连接。该器件结构用于碳纳米管电子器件和传感器中。由于省去了盖板，器件结构制作过程简单，成品率高，适合阵列化生产。
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公开(公告)号：CN102263013A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110218695.7
申请日：2011-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在衬底上开具沟槽，再利用这些沟槽对石墨烯进行图形化的方法。该方法包括如下步骤：利用微加工技术中的深反应离子刻蚀、微切割技术或湿法腐蚀在衬底上制作出以沟槽为边界的图形结构；将无支撑的大面积石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽的图形化衬底上；烘干衬底与石墨烯，利用溶液的表面张力使沟槽区域的石墨烯断裂，得到所需要的图形化石墨烯。该方法可以在衬底上精准确定图形化石墨烯的位置，并且无需对石墨烯进行光刻刻蚀等处理，避免了对石墨烯晶格质量造成损害，解决以往石墨烯图形化过程中成本高、定位难、易受污染等问题。
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公开(公告)号：CN101357757B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810032805.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Si或SiO2的衬底，使用铁蛋白作为催化剂源，用于催化制备以含碳原料气和氢气为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中实现多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的生长。本发明提供的方法可以在衬底上同时获得多个方向水平定向生长的单壁碳纳米管阵列，且操作简单。
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公开(公告)号：CN1994861B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200610147625.6
申请日：2006-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种全光学微机械非致冷红外热成像芯片的结构及制作方法，所述的非制冷红外热成像芯片是由框架、弯折梁、可动微镜和长条形开口组成，其中，框架与中间悬浮的可动微镜构成像素元的冷结区和热结区；弯折梁连接框架和可动微镜；弯折梁由作为结构的主要支撑材料的非金属层、上金属层和下金属层组成，上金属层与非金属层构成双材料层使梁发生偏转，下金属层调节热导；长条形开口是在可动微镜上刻蚀的腐蚀窗口。利用〔100〕单晶硅各向异性腐蚀特性采用与(100)方向平行的开口通过正面腐蚀实现光机械敏感元结构。由于芯片采用光学读出，不需要复杂的读出电路和致冷设备，具有价格低、体积小、功耗小等优势，特别适合制作佩戴式热成像系统。
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公开(公告)号：CN101932146A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010278511.1
申请日：2010-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有圆弧形凹槽加热膜区的三维微型加热器及其制作方法，其特征在于横截面呈圆弧形结构的凹槽形加热膜区通过支撑悬梁与衬底框架相连，加热电阻丝以折线或曲线的形式排布在加热膜区凹槽的内部并通过支撑悬梁上的引线与衬底框架上的电极相连，在加热膜区和支撑悬梁下方是隔热腔体。本发明提供的加热器的加热电阻丝排布在具有三维结构的中心加热膜区的凹槽内部，对流换热引起的热量散失较小，可以有效降低加热器的功耗。圆弧形结构的凹槽形加热膜区避免了转角的存在，使得热应力在加热膜区内均匀分布，从而提高了加热器在高温下的机械强度。
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公开(公告)号：CN101917784A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010278255.6
申请日：2010-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 发明涉及一种具有凹槽形加热膜区的三维微型加热器及其制作方法，其特征在于横截面呈“V”字形或倒梯形结构的凹槽形加热膜区通过支撑悬梁与衬底框架相连，加热电阻丝以折线形式排布在加热膜区凹槽的内部并通过支撑悬梁上的引线与衬底框架上的电极相连，在加热膜区和支撑悬梁下方是采用硅各向异性湿法腐蚀形成的隔热腔体。本发明提供的三维微型加热器的加热电阻丝排布在具有三维结构的加热膜区的凹槽内部，对流换热引起的热量散失较小，有利于降低加热器的功耗。凹槽结构使得热量集中并提高了加热效率有利于加热器在红外光源和传感领域的应用。
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公开(公告)号：CN101559913A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910051291.6
申请日：2009-05-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种增加变形梁强度和使用寿命的结构及其应用，属于微电子机械系统(MEMS)领域。其特征在于在梁与支撑端的连接处增加转角，使梁与支撑端的夹角都是钝角。这种支撑端连接处带有转角的梁，在梁发生形变时可以有效地减小形变在支撑端产生的应力，既增加了梁的强度也延长了梁的使用寿命。本发明可应用于多种带有变形梁的MEMS器件中。
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公开(公告)号：CN100526208C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510112436.0
申请日：2005-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明可以制成宽度小于100纳米的纳米梁，在纳米梁两侧制作驱动/敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于各向异性湿法腐蚀对硅(111)晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。
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公开(公告)号：CN100482572C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200510025831.5
申请日：2005-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁由金属线条提供力学支撑，金属线条与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；同时纳米梁为浅槽区包围，纳米梁下表面与浅槽区的上表面均为(111)晶面；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。纳米梁的厚度等于浅槽区底部硅的表面与纳米梁区顶部硅表面的高度差；纳米梁、浅槽区和腐蚀区处于整平区内。本发明是基于分步氧化法(或干法刻蚀)和湿法腐蚀方法制作的，包括区域整平、梁区台阶制作、电学连接与力学支撑结构制作和纳米梁释放四个步骤，纳米梁厚度由分步氧化法或干法刻蚀法决定，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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