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公开(公告)号：CN101504969A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910045441.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种具有新型电极结构的相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在硅片上面应用化学气相沉积的方法制备一层SixN介质层；依次沉积Al层、Ti层、TiN层，使其作为底层电极；在上述底层电极上使用超高真空电子束蒸发法制备SixO作为绝缘层；旋涂负性抗蚀剂；利用电子束曝光制备设定长度直径圆的阵列以及后续光刻的对准标记；刻蚀所述氧化硅，形成氧化硅柱的阵列；使用化学气相沉积法沉积金属材料钨，使其均匀包裹氧化硅柱；沉积相变材料；沉积氧化硅作为介质保护层；氧化硅开孔；顶层电极制备。本发明可以有效地降低热传导速率，降低热量在该部分体积中的损失；同时可以将高温点向相变材料层转移，更有利于器件性能的提升。
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公开(公告)号：CN101488555A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046056.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及利用FIB沉积纳米锥形底电极从而制备硫系化合物存储单元器件的方法，其包括以下步骤：首先，在(100)取向的硅片上面，应用化学气相沉积的方法制备一层SixN介质层；然后使用磁控溅射的方法沉积Al/Ti/TiN作为底层电极材料；于底层电极材料上利用离子束法沉积氧化硅作为介质层；利用电子束曝光结合反应离子刻蚀的方法制备若干氧化硅孔；于氧化硅孔内利用聚焦离子束系统制备所需要的锥形底电极；利用光刻剥离的方法于底电极上沉积相变材料层；之后利用聚焦离子束引出上层测试电极；最后离子束沉积法溅射氧化硅作为绝热保护层。本发明有助于制备新型的低功耗相变存储器，为研究20nm以下尺寸相变存储器的性能提供有效的方法，促进相变存储器的发展。
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公开(公告)号：CN101478030A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910045870.X
申请日：2009-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及包含夹层的相变存储器单元及制作方法，其特征在于在电极材料层与相变材料层之间添加单质金属夹层的结构，所述的单质金属夹层的厚度小于10nm。所述的添加单质金属夹层为下述三种结构中的任一种：①单质金属夹层位于下电极层和相变材料层之间；②单质金属夹层位于相变材料层和上电极层之间；③单质金属的第一夹层位于下电极层和相变材料层之间，单质金属的第二夹层位于相变材料层和上电极层之间，且第一夹层和第二夹层的单质金属组分和厚度可相同或不相同，由于夹层的引入能够提高相变材料的结晶速度、降低相变材料的熔点，与传统的相变存储器结构相比，包含夹层的相变存储器具有较高编程速度和较低的编程功耗。
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公开(公告)号：CN101436614A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810207453.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供一种基于含锑的肖特基二极管，其包括：轻掺杂的半导体层及与所述轻掺杂的半导体层紧密接触的金属层，其中所述金属层含锑。此外，本发明还提供多种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导电类型的重掺杂层，然后在第二导电类型的重掺杂层上形成第二导电类型的轻掺杂区，接着采用自对准法在轻掺杂区沉积含锑的金属区，使各金属区与相应的轻掺杂区形成肖特基接触进而制造出肖特基二极管阵列。
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公开(公告)号：CN101420013A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810203356.X
申请日：2008-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻转换存储器单元，包括两金属电极以及处于电极对中间的金属，采用电信号对存储单元进行操作，器件单元在电信号的操作下可实现可逆的高电阻与低电阻之间的可逆转变，从而实现数据存储功能。或者，电极与金属层之间也可以包括一层过渡层，经过合理的预处理，使电极(或者过渡层)与金属层之间的界面发生扩散，电极(或者过渡层)与金属层之间相互的扩散效应改变了界面附近材料的组份，而特定的组份能够在电信号的作用下实现电阻的可逆转变，从而实现数据的存储。该种存储器具有较快的速度和较低的功耗，数据保持能力优良，是一种理想的存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101404179A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810202405.8
申请日：2008-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明是一种提升相变存储器编程速度的方法及实现方法。其特征在于在存储器编程空闲时间对无数据或未存储数据部分的存储单元或者存储单元块进行全局性的SET编程操作；所述的空闲时间为存储器单元处于待机状态，没有编程的任务状态；所述的全局性的SET编程操作使所有的存储单元或者存储单元块都处于数据“1”状态。本发明还包括全局SET法的电路实现：在读、写、擦操作完成后的固有时间内监测是否有下一读、写、擦操作，如果有，则认为存储器繁忙，不进行全局SET；如果没有，则认为存储器空闲，此时启动全局SET操作。
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公开(公告)号：CN101372606A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810201175.3
申请日：2008-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液，其以抛光液总重量为基准，包含0.01－5wt％的氧化剂、0.01－4wt％的表面活性剂、0.01－3wt％的有机添加剂、0.2－30wt％的氧化铈抛光颗粒及pH调节剂、水性介质。此抛光液主要应用于硫系化合物相变材料GexSbyTe(1－x－y)的CMP工艺。通过本发明提供的氧化铈化学机械抛光液，相变材料GexSbyTe(1－x－y)的抛光速率可控制在5nm/min到1500nm/min，同时表面粗糙度降低到了7.4以下。利用上述抛光液对相变材料GexSbyTe(1－x－y)速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。
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公开(公告)号：CN101364588A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810041871.2
申请日：2008-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/525 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种电可再编程熔丝器件，用于集成电路器件，其采用SixSb100－x(0≤x＜90)合金作为熔丝材料，利用电信号对熔丝进行可逆的编程操作，熔丝器件单元的电阻可在高、低电阻之间实现转换，从而实现对电路的修复操作。基于SiSb材料的熔丝器件的特点还在于对尺寸效应不敏感，熔丝器件在大小尺寸下都可实现可靠工作(熔丝线宽在数纳米到数毫米之间可调)，熔丝的低阻态具有较低的电阻值，高阻态具有较高的电阻值，是一种良好的熔丝器件。
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公开(公告)号：CN101364567A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044609.9
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺，又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题，加工精度高、成本低，适于产业化，在低功耗、高密度相变存储器制备领域具有实质性特点。
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公开(公告)号：CN100461485C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710036527.X
申请日：2007-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法。本发明基于硫系化合物相变材料在脉冲电流或电压等的作用下能够发生结构变化，从而引起其电阻性能产生巨大的变化，多晶状态时处于低阻态，非晶状态时处于高阻态，两种状态下的电阻相差可达五个数量级以上，利用硫化相变材料的这种特性可以制备新型限流器，对电路能够其起到很好的保护作用，最大程度避免电路被超大电流或电压破坏。采用薄膜制备工艺和微纳加工技术制作出限流器，其结构包括横向结构和纵向结构两种。由于相变材料的高、低阻两种状态之间是可逆变化的，这种新型限流器可重复使用，在民用和军事领域等方面具有非常广泛的应用前景。
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