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公开(公告)号：CN116156340A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211369912.7
申请日：2022-11-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置和图像处理系统。半导体装置包括图像信号处理器、缩放器和ROI(感兴趣区域)控制器。该图像信号处理器执行包括去马赛克处理的图像处理，并且将图像处理之后的图像存储到存储器中。该缩放器减小所捕获的来自该图像传感器的图像以生成减小的整个图像，并且使图像信号处理器对减小的整个图像执行图像处理。该ROI控制器切出所捕获的来自图像传感器的图像的部分区域，以生成ROI图像，并且使图像信号处理器对ROI图像执行图像处理。
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公开(公告)号：CN116126128A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211424345.0
申请日：2022-11-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F1/3225 , G06F1/3234 , G06F9/4401 , G06F15/78
Abstract: 一种半导体装置包括控制电路，该控制电路被配置为当转换到待机模式时通过接通或关断恒流源来抑制电流变化。控制电路具有根据寄存器信息和电流分布信息来预测电流变化值的功能。该控制电路具有基于经预测的电流变化值来优化电流源的单个控制量和电流源的控制次数的功能。
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公开(公告)号：CN108258975B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201711455155.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 坪田正志
IPC: H02P27/08 , H02M7/5387 , H02M7/5395
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和功率转换装置。为了解决控制软件的负载增加的多脉冲控制的问题，以及进一步需要开关/定时调整，半导体装置包括：包括CPU和存储器的控制单元，用于控制驱动器IC以驱动功率半导体装置的PWM输出电路，用于检测电机电流的电流检测电路以及用于检测电机角度的角度检测电路。PWM输出电路包括基于角度检测电路的角度以及基础方波信息生成方波的方波发生器电路。
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公开(公告)号：CN106557302B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201610833876.3
申请日：2016-09-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 数据处理器包括：访问目标，具有分配给存储空间的地址；访问对象，在指定地址、标识符和访问类型的同时能够对访问目标进行访问；以及存储保护资源，包括联合存储器以执行访问控制。存储保护资源包括多个条目，每一个都包括区域设置单元、标识符确定信息单元和属性设置单元。当在访问时由访问对象指定的地址包括在条目的区域设置单元中设置的区域中、标识符与根据标识符确定信息指定的多个标识符中的至少一个一致、以及指定的访问类型与属性设置单元中设置的访问类型一致时，存储保护资源允许访问。
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公开(公告)号：CN116112019A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211394444.9
申请日：2022-11-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体装置、模数转换器和模数转换方法。一种半导体装置包括逐次逼近模数(AD)转换器，该AD转换器被配置为执行对模拟输入信号进行采样的过程和逐次逼近过程，执行AD转换过程，并且输出数字输出信号。AD转换器包括上部DAC、冗余DAC、下部DAC、比较器、控制电路和校正电路，比较器被配置为比较比较参考电压与上部DAC、冗余DAC和下部DAC的输出电压，控制电路被配置为基于比较器的比较结果控制由上部DAC、冗余DAC和下部DAC进行的逐次逼近，并且生成数字输出信号。校正电路包括误差校正电路和平均电路，误差校正电路被配置为利用冗余位校正高位的误差，平均电路被配置为计算多次供应的多个低位的转换值的平均值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116093063A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211379320.3
申请日：2022-11-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 佃龙明
IPC: H01L23/498 , H01L23/49
Abstract: 一种半导体器件包括具有第一布线层的布线基板。第一布线层包括第一布线图案、第二布线图案和第三布线图案，第一布线图案是第一信号的传输路径，第二布线图案是第二信号的传输路径并且被布置为与第一布线图案的一侧接近，第三布线图案是第三信号的传输路径并且被布置为与第一布线图案的另一侧接近。包括第一至第三布线图案的布线图案组具有：第一部分，其中第一至第三布线图案的布线宽度彼此相等；以及第二部分，其中第一布线图案的布线宽度大于第二和第三布线图案中的每一者的布线宽度。
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公开(公告)号：CN109427705B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201811011163.4
申请日：2018-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电子装置，实现包括功率晶体管的电子装置的散热特性的改进。半导体模块包括在逆变器电路中包括的第一和第二封装。在所述第一封装中，嵌入具有高压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第二封装中，嵌入具有低压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第一和第二封装的两个宽表面处，暴露电耦合到所述功率晶体管的相应集电极的第一金属电极，以及电耦合到所述功率晶体管的相应发射极的第二金属电极。具有比第一和第二金属电极的面积大的面积的四个相应汇流条板接合到所述第一和第二封装的所述第一和第二金属电极。
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公开(公告)号：CN107403799B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201710296140.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 宇佐美达矢
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法，例如，提供了一种半导体器件，其包括能够降低光接收元件的制造成本并改进光接收元件的光学性能的光接收元件。例如，形成Ge光电二极管的结构本体的p型锗层、本征锗层和n型锗层根据连续选择性外延生长来形成。具有开口部分的绝缘膜形成在SOI衬底的硅层上，并且本征锗层形成为从开口部分突出到绝缘膜上方。简而言之，通过使用具有开口部分的绝缘膜，本征锗层的截面形成为蘑菇形状。
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公开(公告)号：CN108336134B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201711458966.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 森隆弘
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，一个实施方式的半导体装置包括具有第一面的半导体基板、配置于第一面的绝缘分离膜以及栅极电极。半导体基板具有源极区域、漏极区域、漂移区域以及体区域。绝缘分离膜具有在俯视时配置于漂移区域的内侧的第一部分、在从第一部分朝向源极区域的方向上突出的第二部分以及在从第一部分朝向源极区域的方向上突出且在与第二部分之间夹入漂移区域的第三部分。栅极电极与夹入源极区域和漂移区域之间的体区域的部分绝缘且相对。栅极电极配置成延伸到第二部分以及第三部分的上方。
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公开(公告)号：CN109428715B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201810983746.7
申请日：2018-08-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 森山大辅
Abstract: 本公开的实施例涉及数据接收设备、数据传输系统和密钥生成设备。一种数据接收设备包括：接收数据、个体标识符列表和由中继器设备生成的MAC的接收单元；通过使用预定的伪随机函数执行算术运算来导出秘密密钥的伪随机函数处理单元；通过使用预定的MAC生成函数执行算术运算来生成MAC的MAC生成函数处理单元；执行控制以递归地生成与从第一层级到第N层级的每个通信设备的个体标识符相对应的秘密密钥的伪随机函数处理控制器；执行控制以递归地生成与从第N层级到第一层级的每个通信设备相对应的MAC的MAC生成函数处理控制器；以及将接收的MAC与生成的与第一层级的通信设备相对应的MAC相比较的比较器。
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