电子装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109427705B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN201811011163.4

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明涉及一种电子装置,实现包括功率晶体管的电子装置的散热特性的改进。半导体模块包括在逆变器电路中包括的第一和第二封装。在所述第一封装中,嵌入具有高压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第二封装中,嵌入具有低压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第一和第二封装的两个宽表面处,暴露电耦合到所述功率晶体管的相应集电极的第一金属电极,以及电耦合到所述功率晶体管的相应发射极的第二金属电极。具有比第一和第二金属电极的面积大的面积的四个相应汇流条板接合到所述第一和第二封装的所述第一和第二金属电极。

    电子装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107546212B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN201710456426.1

    申请日:2017-06-16

    Abstract: 本发明涉及一种电子装置,抑制电子装置的性能降低,并且实现电子装置的小型化。电子装置(EA)在具有尺寸不同的多个贯通导孔的贯通基板(WB)的背面的第1区域配置包括功率晶体管的功率模块(PM2A),另一方面,在贯通基板(WB)的表面的第2区域配置包括控制电路的预驱动器(PD2)。此时,在俯视视角下,第1区域和第2区域具有重叠的区域。并且,功率模块(PM2A)与预驱动器(PD2)经由贯通导孔(TV1)而电连接。进而,多个贯通导孔具有第1尺寸的贯通导孔(TV1)、比第1尺寸大且能够插入线缆(CAL(V))的贯通导孔(TV2)以及在内部埋入有导电性部件(CM)的贯通导孔(TV3)。

    电子装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109427705A

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201811011163.4

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明涉及一种电子装置,实现包括功率晶体管的电子装置的散热特性的改进。半导体模块包括在逆变器电路中包括的第一和第二封装。在所述第一封装中,嵌入具有高压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第二封装中,嵌入具有低压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第一和第二封装的两个宽表面处,暴露电耦合到所述功率晶体管的相应集电极的第一金属电极,以及电耦合到所述功率晶体管的相应发射极的第二金属电极。具有比第一和第二金属电极的面积大的面积的四个相应汇流条板接合到所述第一和第二封装的所述第一和第二金属电极。

    电子装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108933124B

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN201810387837.4

    申请日:2018-04-26

    Inventor: 西山知宏

    Abstract: 本发明提供一种电子装置,提高电子装置的性能。电子装置具有与具备第1功率晶体管的半导体装置(PAC1)连接的母线(BSP)和与具备第2功率晶体管的半导体装置(PAC2)连接的母线(BSN)。母线(BSP)和母线(BSN)分别具备隔着绝缘板(IF1)彼此相对并且沿着与基板(WB)的上表面(WBt)交叉的Z方向延伸的部分(BP1)。母线(BSP)具备位于部分(BP1)与端子(PTE)之间且向远离母线(BSN)的X方向延伸的部分(BP2)以及位于部分(BP2)与端子(PTE)之间且沿X方向延伸的部分(BP3)。部分(BP3)在Z方向上的延伸距离(D3)比部分(BP2)在X方向上的延伸距离(D2)短。

    电子装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108933124A

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201810387837.4

    申请日:2018-04-26

    Inventor: 西山知宏

    Abstract: 本发明提供一种电子装置,提高电子装置的性能。电子装置具有与具备第1功率晶体管的半导体装置(PAC1)连接的母线(BSP)和与具备第2功率晶体管的半导体装置(PAC2)连接的母线(BSN)。母线(BSP)和母线(BSN)分别具备隔着绝缘板(IF1)彼此相对并且沿着与基板(WB)的上表面(WBt)交叉的Z方向延伸的部分(BP1)。母线(BSP)具备位于部分(BP1)与端子(PTE)之间且向远离母线(BSN)的X方向延伸的部分(BP2)以及位于部分(BP2)与端子(PTE)之间且沿X方向延伸的部分(BP3)。部分(BP3)在Z方向上的延伸距离(D3)比部分(BP2)在X方向上的延伸距离(D2)短。

Patent Agency Ranking