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公开(公告)号：CN113394120A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110622165.2
申请日：2021-06-03
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种基于激光成型的扇出型封装结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.将玻璃基板表面粗化，并在其上表面沉积或溅射一层Ti金属或者Ti合金，得到金属层玻璃基板；S2.将纳米铜、纳米银或纳米银包铜中的一种或多种涂覆在步骤S1得到金属层玻璃基板，进行激光照射，使金属层烧结形成再布线层；S3.去除未烧结的纳米铜、纳米银或纳米银包铜和未烧结的金属层；S4.进行激光照射使芯片与再布线层键合；最后后处理得到封装结构；所述步骤S2和步骤S4的激光功率0.1～10W；扫描速度为0.1～1000mm/s。上述制备方法能够实现10微米厚度以上再布线层快速成型，得到的封装结构结合力好，不会脱落。
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公开(公告)号：CN113385683A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110663112.5
申请日：2021-06-15
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种多元合金纳米材料的制备方法。所述多元合金纳米材料的制备方法，通过更换火花烧蚀装置上电极靶材的种类生产制备多元合金纳米颗粒，通过增加或减少同种类的电极靶材制备出不同比例成分的合金纳米颗粒，颗粒随着气体的流动输送到收集装置，随后颗粒扩散沉积到沉积基板上，完成对多元合金纳米颗粒的收集，进而完成合金纳米颗粒种类和比例成分的可控制备；且制备过程简单灵活可控，大大地降低了制备合金纳米材料的难度；与传统的制备纳米合金材料方法相比，所述制备方法制备的合金纳米颗粒粒径可控，清洁纯净，收集率较高，制备合金的范围较广，制备操作连续稳定，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113246016A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110642337.2
申请日：2021-06-09
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种多层多功能CMP抛光垫及其制备方法和应用，所述抛光垫包括基体层和制备在基体层上的抛光层，所述基体层包括刚性衬底层和制备在刚性衬底层上的弹性衬底层；所述抛光层包括粗抛层、半精抛层和精抛层；所述粗抛层、半精抛层和精抛层之间由弹性层粘结。本发明所述抛光垫具有粗抛‑半精抛‑精抛的加工特性，并可以根据工艺特点调整层叠次序，以对加工晶片的表面质量进行控制，提高了晶片表面抛光的工艺效率，可在获得更高的表面加工质量同时对晶片的表面加工质量进行定性控制。
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公开(公告)号：CN113207237A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110276041.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米金属辅助定向电镀及电解的线路成型与修复方法，包括：确定待修复的金属线路板上的待修复区域/确定待成型的金属线路板上的待成型区域，对金属线路板接电，其中修复时接负电，成型时接正电；将接电后的金属线路板浸没在金属盐溶液中，利用金属探针移动到待修复/成型区域上方，修复时给金属探针通正电，成型时给金属探针通负电，利用电势差使金属盐还原成金属微粒进行修复，或电解腐蚀金属线路板以进行成型。本发明通过细探针的使用，使电场局域化，从而实现区域化高精度电镀、电解；本方法有助于提高工业中精细线路板的成型效率和精细线路板的利用率。
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公开(公告)号：CN110280759B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910740479.5
申请日：2019-08-12
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于微纳级材料制备技术领域，尤其涉及一种微纳级核壳材料的制备方法和制备微纳级核壳材料的装置。本发明提供了一种微纳级核壳材料的制备方法，本发明制备方法中，含有微纳级金属颗粒的溶液与金属离子溶液在雷诺数不小于2300的条件下进行混合，再通过雾化法进行分散，含有微纳级金属颗粒的溶液与金属离子溶液充分接触，金属离子在微纳级金属颗粒的表面形成金属包覆层，得到分散的微纳级核壳材料，该制备方法可控制核壳材料的分散度，实现连续生产，并可通过调节微纳级金属颗粒的粒径和金属离子溶液的浓度控制微纳级核壳材料的颗粒尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112820693A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011638463.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/768 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种基于纳米金属的嵌入式三维互连结构制备方法，采用多片带孔洞或空腔的玻璃片粘合，形成具有三维空腔的基板结构；再通过点胶装置将纳米金属膏对三维空腔进行填充；填充完毕后，使用激光对三维空腔内的纳米金属进行定向烧结成型；最后对基板结构进行湿法清洗，去除残留纳米金属颗粒。本发明形成三维空腔的基板结构并采用纳米金属填充，然后烧结形成嵌入式三维互连的导体结构，无需采用电镀铜的方式，避免造成对环境的污染。
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公开(公告)号：CN112786531A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011641344.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/768 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种基于纳米金属的深孔互连结构制备方法，先在待形成深孔互连结构的玻璃板上形成深孔；再通过点胶装置将纳米金属膏对深孔进行填充；填充完毕后，刮除玻璃板表面溢出的残余纳米金属颗粒；之后再对填充的纳米金属进行变深度烧结成型；最后对玻璃板进行湿法清洗，去除残留纳米金属颗粒，玻璃板上的深孔互连结构制备完成。本发明是在深孔中采用纳米金属填充，然后烧结形成深孔互连的导体结构，无需采用电镀铜的方式，避免造成对环境的污染。
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公开(公告)号：CN111128760B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201911379301.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，特别是一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法及芯片封装结构，所述芯片封装方法不使用临时键合胶，直接在基板上方设置介电层，芯片直接热压如介电层后可快速完成注塑固化工序，达到减少了封装的工序，减少了芯片的漂移；此外，所述芯片封装方法在基板和介电层之间增设了特殊材料的隔离层，有利于基板后续与固化芯片结构分离，同时因为介电层与隔离层结合力不高，介电层及介电层以上的芯片封装结构在封装固化时可以灵活的固化封装，不会出现内部应力不均的现象，能降低了芯片封装结构内部应力，也有利于避免出现翘曲的现象，提高了芯片封装结构的封装效率和质量。
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公开(公告)号：CN111430327A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010148685.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L23/498 , H01L23/14 , H01L23/373 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种高散热扇出型封装结构，包括带有凸点的芯片、石墨烯载板、介电层、再布线层、塑封层、散热模块以及焊球；所述石墨烯载板的上下两侧均设置有所述再布线层，所述介电层设置在所述石墨烯载板与所述再布线层之间，所述石墨烯载板上贯穿有铜柱，所述再布线层之间通过所述铜柱进行连接，所述芯片设置在所述石墨烯载板的上方，位于所述石墨烯载板上方的再布线层与所述芯片的凸点连接，位于所述石墨烯载板下方的再布线层与所述焊球连接，所述塑封层包裹在所述芯片的外侧，所述散热模块设置在所述塑封层上。本发明的高散热扇出型封装结构为芯片扇出封装结构的高密度互连提供了平台，同时大幅提高芯片封装结构的散热能力。
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公开(公告)号：CN111430250A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010148694.9
申请日：2020-03-05
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及电子加工的技术领域，更具体地，涉及一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，包括：S10.在第一刚性载板制作凹槽，将待封装芯片安装于第二刚性载板上；S20.将第一颗粒物堆叠于待封装芯片和第二刚性载板上，将第一刚性载板倒扣盖合于第二刚性载板上方并压紧，使第一颗粒物无法发生移动；S30.在第一刚性载板侧部或上部注入内混合有第二颗粒物的熔融态塑封料，第一颗粒物的颗粒直径大于第二颗粒物的颗粒直径；S40.保持压力进行可控温度场式升温，使塑封料逐层固化；S50.拆除第一刚性载板、第二刚性载板及临时键合层。本发明采用两种颗粒大小的颗粒物，利用大颗粒材料相互挤压产生压力抑制塑封料及芯片的相对位移与热变形，可以防止芯片发生漂移并减少翘曲，同时利用先部分融化、后逐次固化的方法进一步减少翘曲。
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