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公开(公告)号：CN101968973B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010289979.0
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/24
Abstract: 本发明提供一种能抑制位线间漏电流的相变存储器电路结构，其包括：多条字线和多条位线；由多个各自连接在一条位线和一条字线上的相变存储单元形成的存储阵列，其中，每一相变存储单元包括：由相变材料形成且一端连接相应位线的相变电阻以及连接在所述相变电阻另一端和相应字线之间的选通管；以及多个控制单元，各控制单元的输入端分别连接一条位线，各输出端分别连接在相应位线上的各相变存储单元的相变电阻和选通管的公共连接点，分别用于拉低相应位线上未被选中的相变存储单元的相变电阻和选通管的公共连接点的电位，从而避免漏电流流经未被选中的相变存储单元的相变电阻，如此抑制位线间的漏电流，有效提高存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN103269231A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310224101.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03M13/15
Abstract: 本发明提供一种BCH码检纠错方法、电路及容错存储器。根据本发明的方法，先基于已经过BCH编码的待检验BCH数据组的监督矩阵来计算待检验BCH数据组的待比较校正子；随后，若所述待比较校正子不为0，则将所述待比较校正子与多个标准校正子进行比较，并基于与所述待比较校正子不同的数据位数量最少、且所指明的错误位数也最少的标准校正子来校正所述待检验BCH数据组中的相应数据。与BCH码的原纠正能力相比，本发明能更大限度地利用了校验码，提高了纠错能力；且BCH码检纠错电路可由纯逻辑电路构成，不需要时钟，仅存在门延迟，适合应用于SPI接口之类对时序有特别要求的情况。
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公开(公告)号：CN101770807B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910247484.9
申请日：2009-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0083
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储器的写优化电路及其写优化方法，写优化电路包括写优化控制电路、脉冲控制电路、可变电流源电路、数据读出电路、修调电路、振荡器电路、相变存储器电路；在存储器上电初始化阶段，存储器的译码控制电路选择一个存储器块，对其中一个存储单元在脉冲控制电路和修调电路的控制下，控制可变电流源电路进行写Reset操作，操作结果由数据读出电路读出；数据读出电路的读出结果一方面控制写优化控制电路的状态，控制脉冲控制电路是否还要发写脉冲；另一方面控制修调电路是否要对电流源进行修调，修调后该存储器块的写Reset电流则固定下来。本发明通过可变电流源电路调节存储器的电流，优化写Reset电流，在很大程度上减小系统的功耗。
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公开(公告)号：CN102945683A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210436990.4
申请日：2012-11-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。本发明还提供一种相变存储电路的快速擦写操作方法，包括逻辑控制电路、存储单元阵列以及分别与该逻辑控制电路连通的驱动电路、字线选通管、位线选通管和读电路；当执行擦操作SET编程时，打开各通路形成预编程脉冲，流入位线选通管，继而流入所选相变存储单元中，完成预编程操作；随后关掉大电流通路，输出的编程脉冲对所选相变存储单元进行编程。本发明有效减小了相变存储单元SET编程时间，从而提高了相变存储擦操作速度，改善了SET编程后的低阻分布。
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公开(公告)号：CN101777389B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201010101396.0
申请日：2010-01-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围，为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持，同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102890963A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110202834.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种非易失性随机存储器件（100），其包括由若干存储单元块（111）构成的存储单元阵列（110）以及和所述存储单元阵列（110）相连接的外围电路；所述外围电路包括用于根据地址输入信息选中相应存储单元块的地址译码电路（120）、存储所有存储单元块的操作模式信息并在控制信号（160）作用下重新写入的块操作模式信息寄存器（130）、根据块操作模式信息寄存器（130）中存储的操作模式信息输出某一写操作模式到存储单元阵列的写驱动电路（140）以及根据块操作模式信息寄存器（130）中存储的操作模式信息输出某一读操作模式到存储单元阵列的读出电路（150）。本发明兼容两种不同操作模式的相变存储器简化接口设计，节约设计面积，减少功耗，提高速度。
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公开(公告)号：CN101923901B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010172859.2
申请日：2010-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器编程驱动系统及驱动方法，该系统包括逻辑控制电路，以及分别与逻辑控制电路相连的编程脉冲上升沿控制器、编程脉冲保持时间控制器、编程脉冲下降沿控制器、编程脉冲发生电路；所述逻辑控制电路用以控制编程过程中编程脉冲电流的上升沿阶段、保持阶段、下降沿阶段的切换；所述编程脉冲上升沿控制器用以控制编程脉冲电流的上升沿级数以及时间；所述编程脉冲保持时间控制器用以控制编程脉冲电流保持稳定值的时间长度；所述编程脉冲下降沿控制器用以控制编程脉冲电流下降沿级数以及时间；所述编程脉冲发生电路用以生成编程脉冲电流。本发明可以对编程脉冲电流的上升时间，保持时间，以及下降时间进行独立的调整。
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公开(公告)号：CN101916590B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010258113.3
申请日：2010-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的数据读出方法及读出电路，当读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变存储单元所存储的数据的同时，预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变存储单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电操作，由此可解决相变存储器在读出时由于位线寄生电容大而无法快速读出的问题，有效提高数据的读出速度。
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公开(公告)号：CN102820056A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110151742.0
申请日：2011-06-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C2013/0054
Abstract: 一种相变存储器的数据读出电路，涉及一个或多个相变存储单元，每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路连接；所述数据读出数据包括：箔位电压产生电路，用于产生箔位电压；预充电电路，在箔位电压的控制下对位线进行快速充电；箔位电流产生电路，在箔位电压的控制下产生使位线维持在箔位平衡态时的箔位电流；箔位电流运算电路，将箔位电流进行求差和倍乘运算，增大高阻态时箔位电流和低阻态时箔位电流的差值；比较放大电路，将经过运算处理后的箔位电流与参考电流比较，输出读出结果。相比于现有技术，本发明的相变存储器的数据读出电路能有效地提高数据的读出速度、减小高低阻间的误读窗口、减小数据读出时的串扰、提高读出数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN102820055A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110151738.4
申请日：2011-06-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种读电压/读电流可切换的相变存储器的数据读出电路，包括：箔位电压产生电路；预充电电路；箔位电路，具有产生箔位电流的第一工作模式和产生预放大电压的第二工作模式；读模式切换电路，在读模式选择信号控制下选择读电流模式或读电压模式；电流电压转换电路，读电流模式下，将箔位电流和参考电流进行运算，转换为互补的两路电压；比较放大电路，将选择的两路电压进行比较，输出读出结果；在读电流模式下，两路电压为电流电压转换电路转换后形成的两路电压；在读电压模式下，两路电压为预放大电压和读电压模式下的参考电压。相比于现有技术，本发明数据读出电路实现了读电压/读电流的切换，可以针对不同的负载条件选择与其相匹配的读模式。
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