公开(公告)号：CN102945683B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201210436990.4

申请日：2012-11-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宏潇 ,  陈后鹏 ,  宋志棠 ,  陈一峰

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/06 ,  G11C16/14

Abstract: 本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。本发明还提供一种相变存储电路的快速擦写操作方法，包括逻辑控制电路、存储单元阵列以及分别与该逻辑控制电路连通的驱动电路、字线选通管、位线选通管和读电路；当执行擦操作SET编程时，打开各通路形成预编程脉冲，流入位线选通管，继而流入所选相变存储单元中，完成预编程操作；随后关掉大电流通路，输出的编程脉冲对所选相变存储单元进行编程。本发明有效减小了相变存储单元SET编程时间，从而提高了相变存储擦操作速度，改善了SET编程后的低阻分布。

公开(公告)号：CN102945683A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210436990.4

申请日：2012-11-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宏潇 ,  陈后鹏 ,  宋志棠 ,  陈一峰

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/06 ,  G11C16/14

Abstract: 本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。本发明还提供一种相变存储电路的快速擦写操作方法，包括逻辑控制电路、存储单元阵列以及分别与该逻辑控制电路连通的驱动电路、字线选通管、位线选通管和读电路；当执行擦操作SET编程时，打开各通路形成预编程脉冲，流入位线选通管，继而流入所选相变存储单元中，完成预编程操作；随后关掉大电流通路，输出的编程脉冲对所选相变存储单元进行编程。本发明有效减小了相变存储单元SET编程时间，从而提高了相变存储擦操作速度，改善了SET编程后的低阻分布。