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公开(公告)号：CN109509705B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811243153.3
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种低势垒高度肖特基二极管及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的表面形成石墨烯薄膜；3)对石墨烯薄膜进行氟化处理以形成氟化石墨烯绝缘层；4)于氟化石墨烯绝缘层表面沉积金属电极；5)去除肖特基结所在区域之外的氟化石墨烯绝缘层；6)于裸露的基底表面形成欧姆接触电极。本发明利用氟化石墨烯绝缘层作为金属电极与基底之间的插层，氟化石墨烯绝缘层不会在基底中产生MIGS钉扎效应；氟化石墨烯绝缘层可以阻挡金属电极与基底之间的互相扩散，可以形成均匀性极高的肖特基结面；可以大大降低金属电极对基底的费米能级钉扎效应，从而降低肖特基二极管中基底与金属电极之间形成的肖特基结势垒高度。
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公开(公告)号：CN104752182B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201310746120.1
申请日：2013-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法，至少包括以下步骤：1）提供一Si1‑xGex层，于所述Si1‑xGex层表面形成Ti金属薄膜，其中，0.05≤x≤0.9；2）于所述Ti掺入层表面形成Ni金属层；3）采用快速退火工艺使所述Ni金属穿过所述Ti金属薄膜与所述Si1‑xGex层反应生成NiSi1‑xGex层，其中，0.05≤x≤0.9。本发明具有以下有益效果：由于特定温度可以提供Ni与Si1‑xGex层反应所需的热激活能，并使只有极少量的Ti与Si1‑xGex反应并保持在Si1‑xGex层与NiSi1‑xGex层的界面处，产生几个原子层的缺陷聚集区，隔断了表层薄膜应力的释放向底层的传递，同时使Ni与Si1‑xGex的反应以较缓慢的速度进行。因此，本发明对于保持Si1‑xGex的应变起到了一定的作用，可以获得连续、均一、稳定的NiSiGe材料。
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公开(公告)号：CN110117780A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910208837.8
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种二维材料层及制备方法，包括步骤：提供一衬底，于衬底上表面形成二维材料层；采用导电型针尖扫描所述二维材料层的上表面，所述导电型针尖具有激发电压。本发明的二维材料层及制备方法能很大程度降低界面的摩擦，从而延长器件的寿命，减少功耗，提高效率，还能节能环保，减少经济损失。
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公开(公告)号：CN110065271A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810062550.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；对衬底进行处理，以于衬底的表面形成一离子膜层；提供一石墨烯层，并转移石墨烯层至离子膜层的表面；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压，以激发探针对应位置的部分离子膜层转换成对应的气体，该气体使得其对应位置的石墨烯层凸起以形成包覆该气体的石墨烯气泡，通过上述方案，本发明可以在任意衬底上制备得到石墨烯气泡，不受衬底限制；本发明的具有石墨烯气泡的石墨烯结构以及该结构的制备方法，可以精确地控制石墨烯气泡的形成位置，并实现了石墨烯气泡的大小以及形状等的高度可控，本发明的制备方法操作简单，具有很强的可操作性和实用价值。
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公开(公告)号：CN109509705A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811243153.3
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种低势垒高度肖特基二极管及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的表面形成石墨烯薄膜；3)对石墨烯薄膜进行氟化处理以形成氟化石墨烯绝缘层；4)于氟化石墨烯绝缘层表面沉积金属电极；5)去除肖特基结所在区域之外的氟化石墨烯绝缘层；6)于裸露的基底表面形成欧姆接触电极。本发明利用氟化石墨烯绝缘层作为金属电极与基底之间的插层，氟化石墨烯绝缘层不会在基底中产生MIGS钉扎效应；氟化石墨烯绝缘层可以阻挡金属电极与基底之间的互相扩散，可以形成均匀性极高的肖特基结面；可以大大降低金属电极对基底的费米能级钉扎效应，从而降低肖特基二极管中基底与金属电极之间形成的肖特基结势垒高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106904599B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510952653.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，图形锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的图形石墨烯。本发明通过在绝缘衬底上制备锗薄膜，并光刻刻蚀所述锗薄膜形成所需图形后，催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上图形石墨烯，克服了采用光刻刻蚀工艺对石墨烯进行刻蚀所带来的光刻胶等污染，提高了绝缘体上图形石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得质量很高的图形石墨烯。
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公开(公告)号：CN105448690B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201410415714.9
申请日：2014-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底表层的一部分原子穿过所述石墨烯薄膜与所述金属层发生反应，形成金属/半导体材料层。本发明通过采用坚硬的石墨烯薄膜作为插入层，快速退火阶段半导体材料的原子在插入层中的扩散速度较为缓慢，使材料整体的反应更加平衡，从而获得均匀平整且稳定的金属/半导体材料，改善界面的接触特性。
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公开(公告)号：CN105140171B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201510532134.2
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：S1：提供一衬底；S2：在所述衬底表面依次外延第一材料层、硼掺杂第一材料层及第二材料层；S3：重复步骤S2至少一次；S4：进行离子注入，使离子注入到最远离所述衬底的所述第一材料层中；S5：提供一表面形成有绝缘层的基板，将所述绝缘层与位于顶层的第二材料层键合，形成键合片；S6：对键合片进行退火处理，使位于离子注入层上的所述硼掺杂第一材料层吸附离子形成微裂纹而剥离，得到绝缘体上材料。本发明中，所述衬底可以重复利用，从而降低了生产材料成本，并简化了工艺流程；且离子注入剂量更低，有利于提高晶体质量，减少注入成本；本发明得到的绝缘体上材料表面非常光滑，无需抛光。
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公开(公告)号：CN103972148B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410222756.0
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
CPC classification number: Y02P80/30
Abstract: 本发明提供一种超薄膜绝缘体上材料的制备方法，包括步骤：1)在所述第一衬底表面外延第一掺杂单晶层、缓冲层、第二掺杂单晶层以及待转移层；2)低剂量离子注入至所述第一掺杂单晶层与第一衬底的界面以下预设深度；3)键合所述第二衬底的绝缘层与待转移层；4)退火剥离所述缓冲层与第一衬底；5)低剂量离子注入至所述第二掺杂单晶层与缓冲层的界面以上预设深度；6)键合所述第三衬底的绝缘层与缓冲层；7)退火剥离所述缓冲层与待转移层，获得两种绝缘体上材料。本发明采用两次注入剥离技术在制备超薄绝缘体上待转移层材料的同时，通过第二次剥离，还制备了另外一种绝缘体上材料，即，缓冲材料，这使得整个制备过程中几乎没有材料损耗。
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公开(公告)号：CN105983132A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510064331.6
申请日：2015-02-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种医用钛材料表面改性的方法以及具有表面改性的医用钛材料，所述方法为于医用钛材料的表面制备石墨烯薄膜。本发明在医用钛材料的表面制备一层石墨烯薄膜，相比于未改性医用钛材料，表面生长石墨烯薄膜能够明显提高医用钛材料表面的细胞相容性、生物活性和诱导骨髓间充质干细胞向成骨方向分化的能力（即成骨活性）。本发明方法步骤简单，容易实现产业化。
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