公开(公告)号：CN107887341A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710823848.8

申请日：2017-09-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H·布里施 ,  A·布里纳 ,  M·布劳恩 ,  J·罗波尔 ,  M·齐格尔德鲁姆

IPC: H01L23/043 ,  H01L29/78 ,  H01L21/62 ,  H01L21/77

Abstract: 本公开涉及包括LDMOS晶体管、单片微波集成电路的半导体器件和方法。例如在一个实施例中，半导体器件包括：包括前表面的半导体衬底，前表面中的LDMOS晶体管结构，布置在前表面上的导电互连结构以及布置在前表面中的至少一个腔。

公开(公告)号：CN104247047B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380016818.6

申请日：2013-03-13

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 布鲁诺·吉瑟兰 ,  尚塔尔·艾尔纳 ,  F·迪姆罗特 ,  A·W·贝特

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0304 ,  C30B33/06 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/62

CPC classification number: H01L31/0725 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种制造多结太阳能电池装置的方法，所述方法包括以下步骤：提供第一加工基板；提供第二基板；在所述第一加工基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以得到第一晶圆结构；在所述第二基板上形成至少一个第二太阳能电池层，以得到第二晶圆结构；将所述第一晶圆结构结合到所述第二晶圆结构；脱离所述第一加工基板；去除所述第二基板；将第三基板结合到所述至少一个第一太阳能电池层。

公开(公告)号：CN105074895A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480018752.9

申请日：2014-03-21

Applicant: SOITEC公司

Inventor： S·凯尔迪勒 ,  G·夏巴纳 ,  F·波德特

IPC: H01L21/62

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L27/12 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明涉及用于制造复合结构的方法，所述方法包括下列步骤：a)提供施主衬底(50)和支撑衬底(10)；b)形成介电层(30)；c)形成覆盖层(20)；d)在施主衬底(50)中形成弱化区(60)；e)通过接触表面(70)结合支撑衬底(10)和施主衬底(50)，该接触表面具有轮廓线(Cs)；f)使施主衬底(50)通过弱化区(60)破裂，步骤b)和步骤e)执行为使得轮廓线(Cz)内接于轮廓线(Cs)内，并且步骤c)执行为使得覆盖层(20)覆盖介电层(30)的外周表面。

公开(公告)号：CN110844891B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN201910688303.X

申请日：2019-07-29

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 李禹太

IPC: H01L21/62 ,  C01B19/00

Abstract: 提供一种硫族化物材料及包括其的电子设备。硫族化物材料可以包括1‑10原子百分比(at％)的硅、10‑20at％的锗、25‑35at％的砷、40‑50at％的硒和1‑10at％的碲。电子设备可以包括：包含硫族化物材料的开关元件，该硫族化物材料包括1‑10原子百分比(at％)的硅、10‑20at％的锗、25‑35at％的砷、40‑50at％的硒和1‑10at％的碲；第一电极，其电耦接到开关元件；以及第二电极，其电耦接到开关元件。

公开(公告)号：CN117859057A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280057839.1

申请日：2022-06-23

Applicant: 皇家墨尔本理工大学

Inventor： S·斯里拉姆 ,  G·佩雷拉 ,  M·巴斯卡兰

IPC: G01N27/12 ,  H01L21/62 ,  G01N33/543 ,  G01N33/549 ,  G01N33/551

Abstract: 本发明提供一种用于检测生物分析物的传感器，其包括：基底；以相互间隔开且相对的关系布置在所述基底上的一对端电极；以及位于所述一对端电极之间并与所述一对端电极电接触的传感元件，其中所述传感元件包括：(i)所述基底的半导体部分，其中所述半导体部分包含高电阻率的非氧化物半导体，并且端电极之间的传导路径穿过所述半导体部分；以及(ii)在所述半导体部分的表面上的生物分析物结合位点，其中生物分析物与生物分析物结合位点的结合引起传感器的电阻变化。

公开(公告)号：CN117637712A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210969514.2

申请日：2022-08-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  刘新鑫 ,  钱蔚宏

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/62

Abstract: 一种电容器件的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成底层绝缘层、位于底层绝缘层上的若干重复堆叠的中间复合结构、以及位于中间复合结构上的顶层复合结构；在顶层复合结构上形成图形化层，图形化层暴露出顶层复合结构的部分顶部表面；以图形化层为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀顶层复合结构，直至暴露出位于顶层复合结构下一层的中间复合结构的顶部表面为止；采用若干次修整刻蚀工艺刻蚀顶层复合结构以及若干中间复合结构，直至暴露出底层绝缘层为止。由于修整刻蚀工艺是在前次的图形化层的基础上，对图形化层进行修整以调节图形化层的尺寸，因此不需要额外采用光罩工艺形成新的图形化层，以此降低制作成本。

公开(公告)号：CN109065463B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201810916518.8

申请日：2018-08-13

Applicant: 中国科学技术大学

Inventor： 初宝进 ,  陈攀

IPC: H01L21/62

Abstract: 本发明公开了一种整流方法，包括：提供具有稳定的内部应变梯度的材料；给所述具有稳定的内部应变梯度的材料的两端施加外电压，所述具有稳定的内部应变梯度的材料在外电压下保持单向导电。如果材料中存在着应变梯度，可产生由于挠曲电效应导致的介电极化，内部应变梯度可等效于一个内电场：“挠曲电电场”。由于挠曲电效应产生的“挠曲电电场”可以影响材料的导电行为，从而产生与传统的整流器件类似的整流效应。上述具有稳定的内部应变梯度的材料可选择任意满足要求的材料，借助挠曲电效应实现整流的方法，为当前电子工业提供一种颇具实用价值的选择。

公开(公告)号：CN108538817A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810178573.1

申请日：2018-03-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： E·弗里曼 ,  P·泰萨里欧

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/62

Abstract: 本发明涉及集成结构、电容器及形成电容器的方法。一些实施例包含一种集成结构，其具有半导体基底及所述半导体基底上的绝缘框架。所述绝缘框架具有垂直间隔的第一绝缘材料薄片及所述垂直间隔薄片之间的第二绝缘材料柱。所述第一与第二绝缘材料彼此不同。导电板在所述垂直间隔薄片之间且直接抵靠所述绝缘柱。一些实施例包含电容器，且一些实施例包含形成电容器的方法。

公开(公告)号：CN105280814A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510617080.X

申请日：2015-09-24

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋 ,  李敏华

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/62

Abstract: 本发明公开了一种新型相变存储单元及其制备方法，特点是半导体衬底上设置有呈水平分布的多层电极，多层电极的中间从下到上依次嵌设有相变存储薄膜及介质层，多层电极由至少两种不同的导电材料层按顺序上下交替排列形成至少10层界面结构，导电材料为TiN、Ti、Al、W、Ag、Au、Cu、TiW、HfN、WN、TaN或AlN，相变存储薄膜为存储材料Ge-Sb-Te体系，介质层采用的材料为Si3N4-或SiO2-，半导体衬底采用的材料为Si、SiC或SOI，多层电极的总厚度为150～500 nm，单层导电材料层的厚度为2-15nm，优点是有效地降低热量流失，充分提高加热效率，进而降低操作电流，实现低功耗。

公开(公告)号：CN118043654A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280057414.0

申请日：2022-06-23

Applicant: 皇家墨尔本理工大学 ,  彼得麦卡伦癌症中心

Inventor： T·艾哈迈德 ,  G·佩雷拉 ,  S·瓦利亚 ,  M·巴斯卡兰 ,  S·斯里拉姆 ,  S·福克斯 ,  A·费洛斯

IPC: G01N27/12 ,  H01L21/62 ,  C12Q1/6825 ,  C12Q1/6827 ,  C12Q1/6834

Abstract: 本发明提供一种用于检测核酸的传感器，其包括：基底；以相互间隔开且相对的关系布置在所述基底上的一对端电极；以及位于所述一对端电极之间并与所述一对端电极电接触的传感元件，其中所述传感元件包括：(i)所述基底的半导体部分，其中端电极之间的传导路径穿过所述半导体部分；以及(ii)在所述半导体部分的表面上的寡核苷酸，所述寡核苷酸与待检测的核酸互补，其中所述核酸与所述寡核苷酸的杂交引起所述传感器的电阻变化。