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公开(公告)号：CN118019347A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310687339.2
申请日：2023-06-12
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 李禹太
IPC: H10B63/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。半导体器件可以包括：存储单元，这些存储单元布置在第一方向和第二方向上，第二方向与第一方向相交；第一覆盖图案，这些第一覆盖图案沿第一方向延伸并且覆盖存储单元的第一侧壁；第二覆盖图案，这些第二覆盖图案沿第二方向延伸并且覆盖存储单元的第二侧壁；第一间隙填充图案，每个第一间隙填充图案位于沿第二方向相邻的第一覆盖图案之间；第二间隙填充图案，每个第二间隙填充图案位于沿第一方向相邻的第二覆盖图案之间；以及阻挡层，每个阻挡层位于第二间隙填充图案之间。
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公开(公告)号：CN112037834A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201911241650.4
申请日：2019-12-06
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请提供一种电子设备以及操作电子设备中的存储单元的方法。电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括：字线；位线；以及存储单元，其耦接到字线和位线并且设置在字线与位线之间，所述存储单元包括可变电阻层，所述可变电阻层不管储存在存储单元中的数据的值如何都保持在非晶态，其中，在复位操作中，通过将比存储单元的阈值电压的0.7倍大而比阈值电压的0.95倍小的亚阈值电压施加到存储单元，存储单元被编程为高电阻非晶态。
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公开(公告)号：CN118785721A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202311199855.7
申请日：2023-09-15
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 李禹太
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，该半导体器件可以包括：字线，该字线沿第一方向延伸；位线，该位线沿与第一方向交叉的第二方向延伸；可变电阻图案，该可变电阻图案设置在字线与位线之间，并且该可变电阻图案具有沿第一方向的第一宽度和沿第二方向的第二宽度，其中，第一宽度和第二宽度彼此不同；以及电极图案，该电极图案设置在可变电阻图案与位线之间，并且该电极图案具有沿第一方向的第三宽度和沿第二方向的第四宽度，其中，第三宽度和第四宽度彼此不同。
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公开(公告)号：CN118488715A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311093967.4
申请日：2023-08-28
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一导线，其在第一方向上延伸；第二导线，其在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；存储单元，其沿垂直于第一方向和第二方向的每一个的第三方向设置在第一导线和第二导线之间，所述存储单元的每一个包括可变电阻图案；第一间隙填充图案，其设置在所述存储单元之间并具有第一导热率；以及第二间隙填充图案，其沿第三方向设置在第一间隙填充图案上，并且具有比第一导热率更低的第二导热率，其中，所述第二间隙填充图案的每一个与所述第一间隙填充图案中相应一个的每一个之间的界面设置在可变电阻图案的上表面和下表面之间。
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公开(公告)号：CN112599663A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010711127.X
申请日：2020-07-22
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本申请提供一种硫族化物材料、可变电阻存储器件以及电子设备。硫族化物材料可以包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110844891B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910688303.X
申请日：2019-07-29
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 李禹太
Abstract: 提供一种硫族化物材料及包括其的电子设备。硫族化物材料可以包括1‑10原子百分比(at％)的硅、10‑20at％的锗、25‑35at％的砷、40‑50at％的硒和1‑10at％的碲。电子设备可以包括：包含硫族化物材料的开关元件，该硫族化物材料包括1‑10原子百分比(at％)的硅、10‑20at％的锗、25‑35at％的砷、40‑50at％的硒和1‑10at％的碲；第一电极，其电耦接到开关元件；以及第二电极，其电耦接到开关元件。
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公开(公告)号：CN112216792B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201911342395.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本申请提供一种电子设备及制造电子设备的方法。制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一有源层；在所述第一有源层之上形成第一电极材料；对所述第一电极材料和所述第一有源层执行热处理过程；以及在被热处理的第一电极材料上形成第二电极材料。
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公开(公告)号：CN112037834B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201911241650.4
申请日：2019-12-06
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请提供一种电子设备以及操作电子设备中的存储单元的方法。电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括：字线；位线；以及存储单元，其耦接到字线和位线并且设置在字线与位线之间，所述存储单元包括可变电阻层，所述可变电阻层不管储存在存储单元中的数据的值如何都保持在非晶态，其中，在复位操作中，通过将比存储单元的阈值电压的0.7倍大而比阈值电压的0.95倍小的亚阈值电压施加到存储单元，存储单元被编程为高电阻非晶态。
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公开(公告)号：CN110844892B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201910688949.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 提供一种硫族化物材料和电子设备。该硫族化物材料包括0.1‑5原子百分比(at％)的硅、15‑22at％的锗、30‑35at％的砷和40‑50at％的硒。该电子设备可以包括半导体存储器件，所述半导体存储器件包括第一存储单元，所述第一存储单元包括第一开关元件，其中所述第一开关元件可以包括硫族化物材料，其包括0.1‑5原子百分比(at％)的硅、15‑22at％的锗、30‑35at％的砷和40‑50at％的硒。
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公开(公告)号：CN112599663B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010711127.X
申请日：2020-07-22
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本申请提供一种硫族化物材料、可变电阻存储器件以及电子设备。硫族化物材料可以包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。
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