公开(公告)号：CN101202100A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200610166937.1

申请日：2006-12-15

申请人： 智原科技股份有限公司

发明人： 邱智康 ,  石维强

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C8/12 ,  G11C11/41 ,  G11C17/10 ,  H01L27/105

摘要： 一种组合存储单元，包括静态随机存取存储单元及掩膜式只读存储编码器，静态随机存取存储单元包括第一与第二反相器，第一反相器包括第一P型金属氧化物半导体晶体管与第一N型金属氧化物半导体晶体管，第二反相器包括一第二P型金属氧化物半导体晶体管与一第二N型金属氧化物半导体晶体管，掩膜式只读存储编码器与该第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接或与该第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接，并决定存储单元为随机存取存储模式或只读存储模式。

公开(公告)号：CN101110269A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200610159413.X

申请日：2002-11-17

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10

摘要： 本发明提出一种三维只读存储器(3D－ROM)中的二极化存储元，该二极化存储元含有两个具有不同基材料的次膜，或与其上下电极具有不同界面。二极化存储元能提高3D－ROM单位阵列的大小，从而提高其可集成性。本发明还提出一种3D－ROM中的无缝存储元，它能提高3D－ROM的成品率。

公开(公告)号：CN100350507C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN03159809.9

申请日：2003-09-25

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 林光昭

IPC分类号： G11C17/10 ,  G11C17/18

CPC分类号： H01L27/11253 ,  G11C7/12 ,  G11C17/12 ,  H01L27/112

摘要： 鉴于晶体管的关断漏泄因微细化而增大，无需为保持位线的“H”电平所需的电荷补给用晶体管，即可高速读出位线为“L”电平的存储数据，从而提供可高速读出的半导体集成电路。为此，设置了高电位源布线和低电位源布线。然后，将存储单元的源有选择地连接到高电位源布线和低电位源布线中的某一源布线上。在读出时使位线电位保持在“H”电平的存储数据的情形下，存储单元的源被连接到高电位源布线上；在读出时使位线电位下降到“L”电平的存储数据的情形下，存储单元的源被连接到低电位源布线上。

公开(公告)号：CN1897161A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610100860.8

申请日：2006-07-09

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10

CPC分类号： H01L27/1021

摘要： 本发明提出一种N(＞2)进制掩膜编程存储器(N－MPM)，尤其是三维N(＞2)进制掩膜编程存储器(3－D N－MPM)。N－MPM存储元具有N种可能状态。数字信息按N进制代码来存储。由于每个存储元可以存储＞1位信息，N－MPM比常规的二进制MPM(2－MPM，每个存储元存储1位信息)存储密度大。

公开(公告)号：CN114613416A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202011401609.1

申请日：2020-12-03

申请人： 浙江驰拓科技有限公司

发明人： 何世坤 ,  周伟华 ,  熊保玉

IPC分类号： G11C17/10 ,  G11C17/14 ,  G11C17/18

摘要： 本申请提供了一种OTP单元和存储器，该OTP单元包括硬击穿组件、数据读取单元和开关单元，其中，硬击穿组件包括至少两个硬击穿器件，硬击穿组件在短路状态时的输出电压与硬击穿组件在非短路状态时的输出电压不同，短路状态为所有的硬击穿器件均短路的状态，非短路状态为除短路状态外的其他状态，硬击穿器件为具有硬击穿特性的器件；数据读取单元与硬击穿组件电连接，数据读取单元用于将硬击穿组件的输出电压转换为数字信号并输出；开关单元包括至少两个开关器件，开关单元与硬击穿组件和数据读取单元分别电连接，开关器件的数量与硬击穿器件的数量相同且一一对应电连接。该OTP单元保证了其可靠性能较好。

公开(公告)号：CN105348289B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201510728912.5

申请日：2015-10-30

申请人： 南京邮电大学

发明人： 解令海 ,  冯全友 ,  韩业龙 ,  李斌 ,  卞临沂 ,  余洋 ,  仪明东 ,  黄维

IPC分类号： C07D487/08 ,  C07D495/22 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54 ,  G11C17/10

摘要： 本发明涉及一类纳米格子与纳米聚合物格子材料及其制备和应用方法，属于光电高新技术领域。该类纳米聚合物材料是以纳米格子为单体的均聚物或共聚物，具体通式结构如下：该类材料具有以下特点：(1)纳米格子单体表现兼有孔与半导体光电特征；(2)原料廉价、易得，反应条件温和、容易操作；(3)具有纳米材料优良的机械特性；(4)具有较好的溶解度，方便进行纳米薄膜或纤维化加工；(5)刚性骨架具有高玻璃化转变温度、高热学、电化学稳定性、光谱稳定性等优点。因此，聚格子有希望成为新一代实用纳米高分子光电材料，这类纳米聚合物格子材料在有机电子、自旋电子、光电子、机械电子以及纳米生物等领域具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN101221816B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200710048243.2

申请日：2007-01-12

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10

摘要： 具有预留空间的掩膜编程存储器本发明提出了一种具有预留空间的掩膜编程存储器(RS-MPM)。在首版发行时，其存储空间含有一首版空间和一预留空间，该首版空间存储首版资料，而该预留空间不存储任何有效信息。与该预留空间对应的信息掩膜版区域为掩膜版预留区，它为全暗(dark)或全亮(clear)。当后续版本发行时，在掩膜版预留区内形成后续资料的掩膜图形，故后续资料存储在预留空间。

公开(公告)号：CN1979683B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200610164134.2

申请日：2006-12-06

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 岡本一好 ,  柳泽一正

IPC分类号： G11C17/10 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522

CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C17/12

摘要： 提供可高速运行的高密度掩膜ROM。借助掩膜ROM，各源线被设置以被彼此邻近的各列中的存储器单元共享，位元线被设置以对应于存储器单元各列。为存储器单元各列设置空单元。空单元每个由包括第一开关晶体管和第二开关晶体管的串联电路组成，第一开关晶体管响应空字元线(DWL)上的信号电势切换到导通状态，第二开关晶体管(17)响应相应列中源线电势将相邻源线耦合至相应位元线。存储器单元每个由一个单位的晶体管和由掩膜布线形成的数据存储装置组成。读数据时，选择列中源线电势经历变化，从而在由被选择存储器单元耦合到的被选择位元线和空单元耦合到的基准位元线组成的对之间产生电势差，使得可以通过检测电势差执行数据读出。

公开(公告)号：CN101794783A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200810189015.1

申请日：2002-11-17

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  G11C17/10

摘要： 本发明提出一种采用高带隙半导体材料的三维只读存储器(3D-ROM)。其3D-ROM膜含有高带隙半导体材料，从而缩短3D-ROM的高温性能。

公开(公告)号：CN101471139A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810183095.X

申请日：2002-11-17

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10 ,  H01L27/112

摘要： 本发明对三维存储器(3D－M)作了进一步改进，并充分利用其与衬底电路的可集成性，来提高3D－M的速度、成品率和可编程性。3D－M可以利用读出放大器(S/A)、全读模式和自定时来提高其读速度。使用S/A和全读模式还能极大地提高3D－M单位阵列的容量，因而增强3D－M与衬底电路的可集成性。衬底电路上还可以嵌入RAM作为3D－M数据的cache，或ROM作为3D－M数据的纠错数据和/或升级码。