公开(公告)号：CN1979683B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200610164134.2

申请日：2006-12-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 岡本一好 ,  柳泽一正

IPC: G11C17/10 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522

CPC classification number: G11C7/14 ,  G11C17/12

Abstract: 提供可高速运行的高密度掩膜ROM。借助掩膜ROM，各源线被设置以被彼此邻近的各列中的存储器单元共享，位元线被设置以对应于存储器单元各列。为存储器单元各列设置空单元。空单元每个由包括第一开关晶体管和第二开关晶体管的串联电路组成，第一开关晶体管响应空字元线(DWL)上的信号电势切换到导通状态，第二开关晶体管(17)响应相应列中源线电势将相邻源线耦合至相应位元线。存储器单元每个由一个单位的晶体管和由掩膜布线形成的数据存储装置组成。读数据时，选择列中源线电势经历变化，从而在由被选择存储器单元耦合到的被选择位元线和空单元耦合到的基准位元线组成的对之间产生电势差，使得可以通过检测电势差执行数据读出。