光抽运的半导体激光装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1650490A

    公开(公告)日:2005-08-03

    申请号:CN03810050.9

    申请日:2003-05-05

    Inventor: S·卢特根

    Abstract: 本发明涉及一种光抽运的半导体激光装置,它有一个垂直发射体(1),该发射体具有一个中央波导管(3)和一个布置在中央波导管(3)之内的具有至少一个量子层(5)的量子阱结构,它还有一个抽运辐射源,它使量子室腔结构光抽运,而且它至少包括有一个光抽运波导管(9),抽运光(11)在该光抽运波导管(9)里导向。中央波导管(3)的宽度(A)大于光抽运波导管(9)的宽度(B),其中中央波导管(3)的宽度(A)和光抽运波导管(9)的宽度(B)相互匹配,从而使垂直发射体(1)的量子阱结构均匀地受到光抽运。

    一种具有侧向光限制的半导体激光二极管

    公开(公告)号:CN1440095A

    公开(公告)日:2003-09-03

    申请号:CN02123170.2

    申请日:2002-06-26

    CPC classification number: H01S5/1071 H01S5/1075 H01S5/1085 H01S5/125

    Abstract: 本发明提供一种具有侧向光学腔的半导体激光二极管,而该侧向光学腔的材料是以III-V及II-IV半导体化合物或其合金为基础。本发明的本质是利用多角形表面光栅共振器以侧向限制光线,并且选择光学模式。PGR允许单一光学模式激光二极管的制作,以用于各种应用如CD或DVD读写头、高质量打印机等。而PGR也允许半导体激光二极管的受控的多重波长操作,以用以电通讯目的。相较于已知的平台结构或脊形光学腔(ridge optical cavity)共振器(resonator),PGR的优点在于表面光栅制程与平面半导体技术的整合的简易性。

Patent Agency Ranking