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公开(公告)号：CN107026015A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610827306.3
申请日：2016-09-14
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/0085 , H01G4/012 , H01G4/1227 , H01G4/232 , H01G4/1209
摘要： 一种层叠电子部件，具备沿着第三轴的方向交替层叠有与包含第一轴及第二轴的平面实质上平行的内部电极层和电介质层的元件主体，在元件主体的第一轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备绝缘层，在元件主体的第二轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与内部电极层电连接的外部电极，内部电极层的第一轴方向的端部从电介质层的第一轴方向的端部沿第一轴的方向以规定的引入距离向内侧引入，内部电极层的主成分为Ni，在内部电极层的第一轴方向的端部和绝缘层之间存在反应部，反应部中含有Ti和Zn，反应部的Ti的含量为0.1重量％以上且低于20重量％，反应部的Zn的含量为0.1重量％以上且低于10重量％。
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公开(公告)号：CN106876135A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611113958.7
申请日：2016-12-06
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 岛田康平
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/1209
摘要： 本发明提供一种实现陶瓷层的薄层化并且具有充分的高温负载寿命的层叠陶瓷电容器。本发明所涉及的层叠陶瓷电容器(10)具备：包含具有钙钛矿构造的结晶粒子的多个陶瓷层(30)以及多个第1以及第2内部电极层(40a、40b)层叠形成的层叠体(20)；和形成于层叠体(20)的第1以及第2端面(26a、26b)的第1以及第2外部电极(50a、50b)，在将Ti的含量设为100摩尔份时，含0.10摩尔份以上且15.00摩尔份以下的Ca，含0.0010摩尔份以上且0.0097摩尔份以下的Mg，含0.50摩尔份以上且4.00摩尔份以下的R，含0.10摩尔份以上且2.00摩尔份以下的M，含0.50摩尔份以上且2.00摩尔份以下的Si，并且结晶粒子的核心部中包含Ca。
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公开(公告)号：CN106866139A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710044199.1
申请日：2017-01-19
申请人： 山东国瓷功能材料股份有限公司
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , H01G4/1209 , H01G4/30
摘要： 本发明涉及一种电介质陶瓷材料，尤其涉及一种铜内电极MLCC用C0G介质陶瓷材料及其制备方法和应用。该介质陶瓷材料由包括主成分和辅助添加剂的原料制成，以主成分为100mol计，辅助添加剂为2.0～6.0mol；主成分为采用水热法制备而成的(Ca1‑xSrx)yZrO3；辅助添加剂为MgTiO3、CuO、MnCO3、SiO2、ZnO、H3BO3中的至少五种。该制备方法为将所述原料进行研磨，然后烘干、过筛，即得。该陶瓷材料可在未添加助熔玻璃的情况下进行低温烧结，适于制造铜内电极MLCC，且与铜内电极匹配性良好。利用该陶瓷材料制备的多层陶瓷电容器高频特性优良，温度特性为C0G特性。
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公开(公告)号：CN106356189A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610554708.0
申请日：2016-07-14
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/005 , H01G4/1218 , H01G4/232 , H01G4/012 , H01G4/1209 , H01G4/248
摘要： 本发明提供层叠陶瓷电容器，即使侧留边部的宽度方向的尺寸较小也能谋求侧留边部的强度的提升，可靠性得以提升。本发明所涉及的层叠陶瓷电容器(10)由层叠体(12)和分别形成于层叠体(12)的两端面的第1以及第2外部电极(40、42)构成。其特征在于，若在从层叠方向观察层叠体(12)的截面将不存在第1内部电极(22)和第2内部电极(24)的区域设为侧留边部(32、34)，则侧留边部(32、34)具有多个侧留边层，相比于最靠内部电极侧的侧留边层，内部电极侧的侧留边层以外的侧留边层的Si的含有量更多。
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公开(公告)号：CN103971925B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201310491661.4
申请日：2013-10-18
申请人： 太阳诱电株式会社
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/12 , H01G4/1209
摘要： 本发明提供一种层叠陶瓷电容器，实现在小型大容量的层叠陶瓷电容器中的CR积的改善。位于层叠体的最外层位置P1的电介质晶粒的平均粒径为D1、位于层叠体的中央位置P2的电介质晶粒的平均粒径为D2、位于层叠体的侵入25％的位置P3的电介质晶粒的平均粒径为D3的层叠陶瓷电容器中，通过局部地抑制烧制导致的电介质晶粒的晶粒成长，使得平均粒径D1、D2和D3的关系满足1.5×D1＜D3且1.2×D2＜D3的条件。由此，即使为1μm以下的电介质厚度，也能够获得充分的CR积。
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公开(公告)号：CN104186027B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201380009276.X
申请日：2013-02-05
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H05K3/46 , C04B35/462 , H01B3/02 , H01G4/12 , H01G4/30 , H05K1/03 , C04B35/00 , C04B35/20 , C04B35/443
CPC分类号： H01B3/12 , B32B7/02 , B32B18/00 , C03C3/064 , C03C4/16 , C03C8/20 , C03C12/00 , C04B35/20 , C04B35/443 , C04B35/462 , C04B35/478 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3445 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/6025 , C04B2235/80 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/62 , H01G4/105 , H01G4/12 , H01G4/1209 , H01G4/1218 , H01G4/129 , H01G4/30 , H05K1/024 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , H05K2201/10371 , Y10T428/24942
摘要： 本发明提供一种具备被共烧成的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层、且在低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层中可得到相应的特性的复合层叠陶瓷电子部件。由玻璃陶瓷构成低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)，在低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)中使玻璃等的含有比率不同，其中该玻璃陶瓷包含：由MgAl2O4和/或Mg2SiO4构成的第一陶瓷；由BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)以及TiO2构成的第二陶瓷；分别包含44.0～69.0重量％的RO(R为碱土类金属)、14.2～30.0重量％的SiO2、10.0～20.0重量％的B2O3、0.5～4.0重量％的
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公开(公告)号：CN106082991A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610412207.9
申请日：2016-06-13
申请人： 吴江佳亿电子科技有限公司
发明人： 陆全明
IPC分类号： C04B35/00 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/634 , H01G4/12
CPC分类号： C04B35/00 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/63416 , C04B35/63432 , C04B35/63484 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3267 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3817 , C04B2235/442 , C04B2235/448 , C04B2235/5216 , C04B2235/9607 , H01G4/1209
摘要： 本发明公开了一种高频补偿型陶瓷电容器材料，由下列重量份的原料制成：金红石5‑22份、纳米陶瓷粉25‑40份、钛酸钙5‑17份、碳酸钠4‑9份、玻璃纤维2‑9份、三碳化四铝2‑5份、二氧化硅5‑11份、锡酸钡3‑7份、碳酸钙5‑12份、硅酸锆3‑8份、二氧化锰3‑7份、有机粘合剂7‑13份、变性剂2‑6份、还原剂3‑8份。制备而成的高频补偿型陶瓷电容器材料，电容性能稳定，有温度补偿性能，能适应环境温度的变化持续正常工作。同时，还公开了这种高频补偿型陶瓷电容器材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN105967680A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610144652.1
申请日：2016-03-14
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/49
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/488 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3248 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2237/68 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/1245 , H01G4/30 , C04B35/481
摘要： 本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及具有由上述介电陶瓷组合物形成的介电体层的陶瓷电子部件，其特征在于，上述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、Eu的氧化物、Ra(Sc、Er、Tm、Yb、Lu)的氧化物、Rb(Y、Dy、Ho、Tb、Gd)的氧化物以及Si的氧化物，相对于100摩尔的上述主成分，如果将上述Eu的氧化物的含量记为α摩尔，将上述Ra的氧化物的含量记为β摩尔，将上述Rb的氧化物的含量记为γ摩尔，将上述Si的氧化物的含量记为δ摩尔，则0.075≤α≤0.5、0.5≤β≤3、1.0≤γ≤4、1.5≤δ≤5、0.030≤α/δ≤0.250。
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公开(公告)号：CN104637681A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410191088.X
申请日：2014-05-07
申请人： 三星电机株式会社
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/1209 , H01G4/232
摘要： 公开了一种多层陶瓷电子组件和具有该多层陶瓷电子组件的板，该多层陶瓷电子组件可以包括：陶瓷主体，具有堆叠在陶瓷主体中的多个介电层；有效层，包括形成为交替地暴露到陶瓷主体的两个端表面的多个第一内部电极和第二内部电极，介电层设置在第一内部电极和第二内部电极之间；第一外部电极和第二外部电极，设置在陶瓷主体的两个端表面上并且分别电连接到第一内部电极和第二内部电极。有效层可以包括具有铁电层的第一有效层和具有顺电层的第二有效层，第一有效层和第二有效层交替地堆叠。
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公开(公告)号：CN104637675A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410612861.5
申请日：2014-11-04
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/16 , C04B2235/3298 , C04B2235/3427 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/80 , H01G4/085 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L28/55
摘要： 本发明涉及介电组合物，提供一种维持高的相对介电常数并且显示良好的温度特性的介电组合物。所述介电组合物含有通式Bi12SiO20所表示的结晶相和通式Bi2SiO5所表示的结晶相作为主要成分。优选所述介电组合物含有Bi2SiO5结晶相5质量％～99质量％，进一步优选为30质量％～99质量％。
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