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公开(公告)号：CN105967679A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610143554.6
申请日：2016-03-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/488 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3249 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , H01G4/30 , H01B3/12
Abstract: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物，其特征在于，所述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、作为稀土元素的氧化物的第1副成分、和作为Si的氧化物的第2副成分，至少含有具有核壳结构的介电体颗粒以及偏析颗粒，上述偏析颗粒中的上述稀土元素的浓度为上述具有核壳结构的介电体颗粒的壳部中的上述稀土元素的平均浓度的2倍以上，在切断上述介电陶瓷组合物的截面中，上述偏析颗粒所占的区域的面积为5.0％以下，各个上述偏析颗粒的截面积的平均为0.075μm2以下。
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公开(公告)号：CN105967679B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610143554.6
申请日：2016-03-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物，其特征在于，所述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、作为稀土元素的氧化物的第1副成分、和作为Si的氧化物的第2副成分，至少含有具有核壳结构的介电体颗粒以及偏析颗粒，上述偏析颗粒中的上述稀土元素的浓度为上述具有核壳结构的介电体颗粒的壳部中的上述稀土元素的平均浓度的2倍以上，在切断上述介电陶瓷组合物的截面中，上述偏析颗粒所占的区域的面积为5.0％以下，各个上述偏析颗粒的截面积的平均为0.075μm2以下。
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公开(公告)号：CN105967680B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610144652.1
申请日：2016-03-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/49
Abstract: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及具有由上述介电陶瓷组合物形成的介电体层的陶瓷电子部件，其特征在于，上述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、Eu的氧化物、Ra(Sc、Er、Tm、Yb、Lu)的氧化物、Rb(Y、Dy、Ho、Tb、Gd)的氧化物以及Si的氧化物，相对于100摩尔的上述主成分，如果将上述Eu的氧化物的含量记为α摩尔，将上述Ra的氧化物的含量记为β摩尔，将上述Rb的氧化物的含量记为γ摩尔，将上述Si的氧化物的含量记为δ摩尔，则0.075≤α≤0.5、0.5≤β≤3、1.0≤γ≤4、1.5≤δ≤5、0.030≤α/δ≤0.250。
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公开(公告)号：CN105967680A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610144652.1
申请日：2016-03-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/49
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/488 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3248 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2237/68 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/1245 , H01G4/30 , C04B35/481
Abstract: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及具有由上述介电陶瓷组合物形成的介电体层的陶瓷电子部件，其特征在于，上述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、Eu的氧化物、Ra(Sc、Er、Tm、Yb、Lu)的氧化物、Rb(Y、Dy、Ho、Tb、Gd)的氧化物以及Si的氧化物，相对于100摩尔的上述主成分，如果将上述Eu的氧化物的含量记为α摩尔，将上述Ra的氧化物的含量记为β摩尔，将上述Rb的氧化物的含量记为γ摩尔，将上述Si的氧化物的含量记为δ摩尔，则0.075≤α≤0.5、0.5≤β≤3、1.0≤γ≤4、1.5≤δ≤5、0.030≤α/δ≤0.250。
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