公开(公告)号：CN102203915B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN200980143153.9

申请日：2009-10-21

申请人： 先进微装置公司

发明人： U·格里布诺 ,  A·卫 ,  J·亨奇科 ,  T·沙伊帕

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/165 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： 在形成复杂的晶体管元件的制造工艺中，可减少栅极的高度，也可在各自的金属硅化物区域形成之前，在共同的蚀刻序列得到漏极和源极配置。因为在蚀刻序列时，相应的侧壁间隔结构可维持，因此可控性和栅电极内的硅化处理的统一性可加强，从而得到减少程度的阈值变异性。此外，可提供凹槽式漏极和源极配置以减少整体串联电阻和增加应力传递效率。

公开(公告)号：CN102057344B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN200980121980.8

申请日：2009-06-10

申请人： 先进微装置公司

发明人： M·Y·莱尔曼

IPC分类号： G06F1/32

CPC分类号： G06F1/3203 ,  G06F1/3293 ,  Y02D10/122 ,  Y02D10/126 ,  Y02D50/20

摘要： 本发明提供一种当第一处理器在操作的睡眠模式时用以优化计算机性能的设备、方法和系统。例如，于该设备的实施例中，该设备包括第一处理器、第二处理器(在此亦可称为“睡眠”处理器)、和一个或多个外围装置。在操作的活动模式期间，该第一处理器与该外围装置相互作用并控制该外围装置的功能。然而，当该第一处理器在操作的睡眠模式时，该睡眠处理器配置成控制包含该第一处理器和该睡眠处理器的计算机系统的一个或多个功能。该些功能可包括当该第一处理器在操作的睡眠模式时未另行控制的应用。因此，由于该第一处理器仍然在睡眠模式较长的一段时间，该计算机系统的电力管理进行了改进。

公开(公告)号：CN104583981A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380044104.6

申请日：2013-08-15

申请人： 先进微装置公司

发明人： D·W·麦考利 ,  S·P·汤普森

IPC分类号： G06F12/08

CPC分类号： G06F12/0862 ,  G06F12/0897 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/6028

摘要： 本公开提供了一种使用预取提示的方法和装置。所述方法的一个实施方案包括：在与第一高速缓冲存储器(120)相关联的第一预取器(150)处，绕过发出对从所述第一预取器确定的存储器地址序列中的一定数目的存储器地址预取数据的请求。所述数目被指示在从与第二高速缓冲存储器(125)相关联的第二预取器(140)接收的请求中。所述方法的这个实施方案还包括从所述第一预取器发出对从所绕过的存储器地址后的存储器地址预取数据的请求。

公开(公告)号：CN104488369A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380038331.8

申请日：2013-06-21

申请人： 先进微装置公司

发明人： J-P·弗里克

IPC分类号： H05K7/14

CPC分类号： H05K7/1441 ,  H05K7/1444 ,  H05K7/20554 ,  H05K7/20581 ,  H05K7/20718

摘要： 本发明公开了一种电子机架，所述电子机架具有位于滑件(30)上的许多可移除板(50)，所述可移除板通过蜂巢互连结构互连。Y平面和Z平面中的互连板(10、12)彼此是正交的并且形成巢室。冷却空气在平行于所述互连板的表面的X方向上流过所述巢室。所述可移除板具有配合互连Z分隔板(14)边缘的连接器(40、42、44)。风扇吹送空气无阻碍地通过所述蜂巢结构中的巢室，因为板都不垂直于气流。在所述Z分隔板的后面中的凹口使得气流均衡，从而允许风扇与所述蜂巢结构的间距更近。滑件载架蜂巢结构(16、18、19)放置在所述蜂巢互连结构的前面以将滑件引导到适当位置中。滑件载架隔板(16)偏离所述Z分隔板，以便允许可移除板对准平行于气流的Z平面中的Z分隔板。

公开(公告)号：CN102597950B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080048071.9

申请日：2010-09-02

申请人： 先进微装置公司

发明人： R·麦克拉里 ,  F·利尔罗斯 ,  G·J·程

IPC分类号： G06F9/38 ,  G06F9/48 ,  G06F9/50

CPC分类号： G06F9/3851 ,  G06F9/3877 ,  G06F9/4881

摘要： 本发明揭露一种在第二处理器例如GPU上排程并执行由第一处理器例如CPU发出之命令的装置及方法。在一实施例中，在图形处理单元(Graphics Processing Unit；GPU)上执行处理的方法包括监控存储器中的一个或多个缓冲区，基于该GPU的工作量概况自该一个或多个缓冲区选择第一子集以执行于该GPU上，以及在该GPU上执行该第一子集。该GPU还可接收该一个或多个缓冲区的优先顺序，其中，该选择进一步基于该接收之优先顺序。通过在该GPU中执行命令的优先顺序确定及排程，系统性能得以提升。

公开(公告)号：CN101479842B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200780024239.0

申请日：2007-04-05

申请人： 先进微装置公司

发明人： R·塞德尔 ,  C·彼得斯 ,  F·福斯特尔

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： B81B7/0006 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1021

摘要： 藉由根据可共同地在可被模制的材料(103)上形成通孔开孔(viaopening)及沟槽压印技术(150)而形成金属化结构，可因省略了传统工艺技术中需要至少一另外的对准工艺，而使工艺复杂性获得显著的降低。此外，亦可藉由提供被适当设计的压印模具而增加压印微影术的弹性及效率，以便提供展现增加的填充能力的通孔开孔及沟槽，也因而改善了最后得到的金属化结构有关可靠性及对电迁移的抗性等之效能。

公开(公告)号：CN102187453B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200980141244.9

申请日：2009-09-29

申请人： 先进微装置公司

发明人： S·拜尔 ,  K·弗罗贝格 ,  K·赖歇 ,  K·拉特洛夫

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897

摘要： 基于硬掩模(233)可形成接触元件，而基于第一阻剂掩模(210)和基于第二阻剂掩模(211)可图样化该硬掩模(233)，藉此可定义可描述接触元件的最终设计尺寸的适当交叉区域(234)。结果，可用限制较少的约束基于黄光微影制程来形成每个阻剂掩模，因为可选择横向尺寸中的至少一者作为两个阻剂掩模中的每一的非关键尺寸。

公开(公告)号：CN102047241B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980119960.7

申请日：2009-06-01

申请人： 先进微装置公司

发明人： M·J·曼托 ,  B·恩贝林

IPC分类号： G06F15/167

CPC分类号： G06F9/3009 ,  G06F9/30087 ,  G06F9/30098 ,  G06F9/30123 ,  G06F9/3834 ,  G06F9/3851 ,  G06F9/3885 ,  G06F9/3887 ,  G06F15/16 ,  G06F15/8007 ,  G06T1/20

摘要： 本发明揭露一种图形处理单元，该图形处理单元具有处理器，该处理器具有一个或多个SIMD处理单元，以及对应该一个或多个SIMD处理单元之一的本地数据共享，该本地数据共享包括供分配至一个或多个执行波阵面(wavefront)的各线程群组的一个或多个低延迟可访问存储区，以及全局数据共享，该全局数据共享包括供各线程群组的一个或多个低延迟存储区。

公开(公告)号：CN102214585B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201110154040.8

申请日：2004-01-15

申请人： 先进微装置公司

发明人： J·X·安 ,  汪海宏 ,  B·于

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： 一种在金属氧化物半导体场效应晶体管中形成栅极的方法，包括鳍部结构(310)、形成于邻接该鳍部结构(310)的第一侧边的第一栅极(410)、形成于邻接该鳍部结构(310)相对于该第一侧边的第二侧边的第二栅极(420)、以及形成于该鳍部结构(310)上端的上端栅极(610)。一种栅极环绕金属氧化物半导体场效应晶体管(800)，包括多个鳍部(1110)、形成于邻接该多个鳍部(1110)其中一个鳍部的第一侧壁栅极结构(1010)、形成于邻接该多个鳍部(1110)其中另一个鳍部的第二侧壁栅极结构(1020)、形成于该多个鳍部(1110)其中一个或多个鳍部上的上端栅极结构(1230)、以及形成于该多个鳍部(1110)其中一个或多个鳍部(1110)下的底部栅极结构(1240)。

公开(公告)号：CN103262028A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059045.0

申请日：2011-10-04

申请人： 先进微装置公司

发明人： J·雷普利

IPC分类号： G06F9/30 ,  G06F9/38

CPC分类号： G06F9/384 ,  G06F9/3013

摘要： 本发明提供一种用于浮点寄存器高速缓存的方法及设备。本方法的一实施例包含将通过第一指令集所定义的第一架构寄存器集映射至位于多个实体寄存器外的存储器。该多个实体寄存器是配置成用以映射至该第一架构寄存器集、通过第二指令集所定义的第二架构寄存器集、及重命名寄存器集。本方法的实施例也包含将对应于该第一架构寄存器集的该实体寄存器增加至该重命名寄存器集。