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公开(公告)号：CN105655427B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201510892086.8
申请日：2015-11-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50
Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
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公开(公告)号：CN102214709B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010519088.X
申请日：2010-10-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及选择性发射极太阳能电池。选择性发射极太阳能电池包括：第一导电类型的基板；第二导电类型的发射极层，其位于基板的光接收表面上；以及多个第一电极，其位于发射极层上，并且电连接到发射极层。发射极层包括具有第一杂质浓度的第一发射极部分、和具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度的第二发射极部分。第二发射极部分包括第一区域和第二区域，第一区域直接接触所述多个第一电极中的至少一个第一电极并与所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极交叠，所述第二区域位于所述第一区域周围并且不与所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极交叠。第二区域的线宽度等于或小于所述多个第一电极中的每一个第一电极的线宽度的大约八倍。
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公开(公告)号：CN107026218A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710054307.3
申请日：2017-01-24
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/324
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L31/0216 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0236 , H01L31/024 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/105 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/186 , H01L31/202 , H01L31/208 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/324
Abstract: 根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成氧化硅膜；以及将氧化硅膜连续地暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对氧化硅膜进行退火。
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公开(公告)号：CN105655427A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510892086.8
申请日：2015-11-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , H01L31/04
Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
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公开(公告)号：CN102544135A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110441952.3
申请日：2011-12-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基板；位于所述基板处的发射极区，其具有第一薄层电阻率；位于所述基板处的第一高掺杂区，其具有小于所述第一薄层电阻率的第二薄层电阻率；第一电极，其位于所述基板处并且连接到所述发射极区和所述第一高掺杂区；以及第二电极，其位于所述基板处并且连接到所述基板，其中，所述第一高掺杂区与所述第一电极交叉，并且连接到所述第一电极，所述第一高掺杂区的上表面从所述发射极区的上表面向所述基板的光入射表面突出，以及所述第一高掺杂区的下表面具有与所述发射极区的下表面相同的高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214709A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010519088.X
申请日：2010-10-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及选择性发射极太阳能电池。选择性发射极太阳能电池包括：第一导电类型的基板；第二导电类型的发射极层，其位于基板的光接收表面上；以及多个第一电极，其位于发射极层上，并且电连接到发射极层。发射极层包括具有第一杂质浓度的第一发射极部分、和具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度的第二发射极部分。第二发射极部分包括第一区域和第二区域，第一区域直接接触所述多个第一电极中的至少一个第一电极并与所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极交叠，所述第二区域位于所述第一区域周围并且不与所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极交叠。第二区域的线宽度等于或小于所述多个第一电极中的每一个第一电极的线宽度的大约八倍。
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公开(公告)号：CN108400173B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810110898.6
申请日：2018-02-05
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/04
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。
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公开(公告)号：CN108400173A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810110898.6
申请日：2018-02-05
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , C03C4/14 , C03C8/10 , C03C8/18 , C03C2204/00 , C03C2205/00 , H01B1/16 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/1864
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。
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公开(公告)号：CN104617173A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510092999.1
申请日：2008-11-05
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0684 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。
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