公开(公告)号：CN102394209A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110252293.9

申请日：2009-11-02

Applicant: FEI公司

Inventor： R.J.杨 ,  B.彼得森 ,  M.莫里亚蒂 ,  R.J.P.G.尚珀斯

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/304 ,  G01N1/28

CPC classification number: H01J37/3056 ,  G01N1/286 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24455 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及样本厚度的测量和端点确定。一种用于TEM样本产生的改进的方法。SEM-STEM检测器在双射束FIB/SEM中的使用允许使用FIB对样本进行薄化，同时使用STEM信号来监视样本厚度。本发明的优选实施例能够通过使用可再现且适合于自动化的精确端点检测方法来测量S/TEM样本的厚度或产生S/TEM样本。优选实施例还使得能够在TEM薄片产生过程中进行自动端点确定，并在手动薄化期间为用户提供关于样本厚度的直接反馈。本发明的优选实施例因此提供用于确定样本薄化的缺点的改进方法和将部分地或完全地使端点确定自动化以提高TEM样本产生的生产量和可再现性的方法。

公开(公告)号：CN102246258A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980149693.8

申请日：2009-10-11

Applicant: FEI公司

Inventor： R.J.杨 ,  C.吕 ,  P.D.卡尔森

IPC: H01J37/20

CPC classification number: H01L22/12 ,  G06T7/73 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/30148 ,  H01J37/222 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/31749 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在半导体芯片制造领域中用于局部区域导航的高精确度射束放置的改进方法。本发明举例说明一种其中甚至在工作台/导航系统不能正常地进行到相对较大的局部区域（例如，区域200μm×200μm）内的感兴趣位点的高精确度导航的情况下也有可能进行此类高精确度导航的方法。大的区域、高分辨率扫描、数字变焦和图像到理想化坐标系的配准的组合使得能够在不依赖于工作台移动的情况下在局部区域周围实现导航。一旦获取了图像，则任何样本或射束漂移将不影响对准。优选实施例因此允许具有低于100nm精确度的到样本上的位点的精确导航，甚至在没有高精确度工作台/导航系统的情况下。