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公开(公告)号：CN109194327B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201811008418.1
申请日：2018-08-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03L7/089
Abstract: 本发明请求保护一种用于延迟锁相环的低失配率的电荷泵电路，主要包括带电流补偿的偏置电路、电流轮式电荷泵电路以及负反馈电流补偿电路。在电流轮式电荷泵电路中采用虚拟开关管能有效地抑制电荷注入和时钟馈通等效应，在PMOS管M7的源漏端以及NMOS管M16的源漏端分别加入PMOS管M18构成的MOS电容以及NMOS管M6构成的MOS电容，能减少电荷泵电路的开关管在同时开启或同时闭合时的电流毛刺；将补偿电流I2、补偿电流I4、补偿电流I21以及补偿电流I26引入到电流轮式电荷泵电路中，减少电荷泵电路的充/放电电流的失配率，从而实现一种用于延迟锁相环的低失配率的电荷泵电路。
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公开(公告)号：CN111240386B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010105921.X
申请日：2020-02-20
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种自补偿的电流舵电荷泵电路，包括充/放电电流源补偿电路及电荷泵核心电路。充/放电电流源补偿电路采用自补偿技术，当电荷泵输出电压变化时实现电荷泵的充/放电电流自补偿，提高充/放电电流匹配特性；电荷泵核心电路采用4对互补开关，减小电荷泵电路的时钟馈通和电荷注入效应，放大器A1采用单位增益连接使得放大器A1的输出电压VC跟随电荷泵输出电压Vout变化而变化，抑制电路电荷共享效应；电荷泵核心电路的充/放电电流源采用增益提升技术，提高电荷泵充/放电电流源的输出阻抗，抑制电荷泵输出电压变化引起充/放电电流源变化，提高电荷泵的充/放电电流源匹配性，从而实现一种自补偿的电流舵电荷泵电路。
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公开(公告)号：CN111158421B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010023088.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种分段补偿的带隙基准电压源电路，包括启动电路、一阶带隙基准电压源电路及温度分段补偿产生电路。本发明采用两个PNP型三极管发射极‑基极电压之差在电阻R3上产生的电流以及PNP型三极管Q1的发射极‑基极电压VEB1在电阻R2上产生的电流进行加权产生一阶温度补偿电流，一阶温度补偿电流在电阻R5与R4上产生一阶温度补偿带隙电压，同时一阶温度补偿电流为温度分段补偿产生电路提供偏置电流，温度分段补偿产生电路产生四种不同温度区域的分段温度补偿电流并在电阻R4上产生分段温度补偿电压对一阶温度补偿带隙电压进行高阶温度补偿，从而获得高性能的带隙基准参考电压。
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公开(公告)号：CN110798201A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911197548.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 本发明请求保护一种高速耐压电平转换电路，包括电平转换核心电路及输出反相器等。本发明采用由NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M11、PMOS管M12等6个MOS管作为输入驱动管以及由交叉耦合对管PMOS管M7、PMOS管M8构成锁存器等技术实现高速转换性能，采用MOS管堆栈结构提高电路耐压性能，同时输出反相器中PMOS管M15的源极接外部高电源2VDD以及NMOS管M16的源极接外部低电源VDD，从而实现一种高速耐压的电平转换电路。
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公开(公告)号：CN106774592A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611151739.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路，包含前调整器电路、一阶带隙基准电路、低温区域温度分段补偿电路、高温区域温度分段补偿电路及启动电路，采用亚阈值NMOS管栅‑源电压产生的负温度系数电压VCTAT及两个亚阈值NMOS管栅‑源电压之差产生的正温度系数电压VPTAT获得一阶带隙基准电压，将低温区域温度分段补偿电压(VNL1与VNL2)及高温区域温度分段补偿电压(VNL3与VNL4)引入到一阶带隙基准电路所产生的一阶带隙基准电压中，实现了低温度系数的带隙基准电压，并采用前调整器技术提高带隙基准的电源抑制比，从而实现了一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115657781B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202211381675.6
申请日：2022-11-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种自缓冲环路控制技术的带隙基准源电路，包括启动电路、偏置电路及带隙基准核心电路。本发明利用PNP三极管Q5、PNP三极管Q6等相关电路产生正温度系数电压并与NPN三极管Q4的基极‑发射极电压进行加权产生低温漂带隙基准输出电压，利用自缓冲环路控制的负反馈环路技术来抑制带隙基准源电路输出端电压变化，提高带隙基准源电路环路的调整速度，利用电流补偿电路来增加流过电阻R13与电阻R14的电流，有效地抑制不同工艺角、温度下PNP三极管的电流放大倍数不同导致的失配对带隙基准输出电压的影响，进而获得高性能的带隙基准电压，从而实现一种自缓冲环路控制技术的带隙基准源电路。
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公开(公告)号：CN118655951A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410581183.4
申请日：2024-05-11
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/573
Abstract: 本发明请求保护一种带限流保护电路的低压差线性调整器，包括低压差线性调整器核心电路以及限流保护电路。本发明利用增益级A2与A3构成小输出阻抗推挽结构使功率PMOS管栅极处极点位于高频，利用增益级A2与A3构成多路径技术并与频率补偿网络共同确保系统稳定，利用两MOS管串联构成组合管技术提高镜像精度；通过PMOS管M7工作状态来调整NMOS管M10和M11电流技术及PMOS管M16采样PMOS管MP电流技术等技术来调控NMOS管M17栅极电位，进而调控电路输出电流以及输出电压使得电路输出到达最大允许输出电流后进入恒定过流和折返过流等保护区，防止电路烧毁，从而实现一种带限流保护电路的低压差线性调整器。
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公开(公告)号：CN116248092A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310063741.3
申请日：2023-02-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K17/13 , H03K17/284 , H03K17/041 , H03K5/24 , G01R19/175
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的过零检测电路，包括自适应失调电压产生电路、延时调节电路及低边功率管驱动信号产生电路。本发明采用自适应失调电压产生电路产生一个与电源管理芯片的输出电压Vout线性相关的失调电压并叠加到电源管理芯片的低边功率管的漏极电压Vsw上，有效地抑制由于不同电感电流下降斜率而引起比较误差的问题，提高动态比较器的精度及速度；采用动态比较器的反馈作用来控制双向移位寄存器a及双向移位寄存器b，进而精确控制延时链电路的延时时间(即低边功率管的驱动信号端Toff的信号脉宽时间)，从而及时关断电源管理芯片的低边功率管，实现一种高精度的过零检测电路。
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公开(公告)号：CN114070043A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111273392.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明请求保护一种用于频率合成器的低失配电荷泵，包括偏置电路及电荷泵核心电路。本发明采用共源极充电开关PMOS管M1及共源极放电开关NMOS管M6来抑制电荷共享，充电电流源偏置电路、放电电流源偏置电路分别为PMOS管M2、NMOS管M5提供偏置，传输门TG1、传输门TG2分别作为共源共栅充电电流源及共源共栅放电电流源的栅极开关，防止电荷泵关闭时产生漏极电流；充电电流源提升电路与共源共栅充电电流源构成负反馈回路，放电电流源提升电路与共源共栅放电电流源构成负反馈回路，增加电荷泵输出阻抗，提高电荷泵的充放电流失配性，从而实现用于频率合成器的低失配电荷泵。
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