一种高阶温度补偿的带隙基准电路

    公开(公告)号:CN109254612A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201811069122.0

    申请日:2018-09-13

    Abstract: 本发明请求保护一种高阶温度补偿的带隙基准电路,包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路、低温区域分段补偿电路、低温区域曲率补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏极-衬底电压产生负温度系电压,采用两个源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压之差产生正温度系数电压,并将正温度系数电压与负温度系数电压进行加权求和获得一阶带隙基准参考电压,利用高温区域曲率补偿电路中电流I16、低温区域分段补偿电路中电流I22以及低温区域曲率补偿电路中电流I24在电阻R7上产生的电压分别对带隙基准参考电压进行温度补偿,从而实现一种高阶温度补偿的带隙基准电路。

    一种用于延迟锁相环的低失配率的电荷泵电路

    公开(公告)号:CN109194327B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201811008418.1

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明请求保护一种用于延迟锁相环的低失配率的电荷泵电路,主要包括带电流补偿的偏置电路、电流轮式电荷泵电路以及负反馈电流补偿电路。在电流轮式电荷泵电路中采用虚拟开关管能有效地抑制电荷注入和时钟馈通等效应,在PMOS管M7的源漏端以及NMOS管M16的源漏端分别加入PMOS管M18构成的MOS电容以及NMOS管M6构成的MOS电容,能减少电荷泵电路的开关管在同时开启或同时闭合时的电流毛刺;将补偿电流I2、补偿电流I4、补偿电流I21以及补偿电流I26引入到电流轮式电荷泵电路中,减少电荷泵电路的充/放电电流的失配率,从而实现一种用于延迟锁相环的低失配率的电荷泵电路。

    一种高阶温度补偿的带隙基准电路

    公开(公告)号:CN109254612B

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201811069122.0

    申请日:2018-09-13

    Abstract: 本发明请求保护一种高阶温度补偿的带隙基准电路,包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路、低温区域分段补偿电路、低温区域曲率补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏极‑衬底电压产生负温度系电压,采用两个源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压之差产生正温度系数电压,并将正温度系数电压与负温度系数电压进行加权求和获得一阶带隙基准参考电压,利用高温区域曲率补偿电路中电流I16、低温区域分段补偿电路中电流I22以及低温区域曲率补偿电路中电流I24在电阻R7上产生的电压分别对带隙基准参考电压进行温度补偿,从而实现一种高阶温度补偿的带隙基准电路。

    一种用于延迟锁相环的低失配率的电荷泵电路

    公开(公告)号:CN109194327A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201811008418.1

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明请求保护一种用于延迟锁相环的低失配率的电荷泵电路,主要包括带电流补偿的偏置电路、电流轮式电荷泵电路以及负反馈电流补偿电路。在电流轮式电荷泵电路中采用虚拟开关管能有效地抑制电荷注入和时钟馈通等效应,在PMOS管M7的源漏端以及NMOS管M16的源漏端分别加入PMOS管M18构成的MOS电容以及NMOS管M6构成的MOS电容,能减少电荷泵电路的开关管在同时开启或同时闭合时的电流毛刺;将补偿电流I2、补偿电流I4、补偿电流I21以及补偿电流I26引入到电流轮式电荷泵电路中,减少电荷泵电路的充/放电电流的失配率,从而实现一种用于延迟锁相环的低失配率的电荷泵电路。

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