公开(公告)号：CN116248092A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310063741.3

申请日：2023-02-06

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  操雷 ,  李红娟

IPC: H03K17/13 ,  H03K17/284 ,  H03K17/041 ,  H03K5/24 ,  G01R19/175

Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的过零检测电路，包括自适应失调电压产生电路、延时调节电路及低边功率管驱动信号产生电路。本发明采用自适应失调电压产生电路产生一个与电源管理芯片的输出电压Vout线性相关的失调电压并叠加到电源管理芯片的低边功率管的漏极电压Vsw上，有效地抑制由于不同电感电流下降斜率而引起比较误差的问题，提高动态比较器的精度及速度；采用动态比较器的反馈作用来控制双向移位寄存器a及双向移位寄存器b，进而精确控制延时链电路的延时时间(即低边功率管的驱动信号端Toff的信号脉宽时间)，从而及时关断电源管理芯片的低边功率管，实现一种高精度的过零检测电路。

公开(公告)号：CN116192121A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310003981.4

申请日：2023-01-03

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 周前能 ,  操雷 ,  李红娟

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/017 ,  H03K19/00

Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的快速电平位移电路，包括电平位移核心电路及低延时通路检测电路。本发明采用电阻R1使得PMOS管M5‑M6漏极电压能快速从VDDH降为VSSH，提高电路瞬态特性，缩短电压转换的延迟并减少开关损耗；采用PMOS管M13‑M14构成上拉MOS管，使PMOS管M5‑M6漏极电压快速上升，减少开关损耗；采用栅极、源极和衬底短接NMOS管M7‑M8来实现二极管，使PMOS管M5‑M6漏极的低电位均不低于VSSH‑0.7，提高电路可靠性，采用反相器实现延迟链技术，使对应与非门输出一个下脉冲信号，进而电路输出一个与输入信号变化一致的高压信号，从而实现高性能的快速电平位移电路。