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公开(公告)号：CN110218971B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910588494.2
申请日：2019-07-02
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明提供一种适用于钛合金表面的纳米多层薄膜及其制备方法，该多层薄膜从钛合金表面向外依次为氮化钛薄膜层、碳化钛薄膜层、氮化钛薄膜层、碳化钛薄膜层以及掺铝的类金刚石薄膜层；该制备方法为先对钛合金基体进行清洗以及抽真空，溅射沉积氮化钛薄膜层，再溅射沉积碳化钛薄膜层，然后分别重复沉积氮化钛薄膜层与碳化钛薄膜层一次，再制备一层掺铝的类金刚石薄膜层，最后进行溅射后处理。与现有技术相比，本发明制备多层薄膜成品率高、方便、快捷、高效，其制备而成的薄膜与基体、薄膜与薄膜之间结合力大、内应力小，具有很好的耐摩擦磨损性能，可适用于航空航天、地质钻探等高强度作业领域。
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公开(公告)号：CN111830604A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010732939.2
申请日：2020-07-27
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明提供一种用于玻璃基底的增透减反复合膜及其制备方法，该方法先通过离子束进行基片轰击，然后通过离子源辅助磁控溅射的方法分别制备掺钨VO2薄膜层、Si3N4薄膜层（3）以及SiO2薄膜层（4），最后通过紫外高温烘烤，得到由七层薄膜层结构组成的增透减反复合膜；该七层薄膜层结构从玻璃基底（1）表面向外依次为第一掺钨VO2薄膜层（21）、Si3N4薄膜层（3）、第二掺钨VO2薄膜层（22）、Si3N4薄膜层（3）、第三掺钨VO2薄膜层（23）、Si3N4薄膜层（3）以及SiO2薄膜层（4）。本发明制得的复合膜有效解决现有技术中低反射率和高力学性能不能同时兼顾的问题，具有较小的吸收、散射和反射特性，可见光透性好；薄膜结构牢固稳定、不易脱落。
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公开(公告)号：CN110423989A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910794859.7
申请日：2019-08-27
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种低残余应力的硬质类金刚石薄膜的制备方法，依次包括清洗、预处理、沉积纯Ti层、沉积TiC层、沉积DLC复合层和后处理步骤，其特征在于：所述沉积DLC复合层，是依次沉积第一层DLC层、TiC层和第二层DLC层。膜的内应力通过Ti层、TiC层过渡缓冲得到释放，增强了Ni-Ti合金基材与膜的结合力，以及膜层与膜层之间的结合力，制得的类金刚石膜均匀性好、表面平整，采用Si、Cu非金属与金属的共掺杂，减小体系弹性能，从而减小膜的内应力，同时增强了膜的热传导能力、膜的石墨化温度到600℃以上，保证了其机械性能，增强其稳定性，整个制备过程中增加了膜中sp3键的比例，也提高了膜的硬度、弹性模量。
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公开(公告)号：CN116103619B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202211339868.5
申请日：2022-10-27
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明提供一种氧化硅薄膜制备方法，包括如下步骤：对玻璃衬底依次在丙酮和无水乙醇中进行三次、每次5分钟超声波清洗；将氩气通入真空室进行洗气；调节真空室内氩气压强到1.2～3.0Pa，施加脉冲偏压‑800～‑1000V对衬底进行等离子体刻蚀清洗；将溅射电源的电流设为0.1A对硅靶进行溅射；控制真空室压强为0.4～0.6Pa，基体偏压为‑100V，调整中频电流在0.1A～0.27A进行沉积镀膜。通过设置不同的溅射功率，获得不厚度、不同光透性的氧化硅薄膜；薄膜在390～800nm可见光波长范围内光透过率均超过87％，在2800‑3300nm的远红外波长范围内，透过率随溅射电流的增加而降低。
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公开(公告)号：CN116442295A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310455564.3
申请日：2023-04-25
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公开了一种新型水凝胶涂布分切设备，其结构包括主体、支撑脚、警报灯，主体的底部设有支撑脚，支撑脚设有六个，且支撑脚排列于主体的底部是，警报灯安装在主体的顶部，主体包括框体、送料辊、水凝胶出料箱、导向辊、分割装置、分切机、传送带、收集箱，框体设置在支撑脚的顶部端面，送料辊安装在框体的内部左侧，本发明利用摆动片将水凝胶涂布的边角料往导料槽的端面进行输送，使得表角料能够通过导料槽圆弧状的端面往下进行导向，且有的边角料会往往上翘，可以通过摆动片将边角料往下下压，让边角料都能够通过导料槽往下移动到收集箱进行收集，省去了人工对边角料进行区分的工序，加快加工的速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116103619A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211339868.5
申请日：2022-10-27
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明提供一种氧化硅薄膜制备方法，包括如下步骤：对玻璃衬底依次在丙酮和无水乙醇中进行三次、每次5分钟超声波清洗；将氩气通入真空室进行洗气；调节真空室内氩气压强到1.2～3.0Pa，施加脉冲偏压‑800～‑1000V对衬底进行等离子体刻蚀清洗；将溅射电源的电流设为0.1A对硅靶进行溅射；控制真空室压强为0.4～0.6Pa，基体偏压为‑100V，调整中频电流在0.1A～0.27A进行沉积镀膜。通过设置不同的溅射功率，获得不厚度、不同光透性的氧化硅薄膜；薄膜在390～800nm可见光波长范围内光透过率均超过87％，在2800‑3300nm的远红外波长范围内，透过率随溅射电流的增加而降低。
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公开(公告)号：CN113846295B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202111136064.0
申请日：2021-09-27
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种FeCrAl/Cr复合涂层的制备方法，依次包括Zr合金基体预处理、Cr涂层的制备和FeCrAl涂层的制备，所述Cr涂层的制备是采用电弧离子镀在预处理后的Zr合金基体表面沉积Cr涂层，沉积过程中调节偏压为‑150~‑200V，每隔1h，调节偏压至600~650V，保持3~5min，所述FeCrAl涂层的制备是采用电弧离子镀在Cr涂层表面沉积FeCrAl涂层，沉积过程中调节偏压为‑200~‑250V，每隔1h，调节偏压至400~600V，保持3~5min。本发明中通过PVD沉积的FeCrAl/Cr涂层克服了PVD方法带来的晶粒间间隙较大的技术问题，涂层均匀性好、致密度高，晶粒间间隙小，涂层厚度在20μm左右，就能达到优异的抗高温氧化性能，在1200℃下高温水蒸气氧化1h后，含氧增重为10.54mg/cm2，涂层表面结构完整，没有破损、裂纹甚至脱落，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN113846295A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111136064.0
申请日：2021-09-27
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种FeCrAl/Cr复合涂层的制备方法，依次包括Zr合金基体预处理、Cr涂层的制备和FeCrAl涂层的制备，所述Cr涂层的制备是采用电弧离子镀在预处理后的Zr合金基体表面沉积Cr涂层，沉积过程中调节偏压为‑150~‑200V，每隔1h，调节偏压至600~650V，保持3~5min，所述FeCrAl涂层的制备是采用电弧离子镀在Cr涂层表面沉积FeCrAl涂层，沉积过程中调节偏压为‑200~‑250V，每隔1h，调节偏压至400~600V，保持3~5min。本发明中通过PVD沉积的FeCrAl/Cr涂层克服了PVD方法带来的晶粒间间隙较大的技术问题，涂层均匀性好、致密度高，晶粒间间隙小，涂层厚度在20μm左右，就能达到优异的抗高温氧化性能，在1200℃下高温水蒸气氧化1h后，含氧增重为10.54mg/cm2，涂层表面结构完整，没有破损、裂纹甚至脱落，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN110562710B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910754419.9
申请日：2019-08-15
Applicant: 重庆文理学院
IPC: B65G47/248 , B65G43/00 , H04N7/18
Abstract: 本发明属于自动化控制技术领域，公开了一种柱塞前处理翻转控制系统及方法；柱塞前处理翻转控制系统包括：参数设定模块用于设定相关参数；翻转控制模块用于基于预设的翻转参数对柱塞进行翻转；传送模块用于基于预设的传送参数将柱塞传送至指定固定位置；固定模块用于对柱塞进行固定；摄像模块用于实时获取柱塞处理图像；主控模块用于基于图像数据判断柱塞是否处理结束；通讯模块用于利用无线射频识别技术进行信号传输。本发明能够实现自动化的柱塞翻转控制，同时能够对柱塞进行传送、固定、翻转、处理，自动化判断柱塞处理状况是否达到标准，减少了工作量以及人为因素带来的干扰与误差，且系统整体效率高，节省人力、物力。
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公开(公告)号：CN110423989B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910794859.7
申请日：2019-08-27
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 一种低残余应力的硬质类金刚石薄膜的制备方法，依次包括清洗、预处理、沉积纯Ti层、沉积TiC层、沉积DLC复合层和后处理步骤，其特征在于：所述沉积DLC复合层，是依次沉积第一层DLC层、TiC层和第二层DLC层。膜的内应力通过Ti层、TiC层过渡缓冲得到释放，增强了Ni‑Ti合金基材与膜的结合力，以及膜层与膜层之间的结合力，制得的类金刚石膜均匀性好、表面平整，采用Si、Cu非金属与金属的共掺杂，减小体系弹性能，从而减小膜的内应力，同时增强了膜的热传导能力、膜的石墨化温度到600℃以上，保证了其机械性能，增强其稳定性，整个制备过程中增加了膜中sp3键的比例，也提高了膜的硬度、弹性模量。
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