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公开(公告)号：CN116960189B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310821634.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
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公开(公告)号：CN118263303A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410359892.8
申请日：2024-03-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管，该双极型晶体管通过栅极金属层、副栅极金属层、发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层、发射极沟槽绝缘介质层形成正极发射极导电类型沟槽结构、负极发射极导电类型沟槽结构；双极型晶体管正向导通和关断时，通过正极发射极导电类型沟槽结构和负极发射极导电类型沟槽结构处理轻掺杂第二导电类型耗尽区的空穴。本申请提供的双极型晶体管在正向导通时提高轻掺杂导电类型耗尽区的空穴势垒，增强漂移区的空穴，增加对应的载流子存储效应，降低导通压降，在关断时，通过恢复轻掺杂导电耗尽区的空穴，提高了空穴的抽取速度，降低关断产生的损耗。
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公开(公告)号：CN118198133A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410329605.9
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管，该半导体场效应晶体管通过第一导电类型硅材料异质结区域、重掺杂第二导类型硅材料屏蔽区域、重掺杂第一导电类型虚拟栅极多晶硅区域和虚拟栅极氧化层与第一导电类型电流传导区域之间形成异质结导电结构，因碳化硅/硅的异质结结构的电子势垒低于体二极管，因此电流优先从异质结导电结构流过。本申请提供的金属氧化物半导体场效应晶体管还存在虚拟栅极，进一步降低了异质结的电子势垒，优先通过异质结沟道导电结构进行反向导通，当半导体场效应晶体管反向导电时，异质结的电子势垒低，从而降低反向导通电压，改善反向导通性能。
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公开(公告)号：CN118136670A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410329606.3
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种包含肖特基接触超级势垒整流器的功率半导体器件。包括漏极金属层以及依次堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。相比于现有肖特基源极垂直金属氧化物半导体场效应晶体管，在抗单粒子烧毁性能不恶化的条件下，本发明具有低的第三象限二极管开启电压，改善了反向恢复性能。
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公开(公告)号：CN116995103A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310826379.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105762076B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610110506.7
申请日：2016-02-29
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种扩散型高压大电流肖特基芯片生产的工艺，依次包括选取原始N型硅片、表面磷沉积、高浓度N+磷扩散、切割分离、化学机械抛光、硅片分类、一次氧化、一次光刻、硼扩散、二次光刻、肖特基势垒金属溅射、肖特基势垒形成、正面接触金属蒸发、正面金属光刻、背面处理、蒸发背面接触金属得到成品，用本发明的生产工艺加工的扩散型JBS肖特基芯片特别适宜于制造大电流工艺芯片，其成本至少比外延工艺低三分之一；同时，扩散型工艺形成的JBS肖特基芯片125℃下的高温漏电流比外延工艺小30%以上,缺陷率明显低于外延工艺；而且本工艺简单，易于实现批量化。
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公开(公告)号：CN102034705A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010509031.1
申请日：2010-10-18
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Inventor： 张力
IPC: H01L21/329 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种大电流二极管应力减小加工工艺，该工艺按如下步骤进行：引排，铜引线退火；焊料、芯片装填；焊接；成型；分段固化。通过在原工艺基础上增加铜引线退火以及将原固化方式改为分段固化，从而降低了产品的结构应力，从而克服了目前技术的缺陷，达到提升产品可靠性能的效果。
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公开(公告)号：CN116845112B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202310826403.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
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公开(公告)号：CN119050154A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411191919.3
申请日：2024-08-28
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种抗单粒子辐照的金属氧化物半导体场效应晶体管，在场效应晶体管处于宇宙射线或重离子入射的状态时，因场效应晶体管内设置有第一导电类型多晶硅源极区域，使得寄生晶体管开启时电流增益降低，降低了器件的载流子倍增效应，以改善器件抗单粒子性能，再通过第二导电类型多晶硅源极区域形成一条空穴流动的通道，以将重离子入射时在氧化层下产生的空穴排除器件，使得氧化层内部的峰值电场降低。本申请在降低器件载流子倍增效应后，再通过空穴通道提高抗单粒子辐照性能，使得器件具有低的氧化层峰值电场和漏极电流，改善场效应晶体管的抗单粒子栅穿性能和烧毁性能，以提升了器件的抗单粒子辐照的能力。
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公开(公告)号：CN106711234B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710028828.1
申请日：2017-01-16
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种高频吸收二极管芯片及其生产方法，该芯片包括衬底，衬底的上表面形成有外延层，外延层上设有基区窗口，基区窗口包括压点区以及位于压点区外围的分压区，外延层将压点区与分压区隔开，基区窗口上形成有第一离子扩散层，第一离子扩散层上设有发射区窗口，发射区窗口上形成有第二离子扩散层，压点区内的第一离子扩散层、第二离子扩散层的上表面设有钝化层，分压区内的第一离子扩散层上表面形成有氧化层，氧化层、钝化层均延伸至外延层的上表面。采用本发明的芯片特别适宜于RCD电路中尖峰吸收，同时，该工艺形成的芯片在125℃下的高温漏电流比传统扩散型二极管芯片小50%以上，缺陷率低，而且本工艺简单，易于实现批量化生产。
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