公开(公告)号：CN111448188A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880070647.8

申请日：2018-11-01

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  多玛果伊·帕维奇科 ,  本杰明·舒尔策

IPC: C07D401/10 ,  C07D251/24 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种由通式(I)表示的化合物：(式I)、包含所述化合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件以及包括所述有机电子器件的装置。

公开(公告)号：CN110892545A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880033940.7

申请日：2018-05-18

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  本杰明·舒尔策

IPC: H01L51/54

Abstract: 本发明涉及式1化合物和包括有机半导体层的有机电子器件，其中至少一个有机半导体层包含式1化合物，其中X选自O、S或Se；Ar1选自未被取代或被取代的C2至C60杂芳亚基，并且其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基包含至少约一个至约六个取代基，其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、CN、OH、卤素、C6至C36芳亚基或C2至C25杂芳亚基；n为1或2；L1选自单键、C1至C4烷基、被取代或未被取代的C6至C36芳亚基，其中被取代的C6至C36芳亚基的取代基选自C1至C12烷基、C6至C18芳亚基；L2选自单键或C1至C6烷基；R1、R2独立地选自被取代或未被取代的C1至C16烷基，其中被取代的C1至C16烷基的取代基选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基；其中所述式1化合物包含至少约4个C6芳亚基环并且分子质量为至少约400g/mol至约1800g/mol。

公开(公告)号：CN110678474A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880033634.3

申请日：2018-05-22

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利 ,  维金塔斯·扬库什 ,  多玛果伊·帕维奇科 ,  卡斯滕·罗特 ,  沃洛季米尔·森科维斯基 ,  乌尔里希·登克尔

IPC: C07F9/53

Abstract: 本发明涉及由通式(I)表示的化合物在包含于电子器件中的半导体层中的用途，相应的半导体层，相应的电子器件和相应的化合物，其中A1和A2独立地选自C1至C60含碳基团；A3至A9独立地选自氢、C1至C60含碳基团或卤素；R1和R2独立地选自通过sp3-杂化的碳原子与磷原子连接的C1至C60含碳基团；X是共价单键或由1至120个共价键合的原子组成的间隔基团。

公开(公告)号：CN109761919A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811317425.X

申请日：2018-11-07

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 本杰明·舒尔策 ,  多玛果伊·帕维奇科 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  弗朗索瓦·卡尔迪纳利

IPC: C07D251/24 ,  C07D401/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: C07D251/24 ,  C07D401/10 ,  C07D407/10 ,  C07D409/10

Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地，本发明涉及一种根据式1的化合物，所述化合物适合用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种所述化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。

公开(公告)号：CN113646916B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202080019064.X

申请日：2020-02-05

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 沃洛季米尔·森科维斯基 ,  皮埃尔·塞登格兰兹 ,  彼得·罗巴斯奇克 ,  乌尔里希·登克尔 ,  斯特凡·左特 ,  安妮·法德尔 ,  马丁·安曼 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹

IPC: H10K71/16

Abstract: 本发明涉及一种制备有机半导体层的方法，其包括以下步骤：a)在第一真空热蒸发源中提供第一组合物，所述第一组合物包含aa)第一有机化合物，所述第一有机化合物包含至少一个未取代或取代的C10‑C30稠合芳基基团和/或至少一个未取代或取代的C3‑C30杂芳基基团，其中所述一个或多个取代基，如果存在，则选自以下：(i)氘，(ii)卤素，(iii)C1至C22甲硅烷基基团，(iv)C1至C30烷基基团，(v)C1至C10烷基甲硅烷基基团，(vi)C6至C22芳基甲硅烷基基团，(vii)C3至C30环状烷基基团，(viii)C2至C30杂环状烷基基团，(ix)C6至C30芳基基团，(x)C2至C30杂芳基基团，(xi)C1至C30全氟烃基基团，或(xii)C1至C10三氟烷基基团，其中所述第一有机化合物具有i)在≥0德拜且≤2德拜范围内的偶极矩；ii)在≥400且≤1,800范围内的分子量；和bb)金属硼酸盐化合物；b)在真空室中使所述第一组合物从固相转变成气相；以及c)将所述第一组合物沉积在基底上以形成所述有机半导体层；还涉及其中使用的组合物和通过所述方式制备的有机电子器件。

公开(公告)号：CN118215315A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311652458.0

申请日：2023-12-04

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 本杰明·舒尔策 ,  托马斯·罗泽诺 ,  马克斯·皮特·纽伦 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  雅各布·亚切克·乌达尔奇克

IPC: H10K50/11 ,  H10K50/165 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件和包含所述有机电致发光器件的显示器件。

公开(公告)号：CN118077327A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202380009822.3

申请日：2023-06-01

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  本杰明·舒尔策 ,  托马斯·罗泽诺 ,  马克斯·皮特·纽伦 ,  雅各布·亚切克·乌达尔奇克

IPC: H10K50/125 ,  H10K85/60 ,  H10K50/19 ,  H10K50/17

Abstract: 本发明涉及一种包含式(I)化合物和式(II)化合物的电致发光器件以及包含所述有机电致发光器件的显示装置。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116529304A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180076155.1

申请日：2021-11-12

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 ,  马库斯·赫默特 ,  托马斯·罗泽诺 ,  斯特芬·伦格 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  奥利弗·朗古特 ,  延斯·安格曼

IPC: C08K5/43

Abstract: 本发明涉及一种包括半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。

公开(公告)号：CN116234796A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202180059132.X

申请日：2021-07-26

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 ,  马克斯·皮特·纽伦 ,  乌尔里希·黑格曼 ,  马库斯·赫默特 ,  斯特芬·维尔曼 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹

IPC: C07D209/86

Abstract: 本发明涉及一种由式(I)表示的化合物，其中M是金属；L是电荷中性配体，其与金属M配位；n是选自1至4的整数，其对应于M的氧化数；m是选自0至2的整数；R1、R2和R3是取代基；其中至少一个R1、R2和/或R3选自被取代的C2至C24杂芳基基团，其中至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基。本发明还涉及包含至少一种式(I)的化合物的半导体材料、包含至少一种式(I)的化合物的半导体层和包含至少一种式(I)的化合物的电子器件。示例性化合物是例如3‑(2,3,5‑三氟‑6‑(三氟甲基)吡啶‑4‑基)戊烷‑2,4‑二酮的金属络合物，例如三(((Z)‑4‑氧代‑3‑(2,3,5‑三氟‑6‑(三氟甲基)吡啶‑4‑基)戊‑2‑烯‑2‑基)氧基)铁和双(((Z)‑4‑氧代‑3‑(2,3,5‑三氟‑6‑(三氟甲基)吡啶‑4‑基)戊‑2‑烯‑2‑基)氧基)铜。

公开(公告)号：CN115428185A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180022931.X

申请日：2021-03-19

Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司

Inventor： 朴茂真 ,  托马斯·罗泽诺 ,  雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 ,  延斯·安格曼 ,  凯·吉尔格 ,  斯特芬·伦格 ,  安妮特·斯托伊德尔

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底(110)、阳极层(120)、阴极层(190)、至少一个第一发光层(150)和空穴注入层(130)，其中‑所述空穴注入层包含金属络合物，其中‑所述金属络合物包含至少一种根据Allen电负性值小于2.4的正电金属原子，‑所述金属络合物包含至少一种包含至少4个共价结合原子的阴离子配体；‑所述阳极层包含第一阳极子层(121)和第二阳极子层(122)，其中‑所述第一阳极子层包含逸出功在>4且