公开(公告)号：CN102815744A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210300573.7

申请日：2012-08-22

Applicant: 西安邮电大学

Inventor： 商世广

IPC: C01G9/03 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种可控燃烧生长纳米氧化锌的装置及方法，该装置主要包括：曲型石英炉管，在所述曲型石英炉管下端设置有用于加热的可调温式电炉；在所述石英玻璃炉管和调温式电炉间还设置有用于测量并显示石英玻璃炉管温度的温度测量系统。本发明采用上述装置能有效实现纳米ZnO粉体的可控燃烧生长，制备纳米ZnO粉体的形貌、粒径和晶相结构等参数，受到生长工艺参数，如烧结温度、恒温时间、锌粉目数和混合氧流量比的影响，而这些参数在本发明装置中可以调节。因此，本发明能有效地控制纳米ZnO粉体生长，为纳米ZnO粉体的广泛应用奠定基础。

公开(公告)号：CN111613694A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010456201.8

申请日：2020-05-26

Applicant: 西安邮电大学

Inventor： 商世广 ,  王睿 ,  陈海峰 ,  赵玲 ,  董军

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法，首先利用磁控溅射在叉指电极上沉积氧化镓薄膜，通过控制溅射功率、气体压强和气体配比等参数或引入半导体杂质，调控氧化镓薄膜的氧空位和杂质缺陷浓度，实现不同波段紫外光响应的氧化镓光电探测器单元的制备。其次，将制备的氧化镓光电探测器单元，置入气氛炉中进行退火处理，实现对氧化镓光电探测器单元紫外截止波长的调整。最后，将不同波段的氧化镓紫外光电探测器单元组装成探测器阵列，各个光电探测器单元在电学上相互独立。本发明制备的氧化镓紫外光电探测器阵列具有光谱选择性强、响应波段范围宽和稳定性高等优点。

公开(公告)号：CN110468378A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910864226.9

申请日：2019-09-12

Applicant: 西安邮电大学 ,  陕西师范大学

Inventor： 任卫 ,  杨光道 ,  张永超 ,  朱楠楠 ,  杜淑菊 ,  杨朝宁 ,  杨炎翰 ,  李璐 ,  王勇刚 ,  姚国光 ,  商世广

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种致密五氧化二钽薄膜的制备方法，在高真空下，通过e型电子枪加速从钨丝发射的电子聚焦到铜坩埚中的五氧化二钽颗粒上，将其气化，在硅基片上沉积生长出五氧化二钽薄膜，最后对其进行不同温度的退火处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相比于磁控溅射法，所得薄膜结晶度高、空隙率和孔洞少、稳定性好，相对于阳极氧化法成膜速率快、效率高，具备商业量产的能力，为以后制备出致密五氧化二钽薄膜提供了支持。

公开(公告)号：CN110373636A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910821464.1

申请日：2019-09-02

Applicant: 西安邮电大学

Inventor： 任卫 ,  朱楠楠 ,  张永超 ,  杨朝宁 ,  杨炎翰 ,  李璐 ,  姚国光 ,  商世广

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，其特征在于：在真空条件下，以高能电子束加热高纯度的金属钼靶材，使金属钼靶材气化，蒸发的钼蒸汽沉积在高纯度的硅衬底表面，最后在空气中进行350～900℃的退火处理，可以形成硅化钼薄膜；该硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，是直接在硅衬底表面蒸镀上一层金属钼，方法容易，过程便捷，薄膜沉积厚度可控，成膜质量好，元素分布均匀，经退火处理得到了硅化钼过渡金属氧化物薄膜；相比于现有技术所采用的磁控溅射方法制备的薄膜，具有纯度高，质量好，退火温度低，重复性好等优点。

公开(公告)号：CN105272269B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201510683710.3

申请日：2015-10-20

Applicant: 西安邮电大学

Inventor： 李永锋 ,  刘维红 ,  张博 ,  商世广 ,  赵萍

IPC: C04B35/584

Abstract: 本发明公开了一种氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷的制备方法。该方法采用硼酸三丁酯和正硅酸乙酯为原料，依次在商用h-BN粉体表面包覆纳米B2O3和SiO2层，然后采用无压烧结技术获得氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷。本发明的制备方法操作简单、工艺条件容易控制，成本低廉，适合工业化生产，通过在h-BN粉体表面包覆B2O3和SiO2层实现对h-BN粉体的化学改性，结合无压烧结技术实现h-BN颗粒的原位纳米化，从而制备出力学性能良好的氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷材料。

公开(公告)号：CN105272269A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510683710.3

申请日：2015-10-20

Applicant: 西安邮电大学

Inventor： 李永锋 ,  刘维红 ,  张博 ,  商世广 ,  赵萍

IPC: C04B35/584

Abstract: 本发明公开了一种氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷的制备方法。该方法采用硼酸三丁酯和正硅酸乙酯为原料，依次在商用h-BN粉体表面包覆纳米B2O3和SiO2层，然后采用无压烧结技术获得氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷。本发明的制备方法操作简单、工艺条件容易控制，成本低廉，适合工业化生产，通过在h-BN粉体表面包覆B2O3和SiO2层实现对h-BN粉体的化学改性，结合无压烧结技术实现h-BN颗粒的原位纳米化，从而制备出力学性能良好的氮化硅/六方氮化硼纳米复相陶瓷材料。

公开(公告)号：CN102815744B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201210300573.7

申请日：2012-08-22

Applicant: 西安邮电大学

Inventor： 商世广

IPC: C01G9/03 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种可控燃烧生长纳米氧化锌的装置及方法，该装置主要包括：曲型石英炉管，在所述曲型石英炉管下端设置有用于加热的可调温式电炉；在所述石英玻璃炉管和调温式电炉间还设置有用于测量并显示石英玻璃炉管温度的温度测量系统。本发明采用上述装置能有效实现纳米ZnO粉体的可控燃烧生长，制备纳米ZnO粉体的形貌、粒径和晶相结构等参数，受到生长工艺参数，如烧结温度、恒温时间、锌粉目数和混合氧流量比的影响，而这些参数在本发明装置中可以调节。因此，本发明能有效地控制纳米ZnO粉体生长，为纳米ZnO粉体的广泛应用奠定基础。