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公开(公告)号：CN108899403B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810801746.0
申请日：2018-07-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型层，其特征在于：p型层采用ScAlN/AlGaN超晶格结构，即ScAlN和AlGaN交替生长，每个ScAlN层和它上面的AlGaN层组合为一个周期，共生长10‑30个周期。本发明增大了p型层中掺杂的Mg的离化率，提高了发光二极管的发光效率，可用于制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
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公开(公告)号：CN108767047B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810380972.6
申请日：2018-04-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/054 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构，表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构，本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件，包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。该结构具有极低的表面反射率，通过调节复合微纳结构的高度及填充因子，使光从空气进入到太阳电池时实现介质折射率缓慢变化，这种等效的折射率缓变结构，减缓了传统电池表面和界面处折射率变化的剧烈程度，极大地降低反射率，同时增加光程，提高有效光吸收，从而实现太阳电池的高转换效率。
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公开(公告)号：CN109037409A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810801642.X
申请日：2018-07-20
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种n型GaN层对称掺杂的GaN高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有n型GaN层应力较大的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中n型GaN层(3)采用对称掺杂结构，包含上下对称的五层，即以中间位置的第三层为分界线，上下两部分镜面对称，相对称层的厚度和掺杂浓度完全一致。本发明减小了材料所受应力，提高了器件的发光效率，可用于紫外和深紫外发光设备中。
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公开(公告)号：CN108878606A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810666282.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/325
Abstract: 本发明公开了一种超晶格结构和δ掺杂的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型区Mg的离化率低，导致发光二极管效率低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱(4)、电子阻挡层(5)和p型层(6)，其中：p型层包括三层，即上、下层为均匀掺杂Mg的GaN材料，中间为δ掺杂的GaN/AlGaN超晶格结构的材料。本发明增加了p型层中Mg的离化率，提高了发光效率，可用于水净化、生物制剂检测、杀菌和医药设备中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107369736B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201710477886.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/263
Abstract: 本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法，本发明利用质子束作为辐照源，采用两种不同能量和注量的质子束，先后辐照GaN光电导开关器件，以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层，所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i‑GaN层和n‑GaN层，在n‑GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为：质子注量为：1×1011～9×1018/cm2；质子能量为：0.5～10MeV。利用该方法可以明显改善和提高光电导器件的响应特性，制备超快响应照GaN光电导开关器件，可应用于超快光电子学和大功率电磁脉冲产生等领域，具有重大的科学价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108649120A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810380285.4
申请日：2018-04-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有陷光结构的钙钛矿光电探测器及制作方法，包括自下而上依次分布的具有SU8表面纳米陷光阵列的减反层、ITO玻璃衬底、ITO纳米陷光结构、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层，在电子传输层上方设有阴极，在ITO纳米陷光结构上方设有阳极；纳米陷光阵列的减反层为SU-8减反射膜，减反射膜具有类半球结构的表面减反阵列的陷光结构；ITO纳米陷光结构为具有二维结构孔形或柱形阵列结构。该结构具有良好的陷光效果，增加光程，增强有效光吸收，产生更多的载流子和更大光电流，提高明暗对比度、外量子效率和光电灵敏度。
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公开(公告)号：CN107369736A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710477886.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/263
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L21/263 , H01L31/1852 , H01L31/1856
Abstract: 本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法，本发明利用质子束作为辐照源，采用两种不同能量和注量的质子束，先后辐照GaN光电导开关器件，以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层，所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i-GaN层和n-GaN层，在n-GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为：质子注量为：1×1011～9×1018/cm2；质子能量为：0.5～10MeV。利用该方法可以明显改善和提高光电导器件的响应特性，制备超快响应照GaN光电导开关器件，可应用于超快光电子学和大功率电磁脉冲产生等领域，具有重大的科学价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103325878B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310214435.1
申请日：2013-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/078 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法。该电池自下而上依次为：p-Si衬底和n-Si层构成Si电池；p-InGaN层、i-InGaN层和n-InGaN层构成InGaN电池；Si电池和InGaN电池之间为直接键合叠加结构或通过梳状金属中间层键合叠加结构；在n-InGaN层上引出有Cr/Ni/Au欧姆接触金属电极，在p-Si衬底背面引出有Al/Au欧姆接触金属电极。方法主要利用InGaN和Si材料的吸收范围相结合，来获得更宽的光谱响应范围。由于本发明同时采用了InGaN薄膜和Si薄膜作为光吸收层，使得吸收蓝紫光波段的InGaN和吸收可见及红外波段的Si两者相结合，可以拓宽光吸收范围，有利于产生更多的光生载流子，提高有效光吸收，同时获得更高的Voc，进而提高电池的转换效率。该p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池可用于太阳能光伏发电。
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公开(公告)号：CN102315291A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110300096.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种含有超晶格结构的p-i-n型InGaN太阳电池。主要解决现有多p-i-n型InGaN太阳电池的转换效率低的问题。该太阳电池自下而上依次为：衬底，高温生长的AlN成核层(11)，非故意掺杂的GaN缓冲层(12)，厚度为50～100nm、电子浓度为1×1018～6×1019/cm3的n-GaN层(13)，周期为8～30的InGaN/GaN超晶格结构(14)，以及厚度为50～100nm、穴浓度为1×1017～6×1018/cm3的p-GaN层(15)；其中InGaN/GaN超晶格的阱层InGaN(18)厚度为8～16nm，In组分为15～90％，垒层GaN(19)的厚度为3～8nm，载流子浓度均为1×1016～2×1017/cm3；p-GaN层(15)的表面分布着栅形Ni/Au欧姆电极(16)，n-GaN层(15)表面的右侧引出Al/Au欧姆电极(17)。本发明大大提高了电池的短路电流，具有更高的转换效率，可用于太阳能光伏发电。
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