公开(公告)号：CN105448962A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510846524.7

申请日：2015-11-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王冲 ,  魏晓晓 ,  张金凤 ,  郑雪峰 ,  马晓华 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极，源漏电极分别位于SiN层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层异质结与SiN层之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在SiN钝化层顶部和SiN钝化层、第一层异质结、第二层异质结的两个侧壁。本发明器件栅控能力强，载流子迁移率和饱和速度高，饱和电流大，可用于短栅长的低噪声微波功率器件。

公开(公告)号：CN100557815C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200810017777.3

申请日：2008-03-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王冲 ,  郝跃 ,  张金凤 ,  陈军峰 ,  张进城 ,  冯倩

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种InAlN/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法。其制作过程为：1)在蓝宝石或SiC衬底上外延生长1～3μm的GaN层；2)在GaN层上外延生长厚度为15～20nm的第一InAlN层，In组分为30～35%，外延生长温度为800℃；3)在第一InAlN层上外延生长厚度为10～15nm第二InAlN层，In组分为10～20%，外延生长温度为800℃；4)在第二InAlN层上进行有源区台面隔离和欧姆接触制作；5)在第二InAlN层上进行栅光刻掩模，并去除栅下方的第二InAlN层，形成槽栅结构；6)在栅槽中淀积厚度为3～5nm的Al2O3介质层；7)在Al2O3介质层上制作完成栅接触，并对源漏和栅引出电极。本发明具有正向阈值电压高，正栅电压工作范围大，栅泄漏电流小的优点，可用于制作增强型的高电子迁移率晶体管。