基于摩擦诱导选择性刻蚀的砷化镓表面微纳米加工方法

    公开(公告)号:CN103738911B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310732778.7

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的砷化镓表面微纳米加工方法,主要应用于砷化镓表面微纳米结构的加工。其具体操作方法是:将金刚石探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上,将清洗过的砷化镓固定在样品台上,启动设备,给探针施加不小于理论临界载荷Fc的载荷F,并使探针按照设定的扫描轨迹在砷化镓表面进行扫描;将H2SO4、H2O2、H2O按H2SO4:H2O2:H2O=1:0.5:100的体积比配制混合溶液,再将扫描后的砷化镓置于所述的混合溶液中刻蚀5-120分钟,即可。该方法能在砷化镓表面加工出各种形状的凸起结构,且其操作简单、成本低、效率高、灵活性强。

    基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜/硅微纳米加工方法

    公开(公告)号:CN103803484B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201310732868.6

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜/硅微纳米加工方法,其操作是:将尖端为球状的探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上,将氮化硅膜/硅固定在样品台上,给探针施加不低于临界载荷的法向载荷,并使探针沿着设定的轨迹,进行刻划;刻划后置于HF溶液中刻蚀一定的时间,使得刻划区硅基底暴露,然后使用KOH溶液及异丙醇的混合溶液进行刻蚀,即可加工出所需的微纳米结构。该方法通过摩擦诱导刻划改变材料刻蚀特性,进而形成特定溶液的选择性刻蚀。该方法对硅基底无损伤,得到的微纳米结构具有更可靠的服役能力;能加工出更深/更高的微纳米结构,提高微纳米结构的深宽比/高宽比,适用范围宽;且其加工简单,加工成本低。

    一种多点接触模式下的大面积摩擦诱导微米级加工设备

    公开(公告)号:CN102718182B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201210236729.X

    申请日:2012-07-10

    Abstract: 一种多点接触模式下的大面积摩擦诱导微米级加工设备,由基座、加工平台驱动装置、加载机构和数据采集及控制系统组成,其中:加工平台驱动装置由水平二维电控平移台、手动三维位移台和“L”型的样品台主成;加载机构的构成则是:基座上表面的电动角位移台,力敏型的悬臂梁的固定端固定于电动角位移台的水平工作面上,探针阵列固定于悬臂梁自由端端部的下表面;激光位移传感器位于悬臂梁自由端端部的正上方;水平二维电控平移台、电动角位移台、激光位移传感器均与数据采集及控制系统电连接。该设备的并且加工尺寸大,加工效率高;载荷控制精确、分布均匀,加工出的结构均匀、一致。

    一种用于大面积摩擦诱导微/纳米加工的多针尖阵列的制作方法

    公开(公告)号:CN102786028B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201210246472.6

    申请日:2012-07-17

    Abstract: 一种用于大面积摩擦诱导微/纳米加工的多针尖阵列的制作方法,其步骤为:(a)用显微硬度仪的压头对蜡片基底表面进行压痕,加工出压痕阵列;(b)将微球置于各个压痕上;(c)采用平整光滑的压片覆盖在微球上,对压片施加载荷使各个微球同时压入蜡片中,形成微球阵列;(d)将浇注框压在蜡片基底上,并使浇注框框住微球阵列;(e)往浇注框内浇注镶嵌料溶液,使其淹没微球阵列;(f)待镶嵌料溶液凝固后,加热熔化去除蜡片,再将镶嵌料从浇注框内中取出,并将其无微球的背面抛光为平面,即得。该方法操作简单,原材料便宜,不需进行任何喷胶、氧化、光刻、各向异性腐蚀等复杂特殊处理,具有明显的低成本、高效率的方法特点。

    基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜/硅微纳米加工方法

    公开(公告)号:CN103803484A

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201310732868.6

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜/硅微纳米加工方法,其操作是:将尖端为球状的探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上,将氮化硅膜/硅固定在样品台上,给探针施加不低于临界载荷的法向载荷,并使探针沿着设定的轨迹,进行刻划;刻划后置于HF溶液中刻蚀一定的时间,使得刻划区硅基底暴露,然后使用KOH溶液及异丙醇的混合溶液进行刻蚀,即可加工出所需的微纳米结构。该方法通过摩擦诱导刻划改变材料刻蚀特性,进而形成特定溶液的选择性刻蚀。该方法对硅基底无损伤,得到的微纳米结构具有更可靠的服役能力;能加工出更深/更高的微纳米结构,提高微纳米结构的深宽比/高宽比,适用范围宽;且其加工简单,加工成本低。

    一种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法

    公开(公告)号:CN103738916A

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201310732192.0

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法,其具体操作是:将尖端为球状的二氧化硅探针安装在扫描探针显微镜上,将清洗过的砷化镓固定在样品台上;启动扫描探针显微镜,给探针施加0.5-1GPa的接触压力,并使探针按照设定的扫描轨迹、扫描循环次数在砷化镓表面进行扫描。该方法能在不同晶面、不同掺杂类型的砷化镓表面加工各种纳米凹结构,所需的接触压力不引起基体晶格缺陷,且其操作简单、位置可控、灵活性高。

    基于摩擦诱导选择性刻蚀的砷化镓表面微纳米加工方法

    公开(公告)号:CN103738911A

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201310732778.7

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的砷化镓表面微纳米加工方法,主要应用于砷化镓表面微纳米结构的加工。其具体操作方法是:将金刚石探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上,将清洗过的砷化镓固定在样品台上,启动设备,给探针施加不小于理论临界载荷Fc的载荷F,并使探针按照设定的扫描轨迹在砷化镓表面进行扫描;将H2SO4、H2O2、H2O按H2SO4:H2O2:H2O=1:0.5:100的体积比配制混合溶液,再将扫描后的砷化镓置于所述的混合溶液中刻蚀5-120分钟,即可。该方法能在砷化镓表面加工出各种形状的凸起结构,且其操作简单、成本低、效率高、灵活性强。

    一种石英、玻璃材料表面的微纳米加工方法

    公开(公告)号:CN101723318A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200910216531.3

    申请日:2009-12-03

    Abstract: 一种石英、玻璃材料表面的微纳米加工方法,其具体作法是:将尖端部为球冠状的探针安装在扫描探针显微镜上,将被加工的石英或玻璃材料固定在扫描探针显微镜的样品台上,启动扫描探针显微镜,给探针施加载荷F,该载荷F的值为根据赫兹接触公式计算出的被加工材料表面发生破坏的理论临界载荷值Fd0的0.03-0.5倍,并使探针沿着设定的轨迹在被加工材料表面进行刻划即可在被加工材料表面加工出纳米凸起结构。该方法操作简单,精度高,重复性好,可靠性高,且无污染、环保。

    一种金属微纳结构的制备及转印方法

    公开(公告)号:CN116514052A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310327573.4

    申请日:2023-03-30

    Abstract: 本发明公开了一种金属微纳结构的制备及转印方法,包括以下步骤:S1、采用旋涂设备在洁净的单晶硅表面涂覆形成掩膜层;S2、采用机械刻划设备在经步骤S1处理后的单晶硅表面进行刻划(图案化);S3、采用混合镀液在单晶硅表面进行金属定向沉积,沉积完成后对掩膜表面进行清洗,去除多余镀液;S4、采用液态PDMS浇铸于单晶硅表面,再加热固化;固化完成后与单晶硅分离,获得高质量的金属微纳结构。该方法能够实现PDMS表面任意二维结构的加工,操作较为简单,成本较低;同时,本方法的加工过程在常温常压下进行,加工后的金属镀液易处理;此外,本方法制备的图案化单晶硅可作为模板重复使用,且能保证金属微纳结构较高的重现性。

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