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公开(公告)号：CN110890461A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811050528.4
申请日：2018-09-07
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种嵌入式磁阻式随机存取存储器的制造方法，包括以下步骤。在基底结构上形成存储单元堆叠结构。存储单元堆叠结构包括第一电极、第二电极与磁性隧穿接面结构。形成覆盖存储单元堆叠结构的第一介电层。在第一介电层上形成金属氮化物层。在金属氮化物层上形成第二介电层。以金属氮化物层作为终止层，对第二介电层进行第一化学机械研磨制作工艺，以暴露出金属氮化物层。进行回蚀刻制作工艺，以完全移除金属氮化物层，且暴露出第一介电层。进行第二化学机械研磨制作工艺，以暴露出第二电极。上述制造方法可具有较佳的平坦化效果。
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公开(公告)号：CN109427613A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710778442.2
申请日：2017-09-01
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67023 , H01L21/02041
Abstract: 本发明公开一种晶片清洗设备及应用其的晶片清洗方法。晶片清洗设备包括机架、一对清洗元件及驱动模块。该对清洗元件配置在机架且包括沿一轴向相对排列的一第一清洗件与一第二清洗件，其中第一清洗件与第二清洗件用以分别清洗晶片的相对二面，轴向为晶片的转动轴向。驱动模块用以驱动该对清洗元件与晶片的至少一者，使该对清洗元件与晶片沿第一径向与第二径向至少一者进行相对运动。如此，可有效清除晶片及清洗件上的颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115706081A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110935534.3
申请日：2021-08-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包括一第一介电层位于一基底上、一导电结构位于该第一介电层中，并且包括一端部，以及与该端部连接并且往远离该端部的方向延伸的一延伸部。一第二介电层位于该第一介电层上。一导电插塞，穿过该第二介电层并且与该导电结构的该延伸部直接接触。一虚设插塞，穿过该第二介电层并且与该导电结构的该端部直接接触。在剖面中，该虚设插塞的一宽度小于该导电插塞的一宽度的50％。
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公开(公告)号：CN109420973B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201710790045.7
申请日：2017-09-05
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种晶片研磨盘与其使用方法，该晶片研磨盘包含一研磨材料层，该研磨材料层的一顶面包含有多个凹槽，以及一警示标记元件，位于该研磨材料层内，其中该警示标记元件与该研磨材料层的颜色不同。本发明特征在于，形成一警示标记元件在晶片研磨盘中，当警示标记元件的可见状态改变，例如出现、消失或形状改变时，代表需要更换晶片研磨盘。如此一来使用者将可简单地确认晶片研磨盘的损耗状况，增进整体制作工艺效率。
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公开(公告)号：CN110581215A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201810579866.0
申请日：2018-06-07
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明公开一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，包含有下述步骤。首先，形成一第一介电层于一基底上，其中第一介电层包含一第一金属线。接着，形成一图案化第二介电层覆盖第一介电层，其中图案化第二介电层包含一凹槽暴露出第一金属线。接续，形成一阻障层顺应覆盖凹槽以及图案化第二介电层。续之，一金属填满凹槽以及覆盖阻障层。继之，以阻障层为一停止层平坦化金属至暴露出阻障层。后续，形成一磁性隧穿接面以及一顶电极覆盖金属，因而形成一磁阻式随机存取存储器单元。
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公开(公告)号：CN109420973A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710790045.7
申请日：2017-09-05
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种晶片研磨盘与其使用方法，该晶片研磨盘包含一研磨材料层，该研磨材料层的一顶面包含有多个凹槽，以及一警示标记元件，位于该研磨材料层内，其中该警示标记元件与该研磨材料层的颜色不同。本发明特征在于，形成一警示标记元件在晶片研磨盘中，当警示标记元件的可见状态改变，例如出现、消失或形状改变时，代表需要更换晶片研磨盘。如此一来使用者将可简单地确认晶片研磨盘的损耗状况，增进整体制作工艺效率。
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公开(公告)号：CN108695162A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710236563.4
申请日：2017-04-12
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0338 , H01L21/02115 , H01L21/02271 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L29/66795
Abstract: 本发明公开一种鳍状结构的制造方法，包括在衬底上形成沿着第一方向延伸的图案化的触媒层与图案化的钝化层。图案化的钝化层位于图案化的触煤层上。在图案化的触媒层的至少一侧形成碳层。所述碳层包括沿着第一方向排列的多个空心碳管，其中每一空心碳管沿着第二方向延伸。进行移除工艺，以移除每个空心碳管的上部及下部中最接近衬底的部分，以使留下多个残部做为掩模层。相邻的两个残部形成沿着第二方向延伸的条形图案。移除图案化的钝化层与图案化的触媒层。将掩模层的图案转移至衬底，以形成多个鳍状结构，以及移除所述掩模层。
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