公开(公告)号：CN103325740A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310095231.0

申请日：2013-03-22

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  林锡坚 ,  何彦仕

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/562 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00357 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶圆堆栈结构及方法，该晶圆堆栈结构包括：基板、设于该基板上且其表面具有凸部的坝块、以及设于该坝块上且具有凹处的晶圆。通过该坝块表面上的凸部嵌卡至该晶圆的凹处，能避免该晶圆的凹处与该坝块之间产生气室，所以在晶圆堆栈结构进行后续封装制程时，该晶圆不致因气室存在而与坝块分离。

公开(公告)号：CN103199065A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310009469.7

申请日：2013-01-10

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林柏伸 ,  许传进 ,  陈秉翔 ,  江承翰 ,  陈键辉 ,  林锡坚 ,  何彦仕

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B81C1/00888 ,  H01L21/561 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体堆栈结构及其制法，该半导体堆栈结构的制法通过将相堆栈的基板与晶圆进行切割制程，主要通过在切割处上先移除部分晶圆材质，以在该晶圆的芯片边缘形成应力集中处，再进行切割，使应力被迫集中在该晶圆的芯片边缘，而令该芯片的边缘翘曲。因此，可避免该应力延伸至该芯片的内部。

公开(公告)号：CN102651350A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210044614.0

申请日：2012-02-24

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  陈世明 ,  林锡坚 ,  黄玉龙 ,  刘沧宇

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一元件区以及一与元件区相邻的非元件区；一封装层，设置于半导体基底之上；一间隔层，设置于半导体基底与封装层之间，且围绕元件区与非元件区；一环状结构，设置于半导体基底之上以及封装层之下，并位于间隔层与元件区之间，且围绕一部分的非元件区；以及一辅助图案，包含设置于间隔层或环状结构中的中空图案、或设置于间隔层与元件区之间的实体图案、或前述的组合。本发明能够增加晶片封装体的可靠度。