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公开(公告)号：CN101917175B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010245785.0
申请日：2006-11-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/2457 , H03H3/0072 , H03H9/02433 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明的课题是通过防止MEMS结构体部分的侧壁状的蚀刻残留物来提供可靠性高的MEMS振子及其制造方法。作为解决手段，本发明的MEMS振子包括：基板(10)；固定电极(12)，其形成于基板(10)上；以及可动电极(14)，其与固定电极(12)对置配置，通过作用于该可动电极(14)与固定电极(12)之间的缝隙(28)上的静电引力或静电斥力进行驱动，可动电极(14)在与固定电极(12)对置的可动电极(14)的支撑梁(24)的内侧面具有倾斜面(40)。
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公开(公告)号：CN102173375A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110090840.8
申请日：2007-11-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C2203/0136 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , H01L21/7682 , H01L24/05 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供电子装置。通过使配置在基板上的空洞内的功能结构体与电子电路高度一体化，来实现小型化的电子装置，并且可以与电子电路并行地制造配置在基板上的空洞内的功能结构体，由此降低制造成本。本发明的电子装置具有：基板；形成于所述基板上的功能元件；保护环，其包围所述功能元件，且与所述功能元件相离；第1覆盖层，其形成于所述保护环和所述功能元件的上方，与所述功能元件相离，且包括至少一个孔；以及形成于所述第1覆盖层上的第2覆盖层。
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公开(公告)号：CN102173374A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110090904.4
申请日：2007-10-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B2201/0271
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。
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公开(公告)号：CN101168434A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710181944.3
申请日：2007-10-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。
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公开(公告)号：CN101164863A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710162734.X
申请日：2007-10-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物，形成有硅化物部分(25)。
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公开(公告)号：CN111508832B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202010077060.9
申请日：2020-01-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 稻叶正吾
IPC: H01L21/3065 , G01P15/125
Abstract: 一种构造体形成方法和由构造体形成方法形成的设备，其中，构造体形成方法通过干式蚀刻在基板形成第一孔和宽度比所述第一孔小的第二孔，从而形成构造体，所述构造体形成方法具备：在所述基板形成蚀刻掩模的工序、蚀刻所述蚀刻掩模的与形成所述第一孔的第一孔形成区域重叠的部分的工序、蚀刻所述蚀刻掩模的与形成所述第二孔的第二孔形成区域重叠的部分的工序、以及将所述蚀刻掩模作为掩模对所述基板进行干式蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN105293417A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510266530.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81C1/00293 , B81B3/007 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
Abstract: 本发明提供MEMS结构体、电子设备以及移动体，所述MEMS结构体具有优异的频率特性，所述电子设备以及移动体具有该MEMS结构体。本发明的MEMS结构体(1)具有：基板(2)；配置于基板(2)的下部电极(51)；上部电极(53)，其具有与下部电极(51)分离地相对配置的可动部(531)；以及加强部(541、542)，其以沿着可动部(531)扩展的方向延伸的方式配置于上部电极(53)，由杨氏模量比上部电极(53)大的材料构成。
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公开(公告)号：CN105016290A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510204540.6
申请日：2015-04-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B81B3/001 , B81B3/0013 , B81B3/0021 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81C1/0015 , B81C2203/0136 , H01H1/0036 , H01H35/14 , H01H35/24 , H01H2059/0072
Abstract: 本发明提供MEMS结构体、电子设备以及移动体，能够提高设计自由度且能够降低可动电极相对于固定电极的粘连。本发明的MEMS结构体(1)具有：基板(2)；下部电极(51)，其配置在基板(2)的上方；上部电极(53)，其具有与下部电极(51)分离地相对配置的可动部(531)；以及凸部(541)，其从可动部(531)的与下部电极(51)相对的一侧的面突出，由与可动部(531)不同的材料构成。
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公开(公告)号：CN103856175A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310624965.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2203/0109 , B81B2203/0163 , Y10T29/49117
Abstract: 振子、振子的制造方法、电子设备以及移动体。提供允许在振动部与基板之间产生的形变，抑制了形变引起的损坏的振子。振子的特征在于，具有：振动部；支承部，其从振动部延伸设置；以及固定部，其设置于支承部，支承部具有从振动部起在第1方向上延伸的第1梁部、和在与第1方向交叉的第2方向上延伸的第2梁部。
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公开(公告)号：CN101513989B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200910001451.6
申请日：2009-01-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 稻叶正吾
Abstract: 在具有收容功能构造体的空洞部的功能器件中，通过降低覆盖空洞部的被覆部的变形，减轻动作不良、器件特性的偏差等问题。本发明的功能器件具备基板(11)、形成于该基板上的功能构造体(13A、15A)、配置有该功能构造体的空洞部(C)、和被覆该空洞部的被覆部D(19A、22)，所述功能器件的特征在于，所述被覆部D(19A、22)具有包括肋状部(19b)或槽状部(19c)的凹凸构造，其中，所述肋状部(19b)或槽状部(19c)至少横穿覆盖所述空洞部的被覆范围(20C)。
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