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公开(公告)号：CN107359171B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201710220833.2
申请日：2017-04-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 固体摄像装置。该固体摄像装置的电荷传输路径的从传输晶体管的光电二极管到浮置扩散区的电势分布的同一性提高。该固体摄像装置具有：第1传输晶体管，其包含第1光电二极管、第1栅电极和第1浮置扩散区；第2传输晶体管，其包含第2光电二极管、第2栅电极和第2浮置扩散区；第3传输晶体管，其包含第3光电二极管、第3栅电极和第3浮置扩散区；以及复位晶体管，其包含源或漏区域的扩散层和复位栅极。第1～第3浮置扩散区和复位晶体管的扩散层相互分开，并经由布线而相互电连接。第1～第3光电二极管呈一维状地排列。
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公开(公告)号：CN105990387B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610134503.7
申请日：2016-03-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明为一种固体摄像元件，其包括：P阱(12)；栅绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的引脚层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱中；P‑型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的所述P阱中，且与所述引脚层接触；N‑型杂质区域(15)，其位于所述引脚层以及所述P‑型杂质区域下方的所述P阱中，且在与所述P‑型杂质区域接触的同时与所述栅绝缘膜接触；N+型杂质区域(24)，其位于所述栅电极的第二端部(20b)的下方的所述P阱中。
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公开(公告)号：CN107845654A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710833091.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14616 , H04N5/335 , H04N5/37452 , H04N5/37457 , H04N5/379 , H01L27/148 , H01L27/14831
Abstract: 本发明提供固体摄像装置和电子设备。该固体摄像装置构成为，具有：配置在半导体衬底上的受光元件、电荷保持区域以及浮置扩散区域；第1传输门；以及第2传输门，将如下电势梯度施加给电荷保持区域：通过第1传输门从受光元件传输到电荷保持区域的信号电荷在第2传输门侧分布得比第1传输门侧多。
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公开(公告)号：CN107819002A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710805191.2
申请日：2017-09-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/148 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14678 , H04N5/3577 , H04N5/361 , H04N5/3694 , H04N5/37452 , H04N5/37457 , H01L27/14812 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供固体摄像装置和电子设备。该固体摄像装置具有：像素区域，其包括受光元件、传输门、浮置扩散区域以及缓冲晶体管；以及布线，其配置在第N层的布线层中，并且将所述浮置扩散区域和所述缓冲晶体管电连接，其中，N是2以上的整数。
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公开(公告)号：CN105990388A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610150684.2
申请日：2016-03-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14601 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14689 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件包括：P阱(12)；栅极绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的钉扎层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱内；P－型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的P阱内，且与钉扎层相接；N－型杂质区域(15a)，其与P－型杂质区域(17)相接且与栅极绝缘膜相接；N－－型杂质区域(15)，其在俯视观察时包围N－型杂质区域(15a)的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990389B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201610151117.9
申请日：2016-03-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件包括：P阱(12)；栅极绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的钉扎层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱内；P－型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的P阱内，且与钉扎层相接；N‑型杂质区域(15a)，其位于钉扎层以及P‑型杂质区域(17)的下方的所述半导体层内；N‑‑型杂质区域(15)，其与栅极绝缘膜及P‑型杂质区域(17)分别相接，且在俯视观察时位于N‑型杂质区域(15a)的周围。
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公开(公告)号：CN105390514B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201510531863.6
申请日：2015-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 中村纪元
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置及其制造方法。本发明的一个方式为一种固态成像装置，其具备：P型阱(12)；被形成在P型阱(12)中的N型低浓度扩散层(18)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的表面上的P型表面扩散层(16)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的侧面与P型阱(12)的边界处的P型高浓度阱(15)。
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公开(公告)号：CN104078476B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201410123124.9
申请日：2014-03-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146 , G01J3/36 , G01J3/02
CPC classification number: H01L31/02165 , A61B5/14552 , A61B2562/0238 , A61B2562/046 , A61B2562/12 , A61B2562/164 , H01L31/02024
Abstract: 本发明提供一种光谱传感器及其制造方法。该制造方法包括：在半导体基板上形成受光元件的工序（a）；在半导体基板之上形成角度限制滤波器的工序（b）；在角度限制滤波器之上形成光谱滤波器的工序（c）。形成光谱滤波器的工序（c）包括如下工序：工序（c1），通过剥离法而形成第一透光膜，所述第一透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部；工序（c2），通过剥离法而在俯视观察半导体基板时远离第一透光膜的位置处形成第二透光膜，所述第二透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部。
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公开(公告)号：CN107359171A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710220833.2
申请日：2017-04-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14643 , H01L27/14605 , H01L27/14612
Abstract: 固体摄像装置。该固体摄像装置的电荷传输路径的从传输晶体管的光电二极管到浮置扩散区的电势分布的同一性提高。该固体摄像装置具有：第1传输晶体管，其包含第1光电二极管、第1栅电极和第1浮置扩散区；第2传输晶体管，其包含第2光电二极管、第2栅电极和第2浮置扩散区；第3传输晶体管，其包含第3光电二极管、第3栅电极和第3浮置扩散区；以及复位晶体管，其包含源或漏区域的扩散层和复位栅极。第1～第3浮置扩散区和复位晶体管的扩散层相互分开，并经由布线而相互电连接。第1～第3光电二极管呈一维状地排列。
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公开(公告)号：CN106531754A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610809330.4
申请日：2016-09-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/1461 , H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及一种固态摄像元件及其制造方法以及电子设备。该固态摄像元件具备：半导体层，其为第一导电型；栅极绝缘膜，其位于半导体层上；栅电极，其位于栅极绝缘膜上；第一杂质区，其为第二导电型，且至少位于在俯视观察时与栅电极的第一端部相比靠外侧的半导体层内；第二杂质区，其为第二导电型，且至少位于在俯视观察时与栅电极的对置于第一端部的第二端部相比靠外侧的半导体层内；第三杂质区，其为第一导电型，且在俯视观察时从栅电极的第二端部分离且位于半导体层内的第二杂质区的上层内，并与第二杂质区相接。
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